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KGD质量和可靠性保障技术被引量：11: 1; 作者黄云恩云飞 +1 位作者师谦罗宏伟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期40-43,共4页; 通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与可靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55～+125℃的裸芯片静态、动态工作频... 展开更多; 关键词已知良好芯片质量可靠性测试老化; 在线阅读下载PDF 职称材料

塑封微电路筛选鉴定和DPA技术的研究被引量：1: 2; 作者林湘云来萍 +1 位作者刘建李少平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1108-1111,共4页; 由于塑封器件结构和材料等因素,存在非气密性、易受温度形变等特有潜在缺陷。有效的筛选和鉴定已经成为检验塑封微电路(PEMs)质量和提高应用可靠性的关键。DPA作为产品质量检验与可靠性评价技术,能提供PEM生产与设计、工艺和制造缺陷的... 展开更多; 关键词塑封微电路缺陷筛选鉴定破坏性物理分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响被引量：4: 3; 作者刘远恩云飞 +2 位作者李斌师谦何玉娟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页; 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高... 展开更多; 关键词辐射效应总剂量金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究: 4; 作者崔晓英黄云 +2 位作者恩云飞陈刚柏松《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期859-861,916,共4页; SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和... 展开更多; 关键词碳化硅金属肖特基场效应晶体管肖特基结栅退化稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

斯特林制冷机污染退化的加速寿命模型被引量：6: 5; 作者杨少华张晓明 +1 位作者刘心广吴亦农《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第8期462-464,共3页; 基于制冷机的污染失效机理、材料出气特性,探索性地提出制冷机污染退化的加速寿命模型,阐述了各模型参数的物理意义,并利用4300 h的加速试验数据建模拟合,发现与加速寿命模型有较好的符合关系,最后提出外推到常规条件寿命的加速系数的... 展开更多; 关键词斯特林制冷机污染寿命模型加速系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

双面贴装电路板上BGA焊点的潜在失效机理被引量：2: 6; 作者陆裕东何小琦 +2 位作者恩云飞王歆庄志强《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期952-955,共4页; 采用双面贴装回流焊工艺在FR4基板表面贴装Sn3.0Ag0.5Cu(SnAgCu)无铅焊点BGA器件,通过对热应力加速实验中失效的SnAgCu无铅BGA焊点的显微结构分析和力学性能检测,研究双面贴装BGA器件的电路板出现互连焊点单面失效问题的原因,单面互连... 展开更多; 关键词锡银铜无铅焊点球栅阵列失效; 在线阅读下载PDF 职称材料

空间用斯特林制冷机的寿命评价被引量：6: 7; 作者张晓明杨少华《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期56-59,共4页; 介绍了空间用斯特林制冷机的主要失效模式和失效机理,国内外寿命评价研究的状况和进展,分析了几种加速寿命评价方法。针对中国空间用制冷机寿命评价研究的现状,提出了加速寿命评价的一些见解和思路。; 关键词斯特林制冷机空间用寿命评价; 在线阅读下载PDF 职称材料

