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LCD触控感应技术发展趋势(英文) 被引量：19: 1; 作者白石王延峰 +3 位作者黄敏冷长林贾勇金春梅《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期572-575,共4页; 作为直接和界面友好的输入装置,触摸屏被广泛地应用于移动显示产品。在过去几年中,触控技术的发展也是多种多样的。文章主要介绍了传统式触控技术及内嵌式触控技术的特点,并讨论了触控技术的发展趋势。; 关键词技术发展趋势 LCD 感应输入装置显示产品直接和触摸屏内嵌式; 在线阅读下载PDF 职称材料

量子点发光在显示器件中的应用被引量：26: 2; 作者张锋薛建设 +2 位作者喻志农周伟峰惠官宝《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期163-167,共5页; 介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展。量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们的重视,成为显示领域新的研究热点。; 关键词量子点发光二极管显示器件色域; 在线阅读下载PDF 职称材料

TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺被引量：13: 3; 作者李文波王刚 +4 位作者张卓胡望刘宏宇邵喜斌徐征《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期522-526,559,共6页; 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方... 展开更多; 关键词掩模版薄膜晶体管液晶显示器阵列工艺技术进展市场行情; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究被引量：10: 4; 作者刘翔张盛东 +3 位作者薛建设宁策杨静王刚《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期130-133,共4页; 在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V... 展开更多; 关键词金属氧化物薄膜晶体管铟镓锌氧化物半导体高迁移率高性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

微胶囊电泳显示与TFT-LCD之比较分析被引量：5: 5; 作者李文波徐征 +4 位作者张卓王刚邵喜斌刘宏宇李云飞《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期576-581,共6页; 对微胶囊电泳显示与TFT-LCD显示进行了对比研究,讨论并分析了它们在显示原理、电路的驱动方式和灰阶实现、像素设计以及显示性能等多方面的不同特性,并对微胶囊电泳显示的应用前景做了简要介绍和预测。; 关键词微胶囊电泳显示 TFT—LCD显示比较分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

表面处理对液晶显示阵列基板中黑矩阵残留的影响被引量：1: 6; 作者张锋舒适 +1 位作者齐永莲刘震《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期915-919,共5页; 主要分析了黑矩阵残留程度与SiNx、SiON、SiOx等基底表面亲水特性的关系,研究了等离子体处理对基底表面亲水特性以及黑矩阵残留的影响。首先,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对黑矩阵在不同基底表面的残留颗粒大小、表面粗糙度进行了... 展开更多; 关键词等离子体处理亲水性接触角黑矩阵; 在线阅读下载PDF 职称材料

钼缓冲层对钼/铜叠层结构电极特性的影响被引量：1: 7; 作者李旭远薛唯 +4 位作者喻志农薛建设张学辉柳逢春杨伟生《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1-5,共5页; 采用直流磁控溅射方法制备了钼/铜叠层结构电极,其电阻率达到2.28μΩ·cm,显著低于铝钕合金的电阻率;金属钼作为缓冲层,提高了铜电极在玻璃上的附着力;钼作为阻挡层有效地阻挡了铜向非晶硅中的扩散,避免了铜对于薄膜晶体管有源层... 展开更多; 关键词显示技术钼铜叠层电极电阻率扩散附着力; 在线阅读下载PDF 职称材料

叠层方式形成彩色滤光片隔垫物的研究被引量：1: 8; 作者舒适齐永莲 +2 位作者徐传祥张锋崔承镇《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期956-960,共5页; 本文研究了液晶显示面板彩色滤光片工艺中以叠层方式形成隔垫物的关键技术问题,即叠层隔垫物高度控制、主-附隔垫物段差的形成和主-附隔垫物段差受后续平坦层工艺的影响变化等,并提出了解决方案。在黑矩阵、红色、绿色、蓝色滤光层形成... 展开更多; 关键词彩色滤光片叠层隔垫物形貌追随型平坦化材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

