自制物理实验仪器的探索与实践 被引量：12

1

作者 李斌 谭鹏 +1 位作者 陈国杰 谢嘉宁 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2013年第6期46-49,共4页

论述了自制实验仪器的必要性和可行性,举例说明了佛山科学技术学院光电子与物理学系自制物理实验仪器的情况,探讨了自制仪器在促进实验教学改革、提高实验教学质量、培养学生创新能力、提高实验队伍业务水平、推进实验示范中心建设等方... 论述了自制实验仪器的必要性和可行性,举例说明了佛山科学技术学院光电子与物理学系自制物理实验仪器的情况,探讨了自制仪器在促进实验教学改革、提高实验教学质量、培养学生创新能力、提高实验队伍业务水平、推进实验示范中心建设等方面产生的作用。 展开更多

关键词 实验仪器 物理实验教学 教学改革 创新能力

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正切平方势阱中光学吸收系数的研究(英文)

2

作者 李斌 陈国杰 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期330-334,共5页

研究了正切平方势阱中的线性与非线性光学吸收系数。使用密度矩阵近似的方法推导了该势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式;以典型的AlGaAs/GaAs正切平方势阱为例计算了该系统中的线性与三阶非线性光学吸收系数的大小,数值计... 研究了正切平方势阱中的线性与非线性光学吸收系数。使用密度矩阵近似的方法推导了该势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式;以典型的AlGaAs/GaAs正切平方势阱为例计算了该系统中的线性与三阶非线性光学吸收系数的大小,数值计算结果表明,势阱的形状和入射光强对该势阱中的光学吸收系数有着重要的影响。 展开更多

关键词 非线性光学 正切平方势阱 吸收系数 密度矩阵近似

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啁啾超短激光脉冲对二能级体系特性的调控 被引量：6

3

作者 李斌 李成 余向阳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1752-1756,共5页

研究了啁啾超短激光脉冲与二能级体系近共振作用下的特性.采用光与物质相互作用的半经典理论,建立了含啁啾相位项的修正光学Bloch方程,并用高准确度、快速和可靠的四阶龙格-库塔法数值求解了该方程.通过数值计算,得到啁啾符号和啁啾量与... 研究了啁啾超短激光脉冲与二能级体系近共振作用下的特性.采用光与物质相互作用的半经典理论,建立了含啁啾相位项的修正光学Bloch方程,并用高准确度、快速和可靠的四阶龙格-库塔法数值求解了该方程.通过数值计算,得到啁啾符号和啁啾量与Bloch矢量的关系,以及共振失谐量符号和啁啾符号对Bloch矢量性质影响的规律.结果表明,啁啾的符号和大小对Bloch矢量的瞬态相干过程和稳态特性都会产生明显的调制作用,由此可以通过调节激光脉冲的啁啾特性来实现对二能级体系性质的调控. 展开更多

关键词 激光物理 啁啾超短激光脉冲 二能级体系 光学Bloch方程

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用W态作量子信道实现纠缠态的隐形传送 被引量：12

4

作者 路洪 陈立冰 +1 位作者 黄纯青 谭鹏 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期730-733,共4页

我们提出了用W态作为量子信道实现纠缠态的隐形传态的方案,并证明了成功实现传态的概率是4/9。在隐形传态的过程中,操作的秩序并不影响成功实现量子隐形传态的概率。

关键词 量子信息 量子隐形传态 量子纠缠 W态 信道

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自由曲面底板的LED光学设计 被引量：13

5

作者 陈颖聪 文尚胜 +2 位作者 罗婉霞 陈津桥 谢嘉宁 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期2947-2953,共7页

提出了一种基于自由曲面底板的LED配光新方法,采用TracePro软件设计自由曲面并进行仿真分析。结果表明:将LED芯片直接贴装在带有自由曲面的底板上,可以获得较大的出光角度,半光强角达到60°,比传统反光杯的配光方式获得的半光强角增... 提出了一种基于自由曲面底板的LED配光新方法,采用TracePro软件设计自由曲面并进行仿真分析。结果表明:将LED芯片直接贴装在带有自由曲面的底板上,可以获得较大的出光角度,半光强角达到60°,比传统反光杯的配光方式获得的半光强角增大25°。此外,通过这种新方法可获得高光效和高均匀照度的照明模式,在实现相同的目标平面平均照度时,总光通量比传统配光方式减少25%,照度的衰减减少了60%。通过调节自由曲面底板的形状进行配光,可根据需要获得不同的照明效果,实现高品质的LED照明。 展开更多

关键词 非成像光学 自由曲面 一次配光 TRACEPRO

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基于对称相关的牛顿环参数自动测量 被引量：5

6

作者 周红仙 张潞英 王毅 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2015年第6期8-11,共4页

根据牛顿环的对称性特点,提出一种牛顿环参数自动检测方法。首先对采集到的牛顿环干涉条纹进行对比度增强处理,提高条纹对比度;根据牛顿环的对称性,使用互相关方法确定牛顿环中心;计算通过牛顿环中心直径上的灰度极小值位置,确定各级暗... 根据牛顿环的对称性特点,提出一种牛顿环参数自动检测方法。首先对采集到的牛顿环干涉条纹进行对比度增强处理,提高条纹对比度;根据牛顿环的对称性,使用互相关方法确定牛顿环中心;计算通过牛顿环中心直径上的灰度极小值位置,确定各级暗环的直径,计算出牛顿环的参数。使用本方法对曲率半径为855.1mm的平凸透镜进行了实验验证,选取沿水平方向及45°方向进行计算,沿水平方向和45°方向得到平凸透镜的曲率半径分别为851.9、861.9 mm,相对误差为0.37%、0.80%。 展开更多

