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提升乡村教师信息素养的理论述评与思考 被引量:2
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作者 赵治红 陈凯 《无线互联科技》 2019年第9期160-161,共2页
教育信息化2.0时代的到来,要求教师应具备更高的信息素养,乡村教师的信息素养早已成为专家学者们所关注的话题。文章通过梳理近5年来与提升乡村教师信息素养研究相关的文献,对文献进行了分类述评,并对提升乡村教师信息素养的研究进行了... 教育信息化2.0时代的到来,要求教师应具备更高的信息素养,乡村教师的信息素养早已成为专家学者们所关注的话题。文章通过梳理近5年来与提升乡村教师信息素养研究相关的文献,对文献进行了分类述评,并对提升乡村教师信息素养的研究进行了思考与探讨。 展开更多
关键词 乡村教师 信息素养 理论述评
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一种反射型超表面太赫兹宽带极化转换器设计 被引量:1
2
作者 徐瑞 王伟 +1 位作者 陈顺荣 杨宋源 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期280-283,共4页
提出了一种宽带的反射型超表面太赫兹极化转换器,其单元结构由主“I”型和两个附加“C”型构成,在较宽频带及较大斜入射角范围,可将入射的线极化波高效地转换为交叉极化波。仿真结果表明,极化转换器工作在1.05~2.45THz的频率范围内,相... 提出了一种宽带的反射型超表面太赫兹极化转换器,其单元结构由主“I”型和两个附加“C”型构成,在较宽频带及较大斜入射角范围,可将入射的线极化波高效地转换为交叉极化波。仿真结果表明,极化转换器工作在1.05~2.45THz的频率范围内,相对带宽为80%,极化转换效率达到90%以上;若太赫兹波入射角在40°以内,极化转换效率仍保持在80%以上。给出了反射型超表面极化转换器的设计原理,并结合谐振点的表面电流分布分析了极化转换器的工作机理。所设计的高效反射型极化转换超表面,在太赫兹波极化选择控制方面有潜在应用价值。 展开更多
关键词 极化转换器 反射型 太赫兹 超表面
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一种双频带太赫兹超材料吸收体传感器
3
作者 李晶晶 王伟 +1 位作者 孙浩 杨宋源 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期284-287,共4页
提出了一种基于聚酰亚胺柔性材料衬底上四个开口谐振环的双频带太赫兹超材料吸收体传感器,该传感器在0.2968THz和0.5992THz处产生两个近完美的吸收峰,吸收率高达99.96%,其Q因子分别为29.7和42.8。在模拟分析吸收体的工作机理基础上,研... 提出了一种基于聚酰亚胺柔性材料衬底上四个开口谐振环的双频带太赫兹超材料吸收体传感器,该传感器在0.2968THz和0.5992THz处产生两个近完美的吸收峰,吸收率高达99.96%,其Q因子分别为29.7和42.8。在模拟分析吸收体的工作机理基础上,研究了吸收体作为折射率传感器的传感性能。当分析物层厚度为50μm,折射率在1-1.8范围内变化,两个吸收峰的折射率灵敏度分别为56.4GHz/RIU和121.8GHz/RIU。该吸收体传感器具有较好的太赫兹传感性能,在生物医学检测方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 太赫兹超材料 吸收体传感器 折射率灵敏度 双频带
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基于IPD工艺的高选择性带通滤波器设计
4
作者 李宗哲 王伟 +3 位作者 杨宋源 杨女燕 王省莲 张文 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期159-162,共4页
现代通信技术的快速发展对射频滤波器的尺寸与性能提出了更高更严的要求。本文设计了一款采用GaAs IPD工艺的高选择性带通滤波器,将逆切比雪夫滤波器结构与多个谐振器结合以生成额外传输零点。对电路结构各部分原理进行了分析,采用ADS... 现代通信技术的快速发展对射频滤波器的尺寸与性能提出了更高更严的要求。本文设计了一款采用GaAs IPD工艺的高选择性带通滤波器,将逆切比雪夫滤波器结构与多个谐振器结合以生成额外传输零点。对电路结构各部分原理进行了分析,采用ADS电磁仿真软件进行滤波器电路建模与仿真验证。仿真结果表明:该带通滤波器通带2.1~3.8 GHz,通带内最小插入损耗为2.4 dB,带外抑制在DC~1.3 GHz、5~10 GHz范围内优于38 dB,且通带两侧共有四个传输零点,具有较高的选择性。 展开更多
关键词 带通滤波器 集成无源器件 砷化镓 高选择性
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颗粒填充二元复合材料等效介电特性的修正通用有效介质计算公式 被引量:6