白色光阻材料在OGS工艺中的应用: 9; 作者冯京徐传祥 +3 位作者张方振惠官宝张锋姚琪《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期525-531,共7页; 分析了白色光阻材料在不同温度、不同厚度和不同化学品浸泡下色度值、分辨率和附着力的变化情况。验证了白色光阻材料在OGS(One glass solution)触摸屏生产中的工艺条件。首先,关注白色光阻材料的光密度值(OD值)、分辨率、耐化性、耐高... 展开更多; 关键词白色光阻色度耐化性光密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LCD触控感应技术发展趋势(英文) 被引量：19: 1; 作者白石王延峰黄敏冷长林贾勇金春梅; 机构京东方科技集团股份有限公司技术研发中心中国教学仪器设备总公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期572-575,共4页; 文摘作为直接和界面友好的输入装置,触摸屏被广泛地应用于移动显示产品。在过去几年中,触控技术的发展也是多种多样的。文章主要介绍了传统式触控技术及内嵌式触控技术的特点,并讨论了触控技术的发展趋势。; 关键词技术发展趋势 LCD 感应输入装置显示产品直接和触摸屏内嵌式; Keywords LCD touch screen panel external internal trend; 分类号 TN27 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名量子点发光在显示器件中的应用被引量：26: 2; 作者张锋薛建设喻志农周伟峰惠官宝; 机构京东方科技集团股份有限公司技术研发中心北京理工大学光电学院薄膜与显示技术实验室; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期163-167,共5页; 文摘介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展。量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们的重视,成为显示领域新的研究热点。; 关键词量子点发光二极管显示器件色域; Keywords quantum dot light emitting diode display technology color gamut; 分类号 O472.8 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺被引量：13: 3; 作者李文波王刚张卓胡望刘宏宇邵喜斌徐征; 机构北京交通大学光电子技术研究所京东方科技集团股份有限公司技术研发中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期522-526,559,共6页; 基金国家"863"计划资助项目(2008AA03A334) 中国博士后科学基金资助项目(20090460265); 文摘薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势。各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格也造成了不小的冲击。在TFT-LCD阵列基板制造方面,4掩模版光刻工艺技术逐渐成为当今主流,而3掩模版光刻工艺因其技术难度大、良品率低,目前还掌握在少数几家TFT-LCD厂商手中。通过对掩模版的国内外市场行情、技术进展以及掩模版数目与TFT-LCD阵列工艺的关系作全面的阐述,指出加强TFT-LCD掩模版等配套材料的自主研发、采用更加先进的制造技术是简化生产工艺、降低生产成本的有效手段,也是我国TFT-LCD产业下一步努力发展的方向。; 关键词掩模版薄膜晶体管液晶显示器阵列工艺技术进展市场行情; Keywords mask thin film transistor liquid crystal display（TFT-LCD） array process technology progress market; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学] TN305.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究被引量：10: 4; 作者刘翔张盛东薛建设宁策杨静王刚; 机构北京大学微电子学研究院京东方科技集团股份有限公司技术研发中心Oxide TFT工艺开发; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期130-133,共4页; 文摘在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V/Dev,验证了TFT的均一性和重复性。此外还研究了可见光照和电压偏应力对IGZO TFT性能的影响,可见光照不会促使IGZO TFT Vth的漂移,进行2 h的负偏电压应力测试,IGZO TFT的Vth几乎没有漂移。使用上述IGZO TFT基板成功地制作了中国大陆第一款Oxide-LCD样机(18.5英寸),展现出良好的效果。; 关键词金属氧化物薄膜晶体管铟镓锌氧化物半导体高迁移率高性能; Keywords Metal-oxide thin film transistor, IGZO semiconductor, High mobility, High stability; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微胶囊电泳显示与TFT-LCD之比较分析被引量：5: 5; 作者李文波徐征张卓王刚邵喜斌刘宏宇李云飞; 机构北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室京东方科技集团股份有限公司技术研发中心; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期576-581,共6页; 基金国家"863"计划资助项目(No.2008AA03A334) 中国博士后科学基金资助项目(No.20090460265) +3 种基金国家自然科学基金(No.10974013 No.10774013) 国家"973"项目(No.2010CB327704); 文摘对微胶囊电泳显示与TFT-LCD显示进行了对比研究,讨论并分析了它们在显示原理、电路的驱动方式和灰阶实现、像素设计以及显示性能等多方面的不同特性,并对微胶囊电泳显示的应用前景做了简要介绍和预测。; 关键词微胶囊电泳显示 TFT—LCD显示比较分析; Keywords microencapsulated electrophoretic display l TFT-LCD display l comparative analysis; 分类号 TN27 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名表面处理对液晶显示阵列基板中黑矩阵残留的影响被引量：1: 6; 作者张锋舒适齐永莲刘震; 机构京东方科技集团股份有限公司技术研发中心; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期915-919,共5页; 基金京东方科技集团股份有限公司研发项目基金(No.2012057)~~; 文摘主要分析了黑矩阵残留程度与SiNx、SiON、SiOx等基底表面亲水特性的关系,研究了等离子体处理对基底表面亲水特性以及黑矩阵残留的影响。