无铅镀层表面的锡须形貌、测量和风险评估: 8; 作者陆裕东何小琦 +2 位作者恩云飞王歆庄志强《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期110-112,共3页; 在25℃、RH50%的常温常湿条件下,对纯Sn镀层引脚的锡须生长进行了评估。无铅化纯锡镀层表面的锡须呈现针状、圆柱状、小丘状、束状等多种不同显微形貌。外界环境与锡须的生长形貌无关,锡须生长部位特定的材料内部应力条件和晶体缺陷环... 展开更多; 关键词锡须镀层互连可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名KGD质量和可靠性保障技术被引量：11: 1; 作者黄云恩云飞师谦罗宏伟; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期40-43,共4页; 文摘通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与可靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55～+125℃的裸芯片静态、动态工作频率小于100MHz的测试和工作频率小于3MHz的125℃动态老化筛选,可保障裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求。; 关键词已知良好芯片质量可靠性测试老化; Keywords known-good-die(KGD) quality reliability test aging; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名塑封微电路筛选鉴定和DPA技术的研究被引量：1: 2; 作者林湘云来萍刘建李少平; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1108-1111,共4页; 文摘由于塑封器件结构和材料等因素,存在非气密性、易受温度形变等特有潜在缺陷。有效的筛选和鉴定已经成为检验塑封微电路(PEMs)质量和提高应用可靠性的关键。DPA作为产品质量检验与可靠性评价技术,能提供PEM生产与设计、工艺和制造缺陷的信息。介绍了一套筛选、鉴定和DPA技术相结合的PEMs产品保证方法,可以作为向高可靠性要求用户提供高质量PEMs的主要评价手段。; 关键词塑封微电路缺陷筛选鉴定破坏性物理分析; Keywords plastic encapsulated microcircuits （PEMs） defect screening qualification destructive physical analysis （DPA）; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响被引量：4: 3; 作者刘远恩云飞李斌师谦何玉娟; 机构华南理工大学微电子研究所信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页; 基金重点基金项目(6140438) 国家级重点实验室基金项目(51433030404DZ1501); 文摘器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。; 关键词辐射效应总剂量金属-氧化物-半导体场效应晶体管; Keywords radiation effects total dose MOSFET; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究: 4; 作者崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期859-861,916,共4页; 基金国家重点实验室基金资助项目(9140C03020307DZ15); 文摘 SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。; 关键词碳化硅金属肖特基场效应晶体管肖特基结栅退化稳定性; Keywords SiC MESFET Schottky contact gate degradation stability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名斯特林制冷机污染退化的加速寿命模型被引量：6: 5; 作者杨少华张晓明刘心广吴亦农; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室中国科学院上海技术物理研究所; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第8期462-464,共3页; 基金国家高技术发展(863)计划项目(2006AA04Z411); 文摘基于制冷机的污染失效机理、材料出气特性,探索性地提出制冷机污染退化的加速寿命模型,阐述了各模型参数的物理意义,并利用4300 h的加速试验数据建模拟合,发现与加速寿命模型有较好的符合关系,最后提出外推到常规条件寿命的加速系数的计算方法。由于试验数量少,所得模型尚不成熟,需要更多的后续试验来验证,但该寿命模型的提出,对于实现快速寿命评价和考核具有参考价值。; 关键词斯特林制冷机污染寿命模型加速系数; Keywords stirlingcryocooler contamination life model accelerated factor; 分类号 TB651 [一般工业技术—制冷工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双面贴装电路板上BGA焊点的潜在失效机理被引量：2: 6; 作者陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期952-955,共4页; 基金国家部委基金项目信息产业部电子第五研究所科技发展基金(XF0726130); 文摘采用双面贴装回流焊工艺在FR4基板表面贴装Sn3.0Ag0.5Cu(SnAgCu)无铅焊点BGA器件,通过对热应力加速实验中失效的SnAgCu无铅BGA焊点的显微结构分析和力学性能检测,研究双面贴装BGA器件的电路板出现互连焊点单面失效问题的原因,单面互连焊点失效主要是由于回流焊热处理工艺引起的。多次热处理过程中,NiSnP层中形成的大量空洞是导致焊点沿(Cu,Ni)6Sn5金属间化合物层和Ni(P)镀层产生断裂失效的主要因素。改变回流焊工艺是抑制双面贴装BGA器件的印制电路板出现互连焊点单面失效问题的关键。; 关键词锡银铜无铅焊点球栅阵列失效; Keywords SnAgCu lead-free solder BGA failure; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名空间用斯特林制冷机的寿命评价被引量：6: 7; 作者张晓明杨少华; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室; 出处《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期56-59,共4页; 基金国家863计划(2006AA04Z411)资助项目; 文摘介绍了空间用斯特林制冷机的主要失效模式和失效机理,国内外寿命评价研究的状况和进展,分析了几种加速寿命评价方法。针对中国空间用制冷机寿命评价研究的现状,提出了加速寿命评价的一些见解和思路。; 关键词斯特林制冷机空间用寿命评价; Keywords Stirling cryocooler spaceborne lifetime evaluation; 分类号 TB651 [一般工业技术—制冷工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无铅镀层表面的锡须形貌、测量和风险评估: 8; 作者陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期110-112,共3页; 基金总装备部“十一五”预研项目(51323060305) 信息产业部电子第五研究所科技发展基金项目(XF0726130); 文摘在25℃、RH50%的常温常湿条件下,对纯Sn镀层引脚的锡须生长进行了评估。无铅化纯锡镀层表面的锡须呈现针状、圆柱状、小丘状、束状等多种不同显微形貌。外界环境与锡须的生长形貌无关,锡须生长部位特定的材料内部应力条件和晶体缺陷环境是决定晶须形貌的主要因素。经过500 h的常态老化,镀层上短晶须占多数,只发现了极少量长度超过50μm的锡须,而正是这少量的长晶须是造成铜互连引线间锡须桥连短路的主要因素。抑制少量超长的针状晶须的生长是防止晶须生长风险的关键。; 关键词锡须镀层互连可靠性; Keywords tin whisker, coating, interlink, reliability; 分类号 TG113 [金属学及工艺—物理冶金]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	KGD质量和可靠性保障技术	黄云恩云飞师谦罗宏伟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	11	在线阅读下载PDF 职称材料
2	塑封微电路筛选鉴定和DPA技术的研究	林湘云来萍刘建李少平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响	刘远恩云飞李斌师谦何玉娟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究	崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	斯特林制冷机污染退化的加速寿命模型	杨少华张晓明刘心广吴亦农	《红外技术》 CSCD 北大核心	2008	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	双面贴装电路板上BGA焊点的潜在失效机理	陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	空间用斯特林制冷机的寿命评价	张晓明杨少华	《低温工程》 CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
8	无铅镀层表面的锡须形貌、测量和风险评估	陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料