LED背光液晶显示器的色彩管理及其特征化方法研究 被引量：5

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作者 孙小斌 徐征 +7 位作者 刘敬伟 万丽芳 王刚 王庆江 张凯亮 张丽蕾 马丽 张福俊 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期603-606,共4页

色彩管理技术是实现色彩在各种设备之间传输和再现一致性的重要技术,它已经成为操作系统的一个重要组成部分。文章综述了基于ICC标准的色彩管理技术的原理,介绍了LED背光液晶显示器特征化的实现方法及将来的研究方向。

关键词 LED背光 液晶显示器 ICC标准 色彩管理模块 标准颜色空间

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对硅片上自组装生长的Pentacene薄膜生长机制及其结晶相态的研究

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作者 袁广才 徐征 +6 位作者 赵谡玲 张福俊 许娜 田雪雁 孙钦军 徐叙瑢 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期3092-3095,共4页

采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜,薄膜在80℃温度下经2h恒温真空热处理,通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。结果得到,在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长,其岛... 采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜,薄膜在80℃温度下经2h恒温真空热处理,通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。结果得到,在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长,其岛状直径约为100nm。且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长,台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54nm.s-1,与Pentacene分子的沿长轴方向的长度相近。从Pentacene薄膜的XRD图谱中可以看出,薄膜在形成的过程中会因条件的不同而形成不同的结晶相,分别为薄膜相和三斜体相,且薄膜的结晶相将随着薄膜厚度的增加向三斜体相转变,其临界厚度为80和150nm,当薄膜大于150nm时,薄膜的三斜体相占主导地位,而当Pentacene薄膜的厚度小于80nm时,Pentacene薄膜呈薄膜相存在。 展开更多

关键词 Pentacene薄膜 梯田岛状生长 薄膜的生长机制 结晶相态

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大尺寸液晶电视用LED背光源的设计与制作 被引量：36

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作者 刘敬伟 王刚 +4 位作者 马丽 张凯亮 张丽蕾 王庆江 万丽芳 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期539-544,共6页

设计和制作了一款66cm(26in)液晶电视用LED背光源。模拟出LED的光学分布,以此为基础模拟出LED阵列的光强和颜色分布,得到适合的背光源厚度尺寸。在实际制作中,采用高效的驱动电路对LED阵列进行驱动,利用铝制散热片为背光源提供必须的散... 设计和制作了一款66cm(26in)液晶电视用LED背光源。模拟出LED的光学分布,以此为基础模拟出LED阵列的光强和颜色分布,得到适合的背光源厚度尺寸。在实际制作中,采用高效的驱动电路对LED阵列进行驱动,利用铝制散热片为背光源提供必须的散热。测试的结果,在整体背光源功耗为150W时,中心亮度达到13390cd/m2,均匀度为84.1%,色彩还原性达到NTSC标准102%,远远超过CCFL背光源的70%。 展开更多

关键词 LED 背光源 液晶电视

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a-Si：H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响 被引量：5

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作者 李云飞 王永生 +4 位作者 张晓龙 刘宏宇 王刚 邵喜斌 何大伟 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期572-577,共6页

对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计... 对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值。 展开更多

关键词 OLED 有源驱动 存储电容 充电率

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PVK三线态激基复合物的发光及其受紫外光辐照的影响 被引量：4

5

作者 孙力 邵喜斌 +1 位作者 钱磊 赵谡玲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期331-336,共6页

用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即... 用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即在PVK分子中相邻咔唑基团重叠程度。通过比较不同紫外辐照剂量后的PVK器件的发光,发现适度的UV辐照后的PVK分子构型中相邻咔唑基团处于全重叠的状态增加,在电致发光时会形成更多的三线态激子,因而提高了PLED器件的发光效率。 展开更多

关键词 聚合物电致发光二极管 电致发光 三线态

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基于LED背光源区域控制的LCD系统色域分析 被引量：2

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作者 李福文 金伟其 +2 位作者 邵喜斌 张丽蕾 万丽芳 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1371-1375,共5页

介绍了液晶显示(LCD)系统普遍使用的色域计算方法。针对LCD系统的色域主要由背光源的光谱特性、彩膜的光谱透过率特性和液晶面板的特性三个方面的因素决定,采用LED作为背光源来提高系统整体的色彩表现能力,利用色度学的方法,通过对LED... 介绍了液晶显示(LCD)系统普遍使用的色域计算方法。针对LCD系统的色域主要由背光源的光谱特性、彩膜的光谱透过率特性和液晶面板的特性三个方面的因素决定,采用LED作为背光源来提高系统整体的色彩表现能力,利用色度学的方法,通过对LED背光源光谱的分析计算,比较了有无区域控制的背光源经过彩膜后系统色域的大小,并分析了液晶面板对比度的变化分别对两种模式下背光源色域的影响情况。分析和计算结果表明:采用区域控制的LED背光源可以改善由于彩膜性能的不完善所引起的再现三基色色彩饱和度降低的现象,同时该模式下系统色域受液晶面板对比度变化的影响很小,即降低了系统色域对彩膜性能和液晶面板性能的要求,因此对于提高现有LCD系统的色域具有非常重要的意义。 展开更多