关键词 牛顿环 物理 互相关

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用Greenberger-Horne-Zeilinger态作量子信道实现多点控制的远程单比特幺正变换(英文) 被引量：1

7

作者 陈立冰 刘玉华 +1 位作者 路洪 金锐博 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期192-196,共5页

提出了一个用三粒子纠缠的GHZ态作为量子信道实现多点控制的远程单比特幺正变换的操纵方案.在该方案中,发送者Alice能"传送"一个幺正变换给远距离的接收者Bob,此幺正变换的结构分别由Alice和Bob决定.而Alice与Bob间的量子信... 提出了一个用三粒子纠缠的GHZ态作为量子信道实现多点控制的远程单比特幺正变换的操纵方案.在该方案中,发送者Alice能"传送"一个幺正变换给远距离的接收者Bob,此幺正变换的结构分别由Alice和Bob决定.而Alice与Bob间的量子信道宽度,亦远程单比特幺正变换的成功操纵几率则由第三者Cindy控制.Cindy与Alice(Bob)间的经典通讯也由Cindy控制. 展开更多

关键词 量子信息 远程幺正变换 GHZ态 操纵

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影响InN材料带隙的几个关键问题 被引量：2

8

作者 董少光 李炳乾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第15期82-87,共6页

确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了In... 确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素。影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N∶In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同。 展开更多

关键词 InN材料 带隙 Moss-Burstein效应 深能级 化学计量

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InGaN太阳能电池材料的辐射性质 被引量：1

9

作者 董少光 《石河子大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第3期372-375,共4页

对采用分子束外延生长的In1-xGaxN薄膜与金属有机化学气相沉积生长的GaAs和Ga0.51In0.49P薄膜太阳能电池材料进行了对比研究,探讨了全太阳光谱材料系In1-xGaxN合金薄膜受到高能粒子辐射后的电学特性变化规律。实验结果显示:GaAs和Ga0.51... 对采用分子束外延生长的In1-xGaxN薄膜与金属有机化学气相沉积生长的GaAs和Ga0.51In0.49P薄膜太阳能电池材料进行了对比研究,探讨了全太阳光谱材料系In1-xGaxN合金薄膜受到高能粒子辐射后的电学特性变化规律。实验结果显示:GaAs和Ga0.51In0.49P的光致发光信号强度受到照射的强烈压制,而受到类似剂量照射后InN的光致发光信号强度没有下降;In1-xGaxN合金薄膜材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的GaAs和GaInP光伏材料有更高的电阻。这表明,In1-xGaxN对高能粒子损伤没有GaAs和GaInP那么敏感,从而给空间受到强辐射的高效太阳能电池提供了巨大的应用潜力。 展开更多

关键词 太阳能电池 INGAN 辐照损伤 光致发光 Fermi能级

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扭摆共振式微电流计研制

10

作者 陈伟成 颜俊雄 +1 位作者 钟土基 陈国杰 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2013年第1期85-87,共3页

基于扭摆转动原理,设计出扭摆共振式光电探测型微电流计,介绍了实验原理和装置。实测结果表明,与商用电流计的标称值相比,该电流计的测量相对误差范围在5%以内。

关键词 微电流计 共振 扭摆

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GaN半导体材料的电学性质与光学性质分析

11

作者 董少光 范广涵 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期662-665,共4页

用局部旋转密度近似的方法研究GaN材料的电学性质与光学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子浓度为1.56%。这种材料用孤立和部分填充的中间带表征,是高效太阳电池的候选材料。对中间带的轨道成分进行分析表明,中间带主要由... 用局部旋转密度近似的方法研究GaN材料的电学性质与光学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子浓度为1.56%。这种材料用孤立和部分填充的中间带表征,是高效太阳电池的候选材料。对中间带的轨道成分进行分析表明,中间带主要由跃迁金属的t-群轨道构成。吸收系数的理论计算结果表明,半导体材料的次带吸收会导致太阳能转换效率的增加。 展开更多

关键词 中间带 GAN 电学性质 光学性质 半导体材料

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InGaN合金的微结构光学特征及其Stokes偏移研究

12

作者 董少光 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期14-18,共5页

研究了生长在GaN/Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构形态,并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相,采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光学带隙进行了研究,分析了InGaN合金带隙产生Stokes偏移的本质及原因。AFM显微图表明生长在GaN/Al2O3... 研究了生长在GaN/Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构形态,并通过Raman光谱测定了InGaN合金的晶相,采用分光镜椭圆测量对InGaN合金的光学带隙进行了研究,分析了InGaN合金带隙产生Stokes偏移的本质及原因。AFM显微图表明生长在GaN/Al2O3模板层上的InGaN合金的微结构晶体质量得到了很好的改善。In-GaN合金的Raman光谱曲线非常微弱,与GaN/Al2O3的Raman光谱曲线几乎完全重叠。通过分光镜椭圆测量可知,InGaN合金的光学带隙Eg随着In含量的增加而减少。InGaN合金在红外区域表现出强烈的光致发光峰,随着Ga含量的增加,光致发光峰表现出较大的蓝移即Stokes偏移。在InGaN合金的中间In组分附近Stokes偏移达到最大值。产生Stokes偏移的主要原因是InN在GaN中具有较低的混溶性。Stokes偏移也可归结为InGaN合金中存在局域态,InGaN合金中载流子的局域化程度越高,Stokes偏移就越大。 展开更多

关键词 InGaN材料 光学特征 光致发光 Stokes偏移

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