5
作者 钟汝能 郑勤红 +1 位作者 向泰 姚斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第24期4258-4263,共6页
介电特性在复合材料的电磁效应研究和材料设计中具有重要的作用。本工作在研究传统通用有效介质(GEM,General Effective Medium)公式的局限性基础上,提出了用于预测和计算颗粒填充二元复合材料等效介电特性的修正通用有效介质(MGEM,Modi... 介电特性在复合材料的电磁效应研究和材料设计中具有重要的作用。本工作在研究传统通用有效介质(GEM,General Effective Medium)公式的局限性基础上,提出了用于预测和计算颗粒填充二元复合材料等效介电特性的修正通用有效介质(MGEM,Modified General Effective Medium)公式。运用MC-FEM(Monte Carlo-Finite Element Method)方法分析计算各种参数条件下颗粒随机填充二元复合材料的等效介电特性,并与MGEM公式计算结果进行比较,验证MGEM公式的正确性和有效性。此外,还将MGEM的预测结果与部分经典理论公式的计算结果、部分文献报道的实验测量数据进行了比较。研究表明,在不同介电常数比(1/50~50)和不同体积分数(0~1)的情况下,MGEM公式预测结果与MC-FEM模型结果完全吻合,与实验测量结果基本一致,为颗粒填充二元复合材料等效介电性能分析提供了一种具有较高计算精度的理论计算方法。 展开更多
关键词 颗粒填充二元复合材料 等效介电特性 修正通用有效介质公式 蒙特卡罗有限元方法
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InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器 被引量:2
6
作者 马晓乐 郭杰 +4 位作者 郝瑞亭 魏国帅 王国伟 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期569-575,共7页
采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面... 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 GaSb体材料 中短双色 红外探测 侧壁电阻率 低串扰
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InSb芯片表面抛光及腐蚀研究 被引量:3
7
作者 郭胜 信思树 +2 位作者 龚晓霞 袁俊 郭杰 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第2期133-138,共6页
表面抛光及腐蚀是In Sb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺。本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对In Sb形貌的影响。实验发现,在压力低于4.5 N、转速低... 表面抛光及腐蚀是In Sb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺。本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对In Sb形貌的影响。实验发现,在压力低于4.5 N、转速低于80 r/min、抛料配比为1:1、滴料速度小于1滴/s或加入氧化剂H2O2时,In Sb芯片表面"亮点"得到了有效的解决。采用自行研制的AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后In Sb芯片表面光亮、平整。经表面处理过的芯片制备而得器件所测I-V曲线得出:暗电流大幅降低,R0A为8.16×102Ω·cm2,黑体探测率D*为3.1×1010 cm·Hz1/2·W-1。 展开更多
关键词 InSb芯片 表面亮点 机械抛光 材料腐蚀
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圆柱形光子晶体微波反应腔的加热效率和均匀性研究 被引量:2
8
作者 王均委 李琳 +2 位作者 齐家瑞 郑勤红 姚斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期32-39,共8页
微波加热具有瞬时、可控、高效等优点,已被广泛应用于新材料制备、核工业、名贵药材干燥、化学反应催化、食品加热等方面。微波反应腔作为微波加热系统的关键设备,其更加合理的设计对提升微波加热的效率、均匀性、可控性都具有决定性意... 微波加热具有瞬时、可控、高效等优点,已被广泛应用于新材料制备、核工业、名贵药材干燥、化学反应催化、食品加热等方面。微波反应腔作为微波加热系统的关键设备,其更加合理的设计对提升微波加热的效率、均匀性、可控性都具有决定性意义。基于光子晶体对电磁波的布拉格散射特性,将微波波段的光子晶体引入到传统圆柱形微波反应腔中,设计了一款新型圆柱形光子晶体微波反应腔。在此基础上,仿真研究了光子晶体对加热效率和均匀性的影响规律。研究结果表明,相较传统圆柱形微波反应腔,圆柱形光子晶体微波反应腔具有更高的加热效率和均匀性。 展开更多
