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高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究
被引量：
10
1
作者
刘翔
张盛东
+3 位作者
薛建设
宁策
杨静
王刚
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期130-133,共4页
在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V...
在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V/Dev,验证了TFT的均一性和重复性。此外还研究了可见光照和电压偏应力对IGZO TFT性能的影响,可见光照不会促使IGZO TFT Vth的漂移,进行2 h的负偏电压应力测试,IGZO TFT的Vth几乎没有漂移。使用上述IGZO TFT基板成功地制作了中国大陆第一款Oxide-LCD样机(18.5英寸),展现出良好的效果。
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关键词
金属氧化物薄膜晶体管
铟镓锌氧化物半导体
高迁移率
高性能
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职称材料
题名
高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究
被引量：
10
1
作者
刘翔
张盛东
薛建设
宁策
杨静
王刚
机构
北京大学微电子学研究院
京东方科技集团股份有限公司技术研发中心oxide tft工艺开发
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期130-133,共4页
文摘
在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V/Dev,验证了TFT的均一性和重复性。此外还研究了可见光照和电压偏应力对IGZO TFT性能的影响,可见光照不会促使IGZO TFT Vth的漂移,进行2 h的负偏电压应力测试,IGZO TFT的Vth几乎没有漂移。使用上述IGZO TFT基板成功地制作了中国大陆第一款Oxide-LCD样机(18.5英寸),展现出良好的效果。
关键词
金属氧化物薄膜晶体管
铟镓锌氧化物半导体
高迁移率
高性能
Keywords
Metal-oxide thin film transistor, IGZO semiconductor, High mobility, High stability
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究
刘翔
张盛东
薛建设
宁策
杨静
王刚
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
10
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