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题名三极管RBSOA测试仪的设计与实现
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作者
张国光
王自鑫
林若桂
吴华灵
甄国文
杨利灿
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机构
佛山市蓝箭电子有限公司
中山大学理工学院微电子学系
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出处
《现代电子技术》
2012年第2期124-127,共4页
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文摘
主要介绍了三极管反向偏压安全工作区(RBSOA)测试仪的硬件结构和相应的软件实现。该测试仪主要基于三极管的RBSOA及三极管的开关原理,并结合实际测试生产环境,设计了大功率电源供电电路、电流驱动电路、电压箝位电路、电流电压检测电路、单片机控制电路以及PC机的用户界面这6大模块。该测试系统采用了电感诱导控制电流和箝位电路限压,成功实现了对三级管集电极电流Ic和集电极-发射极电压Vce的控制;使用多点采样法,实现了可靠的电流电压检测。经过长期对不同型号和同一型号不同状况的三极管测试,成功验证了测试仪的性能和可靠性。
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关键词
三极管
反向偏压安全工作区
电感诱导
钳位电路
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Keywords
BJT
RBSOA
inductance induction
clamping circuit
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分类号
TN919-34
[电子电信—通信与信息系统]
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题名高压VDMOSFET击穿电压优化设计
被引量：3
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作者
严向阳
唐晓琦
淮永进
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机构
佛山市蓝箭电子有限公司
北京燕东微电子有限公司
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第10期577-579,585,共4页
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文摘
通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值。
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关键词
纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
击穿电压
结终端扩展
终端结构
外延层厚度和掺杂浓度
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Keywords
VDMOSFET
breakdown voltage
junction termination extension （JTE）
termination structure
thickness and doping concentration of EPI
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
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题名提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究
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作者
张国光
郑学仁
张顺
张国俊
郑春扬
吴朝晖
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机构
佛山市蓝箭电子有限公司
华南理工大学电子与信息学院
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出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2009年第6期1-4,共4页
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文摘
功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。
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关键词
金属-氧化物-半导体器件
功率晶体管
封装
导通电阻
器件可靠性
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Keywords
MOSFET
power transistor
package
on-resistor
device reliability
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分类号
TN386.6
[电子电信—物理电子学]
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
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