关键词 光子晶体 微波反应腔 加热效率 均匀性
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Sb浸润界面对InAs/InAsSb超晶格晶体结构和探测器性能的影响 被引量:1
9
作者 齐通通 郭杰 +3 位作者 王国伟 郝瑞亭 徐应强 常发然 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期86-89,共4页
采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平... 采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长了PIN型长波红外28 ML InAs/7 ML InAs0.48Sb0.52超晶格探测器材料,研究了Sb浸润界面对其表面形貌、晶体结构和光电性能的影响。结果发现:相对于无界面控制的超晶格,采用Sb浸润界面的超晶格表面更平整,表面粗糙度仅为1.28;超晶格晶体结构更完整,界面起伏明显减小,与衬底的晶格失配度由3.26%减小到2.97%。InAs/InAsSb超晶格探测器的50%截止波长为10μm,量子效率为3.1%;Sb浸润界面的超晶格具有更低的暗电流和更高的微分阻抗,-50 mV偏压下暗电流密度为0.12 A/cm^ 2,零偏阻抗面积乘积(R 0A)为0.44Ω·cm^2,计算得到探测率为5.06×10^7 cm·Hz 1/2/W。Sb浸润界面有效抑制了Sb的扩散,提高了超晶格的晶体质量和探测性能,但失配应力依然很大。这些结果为高质量长波红外InAs/InAsSb超晶格的界面生长提供了依据。 展开更多
关键词 长波红外探测器 InAs/InAsSb超晶格 分子束外延 界面生长
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钌掺杂对氧化锡纳米线的光学和气敏性能的影响 被引量:2
10
作者 郭胜 郭杰 +2 位作者 刘斌 王璐 欧全宏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A02期143-146,共4页
采用热蒸发气相沉积法,以Au为催化剂制备了Ru掺杂SnO_2(SnO_2∶Ru)纳米线。研究了SnO_2∶Ru纳米线的晶体结构、微观形貌、光学特性和气敏性能。结果显示,纳米线具有完整的金红石结构,且表面平整。SnO_2∶Ru纳米线由O、Sn和Ru构成,它们... 采用热蒸发气相沉积法,以Au为催化剂制备了Ru掺杂SnO_2(SnO_2∶Ru)纳米线。研究了SnO_2∶Ru纳米线的晶体结构、微观形貌、光学特性和气敏性能。结果显示,纳米线具有完整的金红石结构,且表面平整。SnO_2∶Ru纳米线由O、Sn和Ru构成,它们的原子分数分别为62.60%、36.49%、0.91%。Ru掺杂引入施主型杂质能级导致SnO_2纳米线禁带宽度变窄,紫外波段的吸收系数明显增加,对丙酮、乙醇、乙二醇的气敏响应明显高于纯SnO_2纳米线,对丙酮的响应灵敏度最强。SnO_2∶Ru纳米线的最佳工作温度为210℃,对丙酮的响应/恢复时间短,理论探测极限为927×10-9,适合丙酮等挥发性有害气体的检测。 展开更多
关键词 SNO2 Ru掺杂 纳米线 气敏性能
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用于天文观测的InGaAs近红外探测器性能测试方法 被引量:1
11
作者 孙佰成 郭杰 +5 位作者 许方宇 范明国 龚晓霞 项永生 凌云 张雨辰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1002-1008,共7页
基于天文红外探测器评价体系,利用改进的“光子转移曲线”测试方法,分别测试了液氮制冷和热电制冷的两款InGaAs近红外探测器的性能。NIRvana-LN光电子与输出数字量的转换因子为0.16ADU/e-,读出噪声实测值是83 e-,远高于标称值15 e-;NIRv... 基于天文红外探测器评价体系,利用改进的“光子转移曲线”测试方法,分别测试了液氮制冷和热电制冷的两款InGaAs近红外探测器的性能。NIRvana-LN光电子与输出数字量的转换因子为0.16ADU/e-,读出噪声实测值是83 e-,远高于标称值15 e-;NIRvana的高、低转换因子分别为1.25ADU/e-和0.097ADU/e-,读出噪声分别为105 e-和380 e-;NIRvana在高转换因子档下暗电流实测值是415 e-/s,大约是标称值的2倍。理论估算云南天文台两米环形望远镜在1.565μm太阳磁场测量时的信号电子数约8800 e-,在实测暗电流4.06 e-/s,像元曝光时间20 ms,读出噪声83.59 e-条件下,NIRvana-LN探测器信噪比为70。 展开更多
关键词 红外天文 InGaAs红外探测器 转换因子 读出噪声 暗电流
