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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
被引量:
1
1
作者
于宗光
徐征
+4 位作者
叶守银
张国华
黄卫
王万业
许居衍
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期68-70,67,共4页
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现...
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .
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关键词
EEPROM
隧道氧化层
擦写过程
陷阱俘获电荷
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职称材料
ASIC单元库建库方法的研究
被引量:
1
2
作者
于宗光
邵锦荣
何晓娃
《半导体情报》
2000年第4期1-4,13,共5页
介绍了 ASIC单元库的含义 ,阐述了建立 ASIC单元库的一般方法。基于 COMPASS的建库工具 Mercury,阐述了建立参数库的技术 ,并简单介绍了几种典型的 ASIC单元库及应用情况。
关键词
ASIC
单元库
集成电路
建库
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职称材料
高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究
3
作者
于宗光
许居衍
魏同立
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期329-336,共8页
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老...
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为- 1.8×1011 cm - 2和- 1.4×1011 cm - 2,平均俘获截面分别为5.8×10- 20 cm 2 和7.2×10- 20 cm 2,有效电荷中心距分别为3.8 nm 和4.3 nm ,界面陷阱电荷饱和密度分别为6.54×109 cm - 2eV- 1和- 3.8×109 cm - 2eV- 1,平均俘获截面分别为1.12×10- 19 cm 2 和4.9×10- 19 cm 2。
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关键词
浮栅隧道氧化层
陷阱电荷
应力
MOS晶体管
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职称材料
国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术
被引量:
1
4
作者
于宗光
何晓娃
《电子产品可靠性与环境试验》
2000年第4期38-44,共7页
分析了提高EEPROM器件耐久性和保持特性的途径,提出了寿命预测的方法和保持特性的考核标准。
关键词
耐久性
保持特性
可靠性增长
EEPROM
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职称材料
一种新的深硅槽工艺技术
5
作者
郑宜钧
王明善
+1 位作者
贾永华
洪海燕
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期56-58,共3页
提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口磋的腐蚀速率,实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。
关键词
深硅槽
硅隔离
离子注入
光刻
腐蚀
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职称材料
题名
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
被引量:
1
1
作者
于宗光
徐征
叶守银
张国华
黄卫
王万业
许居衍
机构
信息产业部无锡微电子科研中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期68-70,67,共4页
基金
江苏省青年科技基金!(BQ960 4 0 )
文摘
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .
关键词
EEPROM
隧道氧化层
擦写过程
陷阱俘获电荷
Keywords
EEPROM
Tunnel oxide
Trapped charge
Endurance
Erase/Write
Threshold voltage
Field
分类号
TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
ASIC单元库建库方法的研究
被引量:
1
2
作者
于宗光
邵锦荣
何晓娃
机构
甘肃省科技情报研究所
信息产业部无锡微电子科研中心
出处
《半导体情报》
2000年第4期1-4,13,共5页
基金
国防重点实验室 (电子元器件可靠性物理及应用技术 )基金资助
文摘
介绍了 ASIC单元库的含义 ,阐述了建立 ASIC单元库的一般方法。基于 COMPASS的建库工具 Mercury,阐述了建立参数库的技术 ,并简单介绍了几种典型的 ASIC单元库及应用情况。
关键词
ASIC
单元库
集成电路
建库
Keywords
ASIC Cell library
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究
3
作者
于宗光
许居衍
魏同立
机构
信息产业部无锡微电子科研中心
东南大学
微电子
中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期329-336,共8页
基金
江苏省青年科技基金
文摘
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下FLOTOXMOS管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对FLOTOX EEPROM 阈值电压的影响提供了实验依据。在+ 11 V、- 11 V 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为- 1.8×1011 cm - 2和- 1.4×1011 cm - 2,平均俘获截面分别为5.8×10- 20 cm 2 和7.2×10- 20 cm 2,有效电荷中心距分别为3.8 nm 和4.3 nm ,界面陷阱电荷饱和密度分别为6.54×109 cm - 2eV- 1和- 3.8×109 cm - 2eV- 1,平均俘获截面分别为1.12×10- 19 cm 2 和4.9×10- 19 cm 2。
关键词
浮栅隧道氧化层
陷阱电荷
应力
MOS晶体管
Keywords
FLOTOX Cyclic Field Trapped Charges Stress
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术
被引量:
1
4
作者
于宗光
何晓娃
机构
信息产业部无锡微电子科研中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2000年第4期38-44,共7页
文摘
分析了提高EEPROM器件耐久性和保持特性的途径,提出了寿命预测的方法和保持特性的考核标准。
关键词
耐久性
保持特性
可靠性增长
EEPROM
Keywords
EEPROM
durability
retentivity
分类号
TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
在线阅读
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职称材料
题名
一种新的深硅槽工艺技术
5
作者
郑宜钧
王明善
贾永华
洪海燕
机构
信息产业部无锡微电子科研中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期56-58,共3页
文摘
提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口磋的腐蚀速率,实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。
关键词
深硅槽
硅隔离
离子注入
光刻
腐蚀
Keywords
deep trench
insulate on Si
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
于宗光
徐征
叶守银
张国华
黄卫
王万业
许居衍
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
ASIC单元库建库方法的研究
于宗光
邵锦荣
何晓娃
《半导体情报》
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究
于宗光
许居衍
魏同立
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术
于宗光
何晓娃
《电子产品可靠性与环境试验》
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
一种新的深硅槽工艺技术
郑宜钧
王明善
贾永华
洪海燕
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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下载PDF
职称材料
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