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半导体氮化铟(InN)的电学性质 被引量:4
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作者 潘葳 沈文忠 +1 位作者 小川博司 郭其新 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2004年第2期195-215,共21页
 本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪...  本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。 展开更多
关键词 氮化铟 半导体材料 载流子浓度 迁移率 薄膜材料
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半导体氮化铟(InN)的晶格振动 被引量:5
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作者 钱志刚 沈文忠 +1 位作者 小川博司 郭其新 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第3期257-283,共27页
 本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序...  本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。 展开更多
关键词 半导体 氮化铟 薄膜 晶格振动 INN Raman散射光谱 红外光谱 量子阱 量子点 超晶格
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