首先,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对黑矩阵在不同基底表面的残留颗粒大小、表面粗糙度进行了测试。然后,使用接触角测试仪对不同基底表面的亲水特性进行了表征,分析了表面亲水特性和黑矩阵残留程度的关系。最后,研究了等离子体处理条件对基底表面亲水特性的影响,提出了采用O2/He等离子体对基底表面进行改性来解决黑矩阵的残留问题。实验结果表明:基底表面的水接触角越小、亲水性越强,黑矩阵在基底表面的残留越少;O2/He等离子体表面处理使基底表面的水接触角从17°降低到3°,增强了基底表面的亲水特性,并且黑矩阵工艺之后基底表面的粗糙度从3.06nm降低到0.69nm,消除了黑矩阵的残留。; 关键词等离子体处理亲水性接触角黑矩阵; Keywords plasma treatment hydrophilicity contact angle black matrix; 分类号 O472.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钼缓冲层对钼/铜叠层结构电极特性的影响被引量：1: 7; 作者李旭远薛唯喻志农薛建设张学辉柳逢春杨伟生; 机构北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室京东方科技集团股份有限公司技术研发中心昆明物理研究所; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1-5,共5页; 基金北京市自然科学基金资助项目(4112049) 校基础研究基金项目(20110442018); 文摘采用直流磁控溅射方法制备了钼/铜叠层结构电极,其电阻率达到2.28μΩ·cm,显著低于铝钕合金的电阻率;金属钼作为缓冲层,提高了铜电极在玻璃上的附着力;钼作为阻挡层有效地阻挡了铜向非晶硅中的扩散,避免了铜对于薄膜晶体管有源层的影响。采用这种结构的电极作为大尺寸高分辨平板显示器的扫描线和数据线有望缓解信号延迟的问题。; 关键词显示技术钼铜叠层电极电阻率扩散附着力; Keywords Display technology, Mo/Cu stacked structure electrode, Resistivity, Diffusion, Adhesion; 分类号 R27 [医药卫生—中医学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名叠层方式形成彩色滤光片隔垫物的研究被引量：1: 8; 作者舒适齐永莲徐传祥张锋崔承镇; 机构京东方科技集团股份有限公司技术研发中心; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期956-960,共5页; 基金京东方科技集团股份有限公司研发项目基金(No.2013013)~~; 文摘本文研究了液晶显示面板彩色滤光片工艺中以叠层方式形成隔垫物的关键技术问题,即叠层隔垫物高度控制、主-附隔垫物段差的形成和主-附隔垫物段差受后续平坦层工艺的影响变化等,并提出了解决方案。在黑矩阵、红色、绿色、蓝色滤光层形成一定的叠层高度后,采用形貌追随型平坦化材料对像素区平坦,通过控制像素开口部分OC的厚度,可以实现叠层隔垫物高度的控制。采用改变叠层图案设计的方法形成主-副隔垫物高度差(Main-sub段差),段差达成范围是0.4~1.2μm,达到了灰阶曝光方式可以达到段差的水平,但成本却大幅降低。并且验证了采用形貌追随型OC材料覆盖可以较好的保持OC工艺前形成的Main-sub段差。基于以上技术制备了4 Mask彩色滤光片原型机。; 关键词彩色滤光片叠层隔垫物形貌追随型平坦化材料; Keywords color filter stacking photo spacer shape-following OC material; 分类号 O472.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名白色光阻材料在OGS工艺中的应用: 9; 作者冯京徐传祥张方振惠官宝张锋姚琪; 机构京东方科技集团股份有限公司技术研发中心; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期525-531,共7页; 基金京东方科技集团股份有限公司研发火种基金项目(No.FR25)~~; 文摘分析了白色光阻材料在不同温度、不同厚度和不同化学品浸泡下色度值、分辨率和附着力的变化情况。验证了白色光阻材料在OGS(One glass solution)触摸屏生产中的工艺条件。首先,关注白色光阻材料的光密度值(OD值)、分辨率、耐化性、耐高温性能以及在不同厚度下白色光阻材料的色度变化。然后对白色光阻材料和触摸屏制作工艺进行工艺整合,提出了采用白色光阻加黑矩阵的双层结构,可以保证白色光阻材料的OD值,防止后面的金属线被透视出来,其中白色光阻的厚度控制在15μm,黑矩阵的厚度在1.2μm。在后续的Photo工艺时,调整工艺参数,加大了PR的厚度并加大曝光显影时间,成功解决了这种高段差造成的金属线Open和Remain问题,并采用OGS工艺制作了白色光阻触摸屏样品。; 关键词白色光阻色度耐化性光密度; Keywords white matrix chrominance chemical resistance optical density; 分类号 O472.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	LCD触控感应技术发展趋势(英文)	白石王延峰黄敏冷长林贾勇金春梅	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2010	19	在线阅读下载PDF 职称材料
2	量子点发光在显示器件中的应用	张锋薛建设喻志农周伟峰惠官宝	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2012	26	在线阅读下载PDF 职称材料
3	TFT用掩模版与TFT-LCD阵列工艺	李文波王刚张卓胡望刘宏宇邵喜斌徐征	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	13	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究	刘翔张盛东薛建设宁策杨静王刚	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	10	在线阅读下载PDF 职称材料
5	微胶囊电泳显示与TFT-LCD之比较分析	李文波徐征张卓王刚邵喜斌刘宏宇李云飞	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2010	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	表面处理对液晶显示阵列基板中黑矩阵残留的影响	张锋舒适齐永莲刘震	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	钼缓冲层对钼/铜叠层结构电极特性的影响	李旭远薛唯喻志农薛建设张学辉柳逢春杨伟生	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	叠层方式形成彩色滤光片隔垫物的研究	舒适齐永莲徐传祥张锋崔承镇	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	白色光阻材料在OGS工艺中的应用	冯京徐传祥张方振惠官宝张锋姚琪	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料