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题名氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究
被引量：2
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作者
万云海
邹志翔
林亮
杨成绍
黄寅虎
王章涛
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机构
京东方科技集团股份有限公司合肥鑫晟工厂
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期7-13,共7页
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文摘
为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化。结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。
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关键词
氧化物半导体
薄膜晶体管液晶显示器
等离子体增强化学气相沉积法
刻蚀阻挡层
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Keywords
oxide semiconductor
TFT-LCD
plasma chemical enhanced vapor deposition
etch-stop layer
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分类号
TN141.9
[电子电信—物理电子学]
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