脉冲激光沉积法制备VO_2热致变色薄膜研究进展 被引量：4

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作者 李毅 王海方 +4 位作者 俞晓静 黄毅泽 张虎 张伟 朱慧群 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期83-88,共6页

基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO2薄膜材料具有较大的应用潜力。本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO2薄膜材料的工... 基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO2薄膜材料具有较大的应用潜力。本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO2薄膜材料的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行对比,给出脉冲激光沉积掺杂对VO2薄膜材料特性的影响,以及采用脉冲激光沉积制备VO2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备具有智能特性的VO2薄膜材料存在的问题和发展方向。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 VO2 薄膜 制备 掺杂

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二氧化钒纳米点阵红外光学特性研究 被引量：3

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作者 俞晓静 李毅 +4 位作者 王海方 黄毅泽 张虎 张伟 朱慧群 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1120-1124,共5页

针对二氧化钒纳米点阵从半导体到金属的可逆相变,考虑到点阵中各个点之间散射光的交互作用,基于VO2在不同温度和波长下的折射率和消光系数,以及小颗粒的吸收和散射特性,建立了VO2纳米颗粒的数学模型,研究了VO2纳米颗粒的相变光学特性.... 针对二氧化钒纳米点阵从半导体到金属的可逆相变,考虑到点阵中各个点之间散射光的交互作用,基于VO2在不同温度和波长下的折射率和消光系数,以及小颗粒的吸收和散射特性,建立了VO2纳米颗粒的数学模型,研究了VO2纳米颗粒的相变光学特性.结果表明,随着波长变化,吸收截面相对散射截面占主导,金属相在980nm附近出现吸收峰值;随着温度变化,可见光区域的消光系数变化较小,而红外区域较大,其中在近红外区域的消光系数变化最大.在纳米点阵中,消光截面随着颗粒间距变化,当颗粒间距增大时,消光峰值出现红移,且峰值大小也会随之增大;当间距超过一定数值后,峰值反而会逐渐减小.采用多孔氧化铝掩模的方法,通过磁控反应溅射制备VO2纳米点阵,测试结果表明其透过率比薄膜的透过率高. 展开更多

关键词 二氧化钒 纳米颗粒 纳米点阵 散射截面 吸收截面

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分层沉积GaAs/SiO_2纳米薄膜的结构和吸收光谱

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作者 朱慧群 丁瑞钦 +1 位作者 王忆 吴桐庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期630-634,共5页

应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米... 应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米薄膜的微观结构和光学性质有明显的影响。本文对相关机理作了探讨。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 GaAs/SiO2纳米薄膜 氢掺杂 吸收光谱

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掺铒硅基材料发光的研究进展

4

作者 丁瑞钦 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第2期15-17,20,共4页

对近几年来几种掺饵硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提出自己的一些看法。

关键词 硅基材料 铒 能量转移 掺杂 光致发光 电致发光 氢化非晶硅 富硅二氧化硅 晶体硅 多晶硅

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氢对GaAs薄膜的钝化作用 被引量：4

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作者 朱慧群 丁瑞钦 胡怡 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1194-1198,共5页

报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响。对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析．结果表... 报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响。对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析．结果表明，衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显增加，说明氢在衬底温度500℃～520℃下对薄膜有重要的钝化作用。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 GaAs薄膜 氢钝化 激子峰 光致荧光谱

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磷扩散法制备p型ZnO薄膜 被引量：3

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作者 丁瑞钦 朱慧群 +5 位作者 曾庆光 林民生 冯文胜 梁毅斌 梁满堂 梁达荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期859-862,共4页

应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤... 应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜。电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018/cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成。 展开更多

关键词 磷扩散 P型ZNO薄膜 磁控溅射 异质ZnOp-n结

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制备工艺对p型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响 被引量：1

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作者 丁瑞钦 陈毅湛 +6 位作者 朱慧群 黎扬钢 丁晓贵 杨柳 黄鑫钿 齐德备 谭军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1237-1241,1272,共6页

本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的p型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究。研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系。文章对这些关系的机理做了探讨... 本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的p型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究。研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系。文章对这些关系的机理做了探讨和分析。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 工艺条件 微观结构 电学特性

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衬底离子束表面氮化对ZnO薄膜性质的影响

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作者 朱慧群 丁瑞钦 +1 位作者 姚若河 吴桐庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期123-125,共3页

