氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质 被引量：2

1

作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 沈波 朱建民 郑有炓 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期124-128,共5页

用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,... 用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,XRD摇摆曲线半宽度 (FWHM)由 1 1″增加到 1 5″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的 1 0 0倍。结合生长条件 。 展开更多

关键词 氮化镓 氮化蓝宝石衬底 GAN薄膜 微结构 光学性质

在线阅读 下载PDF 职称材料

大功率白光LED的制备和表征 被引量：24

2

作者 陈志忠 秦志新 +6 位作者 胡晓东 于彤军 杨志坚 章蓓 姚光庆 邱秀敏 张国义 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期83-86,共4页

用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2... 用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2 0 0mA仍没有出现饱和或下降的趋势 ,白光的色温从 5 30 0K下降至 4 80 0K。 展开更多

关键词 白光发光二极管 荧光粉 色温 电流扩展 氮化镓基 光功率

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaN基白光LED的研制与特性 被引量：9

3

作者 唐英杰 王宇方 +1 位作者 杨志坚 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期91-94,共4页

本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为744... 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化. 展开更多

关键词 发光二极管 白光转换

在线阅读 下载PDF 职称材料

InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文) 被引量：3

4

作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期38-42,共5页

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边... 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 InN量子点 光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜 被引量：3

5

作者 周劲 杨志坚 +1 位作者 唐英杰 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期79-82,共4页

氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,... 氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2. 展开更多

关键词 GAN 氢化物汽相外延 X射线分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaN基白光LED的研制与特性(英文) 被引量：3

6

作者 唐英杰 王宇方 +1 位作者 杨志坚 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期91-94,共4页

本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石 (YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管 (W LED)。在室温、正向电流 2 0mA时 ,W LED轴向亮度为 1 70mcd,显色指数 (CRI)达到 82 ,色... 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石 (YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管 (W LED)。在室温、正向电流 2 0mA时 ,W LED轴向亮度为 1 70mcd,显色指数 (CRI)达到 82 ,色温 (CCT)为 74 48K ,CIE色坐标是 ( 0 2 96 ,0 31 6 ) ,接近纯白色 ( 0 33,0 33)。随着注入电流的增强 ,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化。 展开更多

关键词 发光二极管 白光转换

在线阅读 下载PDF 职称材料

X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜(英文) 被引量：1

7

作者 周劲 杨志坚 +1 位作者 唐英杰 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期79-82,共4页

氮化物研究在 90年代取得显著进步 ,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管。由于氮化镓与衬底(如 :蓝宝石 ,碳花硅 )间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配 ,外延膜中有非常高的位错密度。研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭... 氮化物研究在 90年代取得显著进步 ,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管。由于氮化镓与衬底(如 :蓝宝石 ,碳花硅 )间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配 ,外延膜中有非常高的位错密度。研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象 ,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度。Φ扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性 ,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构。计算出螺位错密度为 :2 93× 1 0 9cm-2 和刃位错密度为 :5 2 5× 1 0 10 cm-2 。 展开更多

关键词 GAN 氢化物汽相外延 X射线分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱

8

作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期38-42,共5页

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和... 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源. 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 InN量子点 光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文)

9

作者 秦志新 陈志忠 +1 位作者 周建辉 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-118,共5页

研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形... 研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形成多晶结构。当增加N2 气压时 ,损伤变得更严重。但是 ,在关闭N2 发生器挡板的情况下 ,在 5 0 0℃下 ,经过氮化将观察到 ( 3× 3)再构的RHEED花样 ,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明 ,不开N2 发生器挡板 ,低温 ( 5 0 0℃下 )氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c GaN。 展开更多

关键词 GaN 分子束外延 MBE系统 GAAS 砷化镓 氮化镓 N2-RF等离子体氮化

在线阅读 下载PDF 职称材料

MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究

10

作者 秦志新 陈志忠 +2 位作者 童玉珍 陆曙 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期43-47,共5页

利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～... 利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关. 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 MOCVD

在线阅读 下载PDF 职称材料

MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究(英文)

11

作者 秦志新 陈志忠 +2 位作者 童玉珍 陆曙 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期43-47,共5页

利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇摆曲线的InN( 0 0 0 2 )和InGaN( 0 0 0 2 )的积分强度之比测得InN在InGaN... 利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇摆曲线的InN( 0 0 0 2 )和InGaN( 0 0 0 2 )的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为 0 0 6 84 %～ 2 6 396 %。根据XRD理论 ,计算出InN和InGaN的理论衍射强度。InN含量在所有样品中均小于 3% ,这表明样品的相分离度比较低。还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关。 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 MOCVD

在线阅读 下载PDF 职称材料

用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度(英文)

12

作者 杨志坚 龙涛 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期10-12,共3页

研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响。样品在 80 0℃退火 1小时后 ,我们获得了空穴浓度达 8 2 8× 1 0 17cm-3 的 p型GaN。这一结果可以用于GaN基器件的 p型层的欧姆接触。

关键词 空穴浓度 p-型 GAN Mg-注入

在线阅读 下载PDF 职称材料

用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度(英文)

13

作者 杨志坚 龙涛 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期10-12,共3页

研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响。样品在 80 0℃退火 1小时后 ,我们获得了空穴浓度达 8 2 8× 1 0 17cm-3 的 p型GaN。这一结果可以用于GaN基器件的 p型层的欧姆接触。

关键词 空穴浓度 p-型GaN Mg-注入

在线阅读 下载PDF 职称材料