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应用低介电材料丙烯酸酯树脂作为TFT-LCD的钝化层材料(英文) 被引量：3: 1; 作者周伟峰薛建设 +6 位作者明星刘翔郭建谢振宇赵承潭陈旭闵泰烨《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期19-22,共4页; 将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中。与传统的SiNx薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显... 展开更多; 关键词薄膜晶体管液晶显示器低介电常数丙烯酸酯树脂钝化层; 在线阅读下载PDF 职称材料

有机绝缘层材料聚(4-乙烯基苯酚)喷墨打印工艺研究被引量：4: 2; 作者何慧王刚 +4 位作者赵谡玲刘则侯文军代青徐征《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期590-594,共5页; 通过压电喷墨打印方式在氧化铟锡(ITO)玻璃上直接图案化打印聚(4-乙烯基苯酚)(PVP),研究了不同浓度PVP的电学特性,从电容、漏电流、击穿场强几个方面进行了分析。结果表明,采用打印方式得到的PVP绝缘层在0～40V的外加电压下,漏电流密度... 展开更多; 关键词聚(4乙烯基苯酚) 喷墨打印有机薄膜晶体管绝缘层; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律(英文) 被引量：3: 3; 作者周伟峰薛建设 +5 位作者金基用刘翔明星郭建陈旭闵泰烨《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期165-169,共5页; 通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善。狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著。考虑... 展开更多; 关键词薄膜晶体管液晶显示器沟道设计四次掩膜曝光; 在线阅读下载PDF 职称材料

在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究被引量：6: 4; 作者黎午升惠官宝 +4 位作者崔承镇史大为郭建孙双薛建设《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期544-547,共4页; 实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩... 展开更多; 关键词相移掩膜等间隔线模拟曝光容限解像力; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用低介电材料丙烯酸酯树脂作为TFT-LCD的钝化层材料(英文) 被引量：3: 1; 作者周伟峰薛建设明星刘翔郭建谢振宇赵承潭陈旭闵泰烨; 机构京东方科技集团技术研发中心北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期19-22,共4页; 文摘将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中。与传统的SiNx薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本。; 关键词薄膜晶体管液晶显示器低介电常数丙烯酸酯树脂钝化层; Keywords TFT LCD low dielectric constant acrylate resin passivation layer; 分类号 O436.1 [机械工程—光学工程] TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名有机绝缘层材料聚(4-乙烯基苯酚)喷墨打印工艺研究被引量：4: 2; 作者何慧王刚赵谡玲刘则侯文军代青徐征; 机构北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室京东方科技集团技术研发中心; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期590-594,共5页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)(No.2010CB327704) 教育部新世纪优秀人才支持计划(No.NCET-10-0220) +5 种基金北京市自然科学基金(No.1102028) 北京交通大学基础科研业务费(No.2010JBZ003); 文摘通过压电喷墨打印方式在氧化铟锡(ITO)玻璃上直接图案化打印聚(4-乙烯基苯酚)(PVP),研究了不同浓度PVP的电学特性,从电容、漏电流、击穿场强几个方面进行了分析。结果表明,采用打印方式得到的PVP绝缘层在0～40V的外加电压下,漏电流密度在10-11～10-8 A/cm2范围内,为打印方式制备高性能交联PVP(CL-PVP)介电层提供了必要的参考。; 关键词聚(4乙烯基苯酚) 喷墨打印有机薄膜晶体管绝缘层; Keywords poly（4-vinylphenol）； inkjet print； organic thin film transistor； dielectrics; 分类号 TN321.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律(英文) 被引量：3: 3; 作者周伟峰薛建设金基用刘翔明星郭建陈旭闵泰烨; 机构京东方科技集团技术研发中心北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期165-169,共5页; 文摘通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善。狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著。考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免。; 关键词薄膜晶体管液晶显示器沟道设计四次掩膜曝光; Keywords TFT-LCD channel design four mask; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究被引量：6: 4; 作者黎午升惠官宝崔承镇史大为郭建孙双薛建设; 机构京东方科技集团TFT-LCD技术研发中心北京京东方光电科技有限公司; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期544-547,共4页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)项目(No.2014AA032701); 文摘实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5μm等间隔线的光强分布。根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角。实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性。使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力。; 关键词相移掩膜等间隔线模拟曝光容限解像力; Keywords phase shift mask equidistant lines simulation exposure margin resolution; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	应用低介电材料丙烯酸酯树脂作为TFT-LCD的钝化层材料(英文)	周伟峰薛建设明星刘翔郭建谢振宇赵承潭陈旭闵泰烨	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2011	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	有机绝缘层材料聚(4-乙烯基苯酚)喷墨打印工艺研究	何慧王刚赵谡玲刘则侯文军代青徐征	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2012	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律(英文)	周伟峰薛建设金基用刘翔明星郭建陈旭闵泰烨	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2011	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究	黎午升惠官宝崔承镇史大为郭建孙双薛建设	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料