采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响。在衬底... 采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响。在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3∶1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 离子束轰击 衬底表面氮化

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磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索

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作者 丁瑞钦 曾庆光 +3 位作者 陈毅湛 朱慧群 丁晓贵 齐德备 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期490-493,510,共5页

在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺。结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的... 在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺。结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关。 展开更多

关键词 P型ZNO薄膜 磷扩散法 磁控溅射工艺

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射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征

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作者 朱慧群 丁瑞钦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期515-519,共5页

以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜。利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱... 以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄膜。利用X射线衍射、四探针、原子力显微镜、吸收光谱和光致荧光光谱等实验分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和光电特性进行了分析表征。结果表明,氮对ZnO薄膜的缺陷有明显的钝化作用,气体组分、溅射功率是影响ZnO薄膜沿C轴择优取向生长、结构特征和光电性质的重要因素。 展开更多

关键词 射频磁控溅射 ZNO薄膜 气体组分 氮钝化

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980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器 被引量：8

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作者 李毅 黄毅泽 +4 位作者 王海方 俞晓静 张虎 张伟 朱慧群 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1468-1475,共8页

提出了优化由两个均匀布拉格光纤光栅组成的980nm半导体激光器波长锁定器的方法以满足光纤放大器对半导体激光器的性能要求。运用耦合模理论推导了双布拉格光纤光栅(FBG)的透射率和反射率的解析表达式和波长锁定器增益方程。研究了两光... 提出了优化由两个均匀布拉格光纤光栅组成的980nm半导体激光器波长锁定器的方法以满足光纤放大器对半导体激光器的性能要求。运用耦合模理论推导了双布拉格光纤光栅(FBG)的透射率和反射率的解析表达式和波长锁定器增益方程。研究了两光栅之间的距离、光栅到激光器前端面的距离、光栅折射率、光栅折射率周期、光栅栅长和温度对激光器增益曲线的影响,并通过优化这些参数来达到最佳的锁模性能。测量了带双FBG波长锁定器的非致冷半导体激光器的输出光谱和出纤功率。实验结果表明:高功率非致冷980nm半导体激光器在0～70℃时的波长漂移为0.5nm,边模抑制比达45dB以上,半峰值全宽度<1nm。经优化设计的980nm半导体激光器FBG波长锁定器可满足光纤放大器对非致冷半导体激光器大功率、长寿命、高可靠性、小尺寸等性能的要求。 展开更多

关键词 980nm半导体激光器 双布拉格光纤光栅 波长锁定器 边模抑制比

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紫外衍射微透镜阵列的设计与制备 被引量：2

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作者 张伟 李毅 +3 位作者 张虎 黄毅泽 朱慧群 孙若曦 《上海理工大学学报》 CAS 北大核心 2011年第2期174-178,共5页

通过研究互相关联的光学和工艺参数,用标量衍射理论设计了用于128×1日盲型紫外探测器的衍射微透镜阵列,其工作中心波长为400 nm,单元透镜F数为f/5,f为焦距.采用组合多层镀膜和剥离的工艺方法制备微透镜阵列,对工艺流程和制备误差... 通过研究互相关联的光学和工艺参数,用标量衍射理论设计了用于128×1日盲型紫外探测器的衍射微透镜阵列,其工作中心波长为400 nm,单元透镜F数为f/5,f为焦距.采用组合多层镀膜和剥离的工艺方法制备微透镜阵列,对工艺流程和制备误差进行了分析,对制备出的128×1的衍射微透镜阵列的光学性能进行测量和分析.实验结果表明,衍射微透镜阵列的衍射效率为87%.制备误差主要来自对准误差和线宽误差.紫外衍射微透镜阵列的整体性能满足了微透镜阵列与紫外焦平面阵列的单片集成要求. 展开更多

关键词 紫外 微透镜阵列 菲涅尔波带片 组合多层镀膜与剥离

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激光Z扫描测量技术 被引量：1

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作者 杨恢东 丁瑞钦 王浩 《激光技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期195-202,共8页

激光Z扫描测量技术因装置简单、灵敏度高已成为材料光学非线性研究的一种重要手段 ,并随着其广泛应用而取得了较大的发展。作者采用分类综述的方法 ,对近年来激光Z扫描测量技术在实验与理论领域取得的进展进行了全面的论述与评价。

关键词 激光Z扫描测量 光学非线性 材料光学

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