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LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究
被引量：
3
1
作者
剧永波
陈建军
+8 位作者
张宸铭
简月圆
熊正平
张龙泉
赵东升
罗少先
刘昊
孙宏伟
白贺鹏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期190-195,共6页
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素。在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光...
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素。在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善。光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力。
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关键词
粘附力
光刻胶
钼
钛
氧化铟锡
多晶硅
非晶硅
氮化硅
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职称材料
题名
LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究
被引量：
3
1
作者
剧永波
陈建军
张宸铭
简月圆
熊正平
张龙泉
赵东升
罗少先
刘昊
孙宏伟
白贺鹏
机构
鄂尔多斯市源盛光电
有限责任公司
京东方科技集团股份有限责任公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期190-195,共6页
文摘
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析。经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素。在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善。光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力。
关键词
粘附力
光刻胶
钼
钛
氧化铟锡
多晶硅
非晶硅
氮化硅
Keywords
adhesive force
photoresist
Mo
Ti
ITO
Poly-Si
A-Si
SiNX
分类号
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
TH691.9 [机械工程—机械制造及自动化]
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作者
出处
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被引量
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1
LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究
剧永波
陈建军
张宸铭
简月圆
熊正平
张龙泉
赵东升
罗少先
刘昊
孙宏伟
白贺鹏
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017
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