期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
MOCVD侧向外延GaN的结构特性
被引量：
2
1
作者
方慧智
陆敏
+4 位作者
陈志忠
陆羽
胡晓东
杨志坚
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期748-752,共5页
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三...
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高。
展开更多
关键词
侧向外延
金属有机化学气相沉积
氮化镓
原子力显微镜
拉曼散射
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD侧向外延GaN的结构特性
被引量：
2
1
作者
方慧智
陆敏
陈志忠
陆羽
胡晓东
杨志坚
张国义
机构
北京大学
物理
学院
人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期748-752,共5页
基金
国家自然科学基金(60376005
60276010)
+1 种基金
国家"863"计划(2001AA313140
2001AA313060)资助项目
文摘
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高。
关键词
侧向外延
金属有机化学气相沉积
氮化镓
原子力显微镜
拉曼散射
Keywords
epitaxial lateral overgrowth
MOCVD
GaN
AFM
Raman scattering
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOCVD侧向外延GaN的结构特性
方慧智
陆敏
陈志忠
陆羽
胡晓东
杨志坚
张国义
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