关键词 液晶显示 色域 光谱分析 区域控制 LED背光源

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一种侧光式LED背光源的电路设计 被引量：2

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作者 李秀真 许燕文 +2 位作者 万丽芳 王庆江 赵星星 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期250-252,共3页

设计了一款侧光式LED背光源。LED阵列选择长条式设计,用铝基板加工制作。驱动模块采用升压转换器,支持过压保护。控制模块通过单片机产生PWM波对LED灯条进行亮度控制。所设计的背光源电路简单,支持按键式调光,中、大尺寸LED背光源均可... 设计了一款侧光式LED背光源。LED阵列选择长条式设计,用铝基板加工制作。驱动模块采用升压转换器,支持过压保护。控制模块通过单片机产生PWM波对LED灯条进行亮度控制。所设计的背光源电路简单,支持按键式调光,中、大尺寸LED背光源均可借鉴使用。 展开更多

关键词 LED背光 CCFL 色彩还原性 单片机

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利用CF_4等离子体制作高开口率TFT-LCD(英文) 被引量：3

8

作者 金奉柱 崔瑩石 +4 位作者 劉聖烈 張炳鉉 柳在一 李禹奉 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期409-413,共5页

为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀... 为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。 展开更多

关键词 TFT—LCD 开口率 刻蚀 CF4等离子体

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基于PenTile RGBW^(TM)算法的高像素密度a-Si TFT移动液晶显示屏(英文) 被引量：3

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作者 全眞永 姜昌憲 +2 位作者 安星俊 田正牧 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期474-477,共4页

采用传统的移动设备设计规则,基于PenTile RGBWTM算法开发了a-Si TFT移动液晶显示屏。将AFFS模式和PenTile RGBWTM算法相结合,制作的TFT液晶屏获得了超过200 cd/ m2的高亮度,500∶1的高对比度,以及达到VGA标准,可以清晰显示互联网网页... 采用传统的移动设备设计规则,基于PenTile RGBWTM算法开发了a-Si TFT移动液晶显示屏。将AFFS模式和PenTile RGBWTM算法相结合,制作的TFT液晶屏获得了超过200 cd/ m2的高亮度,500∶1的高对比度,以及达到VGA标准,可以清晰显示互联网网页的高分辨率。 展开更多

关键词 液晶显示器 A-SI TFT 分辨率 AFFS PenTile RGBW^TM 移动

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用Al或Mo /Al /Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法(英文) 被引量：2

10

作者 劉聖烈 崔螢石 +3 位作者 金奉柱 柳在一 李禹奉 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期501-505,共5页

为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果... 为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。 展开更多

关键词 液晶显示器 腐蚀 Al Mo/Al/Mo 等离子体处理

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利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅(英文) 被引量：2

11

作者 金聖雄 金原奭 +2 位作者 柳在一 李禹奉 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期433-438,共6页

成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳... 成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅。利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si∶H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅。为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率。室温下,电导率从非晶硅的10-10S/cm增加到10-5S/cm。 展开更多

关键词 薄膜 纳米晶硅 等离子增强化学汽相沉积 电导率

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移动液晶显示屏用集成a-Si行驱动电路技术(英文)

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作者 柳世鍾 金炫辰 +4 位作者 洪光杓 安星俊 金天弘 田正牧 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期557-560,共4页

利用标准TFT工艺,开发了集成a-Si行驱动(ARD)电路技术的5 .08 cm(2 .0 in)和4 .57 cm(1 .8 in)移动液晶显示屏。通过整合RGBWPenTile矩阵技术和AFFS技术,可以获得很低功耗;应用球形玻璃纤维和优化的电路能够得到非常窄的暗区。综合运用... 利用标准TFT工艺,开发了集成a-Si行驱动(ARD)电路技术的5 .08 cm(2 .0 in)和4 .57 cm(1 .8 in)移动液晶显示屏。通过整合RGBWPenTile矩阵技术和AFFS技术,可以获得很低功耗;应用球形玻璃纤维和优化的电路能够得到非常窄的暗区。综合运用上述技术,我们就有可能将ARD面板运用于移动液晶显示屏。 展开更多

关键词 LCD a—Si行驱动 驱动电路

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Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响(英文)

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作者 金原奭 金聖雄 +3 位作者 崔大林 柳在一 李禹奉 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期424-427,共4页

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-... 为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻。经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300Ω,而且没有ACX引起的问题出现。 展开更多

关键词 ITO Al-C—N 接触电阻 组分

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获得精细通孔图形的光刻技术改进(英文)

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作者 宋泳锡 劉聖烈 +3 位作者 柳在一 張炳鉉 李禹奉 李貞烈 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期447-450,共4页

为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺，而不需要改变Eop和显影时间，就可以将通孔图形的... 为了获得更高性能的TFT—LCD面板，在光刻时保证精细的图形成像十分重要，其中，如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中，我们只简单地改变了一下烘烤工艺，而不需要改变Eop和显影时间，就可以将通孔图形的尺寸减小20％～25oA。在后续的刻蚀工艺中，通孔的尺寸能显著减小。 展开更多

关键词 TFT—LCD 光刻 通孔图形 尺寸

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