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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究 被引量:1
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作者 于宗光 徐征 +4 位作者 叶守银 张国华 黄卫 王万业 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 . 展开更多
关键词 EEPROM 隧道氧化层 擦写过程 陷阱俘获电荷
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ASIC单元库建库方法的研究 被引量:1
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作者 于宗光 邵锦荣 何晓娃 《半导体情报》 2000年第4期1-4,13,共5页
介绍了 ASIC单元库的含义 ,阐述了建立 ASIC单元库的一般方法。基于 COMPASS的建库工具 Mercury,阐述了建立参数库的技术 ,并简单介绍了几种典型的 ASIC单元库及应用情况。
关键词 ASIC 单元库 集成电路 建库
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高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究
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作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期329-336,共8页
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老... 利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为- 1.8×1011 cm - 2和- 1.4×1011 cm - 2,平均俘获截面分别为5.8×10- 20 cm 2 和7.2×10- 20 cm 2,有效电荷中心距分别为3.8 nm 和4.3 nm ,界面陷阱电荷饱和密度分别为6.54×109 cm - 2eV- 1和- 3.8×109 cm - 2eV- 1,平均俘获截面分别为1.12×10- 19 cm 2 和4.9×10- 19 cm 2。 展开更多
关键词 浮栅隧道氧化层 陷阱电荷 应力 MOS晶体管
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国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术 被引量:1
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作者 于宗光 何晓娃 《电子产品可靠性与环境试验》 2000年第4期38-44,共7页
分析了提高EEPROM器件耐久性和保持特性的途径,提出了寿命预测的方法和保持特性的考核标准。
关键词 耐久性 保持特性 可靠性增长 EEPROM
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一种新的深硅槽工艺技术
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作者 郑宜钧 王明善 +1 位作者 贾永华 洪海燕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期56-58,共3页
提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口磋的腐蚀速率,实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。
关键词 深硅槽 硅隔离 离子注入 光刻 腐蚀
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