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硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响被引量：4: 1; 作者史冰川董俊 +3 位作者李昆黄磊亢若谷邱建备《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期513-516,485,共5页; 本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,... 展开更多; 关键词硅芯杂质分凝杂质挥发坩埚污染; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展被引量：5: 2; 作者毛智慧周文韬 +2 位作者田琦赵建为金波《化学分析计量》 CAS 2015年第2期102-105,共4页; 综述了晶体硅材料中杂质元素含量测定的分析方法研究进展。晶体硅材料中杂质元素的分析方法主要包括红外吸收法、二次离子质谱法、中子活化分析法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法、X射线光谱分析及其它分析方法,引用文献41篇。; 关键词晶体硅杂质分析方法综述; 在线阅读下载PDF 职称材料

分子直径法计算相对校正因子在气相色谱法测定三氯氢硅含量中的应用: 3; 作者于晓艳陶明 +4 位作者左世芳杨红燕李亚娜张永凤赵建为《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期183-186,共4页; 在气相色谱法测定三氯氢硅含量中,采用分子直径法,以四氯化硅为标准物,计算氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅在热导检测器上的相对校正因子,并以氦气为载气,测定三氯氢硅对四氯化硅的相对质量校正因子。未采用分子直径法得到的相对质量校... 展开更多; 关键词分子直径法气相色谱法三氯氢硅相对校正因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

毛细管柱气相色谱法测定氢气中的氯化氢被引量：3: 4; 作者于晓艳杨红燕 +4 位作者卢菊花赵建为李剑南王桃萍任国扬《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期86-87,共2页; 多晶硅生产中,干法回收氢气作为原料还原剂和载流气体，若其中氯化氢含量高，则在多晶硅生产过程的前期可能出现倒炉现象，后期可能出现磷超标现象，严重影响多晶硅的质量。因此需对回收氢气中的氯化氢进行测定。; 关键词毛细管柱气相色谱法回收氢气氯化氢测定生产过程多晶硅超标现象还原剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚硫酸钾配位剂及工艺参数对电镀金层热反射率及其他性能的影响被引量：1: 5; 作者亢若谷畅玢 +2 位作者曹梅龙晋明朱晓云《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1-4,6,共4页; 多晶硅生产的还原炉壁体热反射率的高低对电能消耗有很大的影响,过去,少有相关的研究报道。使用亚硫酸盐体系对还原炉内壁电镀金,研究了镀金电流密度、镀覆时间等对镀金层光亮度、热反射率的影响;探讨了镀液中配位剂亚硫酸钾浓度对镀层... 展开更多; 关键词亚硫酸盐镀金亚硫酸钾配位剂镀层光亮度热反射率显微硬度电流效率沉积速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

DELTA-F库仑式微量氧分析仪取样管线改造: 6; 作者李亚娜张永凤 +2 位作者杨红燕卢菊花王桃萍《低温与特气》 CAS 2016年第2期46-48,共3页; 介绍了DELTA-F库仑式微量氧分析仪的分析原理、结构特点及其在多晶硅生产中的应用情况。通过对取样管线的改进,解决了测量中存在的问题,更好的满足了生产需求。; 关键词 DELTA-F微量氧分析仪管线改造; 在线阅读下载PDF 职称材料

电感耦合等离子体发射光谱法同时测定工业盐中的11种元素: 7; 作者钱津旺毛智慧 +2 位作者杨红燕张云晖陶明《化学分析计量》 CAS 2018年第4期43-46,共4页; 建立了电感耦合等离子体发射光谱法测定工业盐中的硅、钙、镁、铁、钾、铝、钡、锶、锰、铅和镍11种杂质元素的含量。采用硝酸溶液、氢氟酸溶液和水溶解样品,采用耐氢氟酸惰性进样系统直接进样。在最佳实验工作条件下,11种杂质元素在各... 展开更多; 关键词电感耦合等离子体发射光谱法工业盐杂质元素; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响被引量：4: 1; 作者史冰川董俊李昆黄磊亢若谷邱建备; 机构昆明理工大学材料科学与工程学院昆明冶研新材料股份有限公司云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期513-516,485,共5页; 基金云南省科技厅省院省校科技合作专项资助项目(2014IB003); 文摘本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,采用区熔硅芯能在一定程度上降低硅芯对硅棒的杂质贡献。; 关键词硅芯杂质分凝杂质挥发坩埚污染; Keywords silicon filament impurity segregation impurity evaporation crucible contamination; 分类号 O77 [理学—晶体学] TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展被引量：5: 2; 作者毛智慧周文韬田琦赵建为金波; 机构昆明冶研新材料股份有限公司云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室; 出处《化学分析计量》 CAS 2015年第2期102-105,共4页; 文摘综述了晶体硅材料中杂质元素含量测定的分析方法研究进展。晶体硅材料中杂质元素的分析方法主要包括红外吸收法、二次离子质谱法、中子活化分析法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法、X射线光谱分析及其它分析方法,引用文献41篇。; 关键词晶体硅杂质分析方法综述; Keywords crystalline silicon impurity element analytical method review; 分类号 O655 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名分子直径法计算相对校正因子在气相色谱法测定三氯氢硅含量中的应用: 3; 作者于晓艳陶明左世芳杨红燕李亚娜张永凤赵建为; 机构昆明冶研新材料股份有限公司云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室; 出处《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期183-186,共4页; 文摘在气相色谱法测定三氯氢硅含量中,采用分子直径法,以四氯化硅为标准物,计算氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅在热导检测器上的相对校正因子,并以氦气为载气,测定三氯氢硅对四氯化硅的相对质量校正因子。未采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.891,采用分子直径法得到的相对质量校正因子为0.915,两者相对误差为1.13%。; 关键词分子直径法气相色谱法三氯氢硅相对校正因子; Keywords Molecular diameter method GC Trichlorosilane Relative mass correction factor; 分类号 O657.7 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名毛细管柱气相色谱法测定氢气中的氯化氢被引量：3: 4; 作者于晓艳杨红燕卢菊花赵建为李剑南王桃萍任国扬; 机构昆明冶研新材料股份有限公司; 出处《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期86-87,共2页; 文摘多晶硅生产中,干法回收氢气作为原料还原剂和载流气体，若其中氯化氢含量高，则在多晶硅生产过程的前期可能出现倒炉现象，后期可能出现磷超标现象，严重影响多晶硅的质量。因此需对回收氢气中的氯化氢进行测定。; 关键词毛细管柱气相色谱法回收氢气氯化氢测定生产过程多晶硅超标现象还原剂; 分类号 O657.7 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚硫酸钾配位剂及工艺参数对电镀金层热反射率及其他性能的影响被引量：1: 5; 作者亢若谷畅玢曹梅龙晋明朱晓云; 机构昆明冶研新材料股份有限公司云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室昆明理工大学材料科学与工程学院昆明理工大学理学院; 出处《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1-4,6,共4页; 文摘多晶硅生产的还原炉壁体热反射率的高低对电能消耗有很大的影响,过去,少有相关的研究报道。使用亚硫酸盐体系对还原炉内壁电镀金,研究了镀金电流密度、镀覆时间等对镀金层光亮度、热反射率的影响;探讨了镀液中配位剂亚硫酸钾浓度对镀层显微硬度、沉积速率及阴极电流效率的影响。结果表明:电流密度为0.4A/dm2,镀覆时间为10 min时镀金层外观质量最好,亚硫酸钾浓度为100 g/L时镀金层的显微硬度、阴极电流效率和沉积速率达到最大值;镀金层的光亮度与电流密度和镀覆时间有很大关系;镀金层的热反射率比不锈钢基体的高,光亮镀层的热反射率比半光亮镀层的高;镀液中亚硫酸钾含量的变化使得镀金层的显微硬度和沉积速率发生了改变。; 关键词亚硫酸盐镀金亚硫酸钾配位剂镀层光亮度热反射率显微硬度电流效率沉积速率; Keywords gold electroplating potassium sulfite complexing agent brightness of coating heat resistivity microhardness current efficiency deposition rate; 分类号 TQ153.18 [化学工程—电化学工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名DELTA-F库仑式微量氧分析仪取样管线改造: 6; 作者李亚娜张永凤杨红燕卢菊花王桃萍; 机构昆明冶研新材料股份有限公司云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室; 出处《低温与特气》 CAS 2016年第2期46-48,共3页; 文摘介绍了DELTA-F库仑式微量氧分析仪的分析原理、结构特点及其在多晶硅生产中的应用情况。通过对取样管线的改进,解决了测量中存在的问题,更好的满足了生产需求。; 关键词 DELTA-F微量氧分析仪管线改造; Keywords DELTA-F coulomb micro oxygen analyzer transformation of sampling pipeline; 分类号 TH83 [机械工程—精密仪器及机械] TQ127.2 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电感耦合等离子体发射光谱法同时测定工业盐中的11种元素: 7; 作者钱津旺毛智慧杨红燕张云晖陶明; 机构云南冶金云芯硅材股份有限公司; 出处《化学分析计量》 CAS 2018年第4期43-46,共4页; 文摘建立了电感耦合等离子体发射光谱法测定工业盐中的硅、钙、镁、铁、钾、铝、钡、锶、锰、铅和镍11种杂质元素的含量。采用硝酸溶液、氢氟酸溶液和水溶解样品,采用耐氢氟酸惰性进样系统直接进样。在最佳实验工作条件下,11种杂质元素在各自的检测范围内线性关系良好,相关系数均大于0.999,方法的检出限为0.01～4.00 ng/mL。测定结果的相对标准偏差为2.35%～8.72%(n=11),样品加标回收率为88.6%～105.1%。该方法操作简便,测定结果准确、可靠,稳定性好,适用于工业盐中11种杂质元素的测定。; 关键词电感耦合等离子体发射光谱法工业盐杂质元素; Keywords inductively coupled plasma atomic emission spectrometry industrial salt impurity element; 分类号 O657.31 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响	史冰川董俊李昆黄磊亢若谷邱建备	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展	毛智慧周文韬田琦赵建为金波	《化学分析计量》 CAS	2015	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	分子直径法计算相对校正因子在气相色谱法测定三氯氢硅含量中的应用	于晓艳陶明左世芳杨红燕李亚娜张永凤赵建为	《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	毛细管柱气相色谱法测定氢气中的氯化氢	于晓艳杨红燕卢菊花赵建为李剑南王桃萍任国扬	《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	亚硫酸钾配位剂及工艺参数对电镀金层热反射率及其他性能的影响	亢若谷畅玢曹梅龙晋明朱晓云	《材料保护》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	DELTA-F库仑式微量氧分析仪取样管线改造	李亚娜张永凤杨红燕卢菊花王桃萍	《低温与特气》 CAS	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	电感耦合等离子体发射光谱法同时测定工业盐中的11种元素	钱津旺毛智慧杨红燕张云晖陶明	《化学分析计量》 CAS	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料