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晶圆级封装中硅基盖帽的湿法腐蚀工艺 被引量:1
12
作者 吴鹏 郭杰 +3 位作者 袁俊 李志华 黎秉哲 孙丽存 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期498-502,共5页
对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si〈100〉衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对腐蚀速率和形貌的影响。针对深腐蚀中掩膜易脱落的缺点,提出了一种先用等离子体增强化学气相沉积(... 对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si〈100〉衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对腐蚀速率和形貌的影响。针对深腐蚀中掩膜易脱落的缺点,提出了一种先用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积SiO2介质层,再用磁控溅射生长CrAu金属层的方法,SiO2介质层和CrAu金属层作为双层掩膜。研究结果表明:硅的腐蚀速率随温度的增加呈指数增加,在饱和NaOH溶液中腐蚀速率最快,腐蚀速率可达15μm/min。最终腐蚀出表面平整、界面清晰的硅基盖帽,盖帽空间面积为2 cm×2 cm,深度超过100μm,复合掩膜层没有开裂、脱落现象,具有优异的抗腐蚀性。该腐蚀工艺对红外焦平面阵列(IRFPA)探测器晶圆级封装具有重要的应用价值。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列(IRFPA) 晶圆级封装 湿法腐蚀 腐蚀速率 掩膜
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ZnS溅射功率对Cu2ZnSnS4薄膜附着性及太阳电池性能的影响
13
作者 王璐 郭杰 +4 位作者 郝瑞亭 顾康 刘斌 王远方舟 孙帅辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第S02期24-27,37,共5页
采用不同ZnS溅射功率,在钠钙玻璃(SLG)衬底上依次溅射Mo、ZnS、SnS及Cu,退火后制备出Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。研究了溅射功率(50~140W)对ZnS薄膜和CZTS薄膜的微观形貌、微结构以及附着性的影响。结果表明,不同功率溅射的ZnS薄膜为(008)择... 采用不同ZnS溅射功率,在钠钙玻璃(SLG)衬底上依次溅射Mo、ZnS、SnS及Cu,退火后制备出Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。研究了溅射功率(50~140W)对ZnS薄膜和CZTS薄膜的微观形貌、微结构以及附着性的影响。结果表明,不同功率溅射的ZnS薄膜为(008)择优取向的纤锌矿六方晶系结构;功率较低时,ZnS薄膜结晶质量较差;随着功率从50 W增加到140 W,ZnS薄膜内的压应力增加了一个数量级;ZnS溅射功率低于80 W或高于110 W时,退火后的CZTS薄膜发生龟裂甚至脱落;ZnS溅射功率在80~110 W时,退火后CZTS薄膜表面均匀平整;110 W溅射后的CZTS薄膜出现较多的孔洞和二次相。采用80 W功率溅射ZnS薄膜制备的CZTS/CdS太阳电池,开路电压达到572 mV,短路电流密度为14.23 mA/cm^2,光电转换效率为3.34%。 展开更多
关键词 铜锌锡硫 硫化锌 应力 附着性
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磁控溅射Sn和CuS靶制备铜锡硫薄膜电池
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作者 徐信 王书荣 +4 位作者 陆熠磊 杨帅 李耀斌 唐臻 杨洪斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1557-1564,共8页
为了验证采用金属单质靶与硫属化合物靶混合溅射法制备Cu_2Sn S_3(CTS)薄膜及太阳电池的可行性,在镀钼的钠钙玻璃上通过磁控溅射Sn和Cu S靶制备CTS预制层后,再经过低温合金化和高温硫化过程制备CTS薄膜,研究了硫化过程中不同升温速率对... 为了验证采用金属单质靶与硫属化合物靶混合溅射法制备Cu_2Sn S_3(CTS)薄膜及太阳电池的可行性,在镀钼的钠钙玻璃上通过磁控溅射Sn和Cu S靶制备CTS预制层后,再经过低温合金化和高温硫化过程制备CTS薄膜,研究了硫化过程中不同升温速率对CTS薄膜表面形貌的影响。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及配属的能谱仪(EDS)、拉曼散射(Raman)对薄膜的晶体结构、表面和截面形貌、薄膜组分、物相进行表征分析,利用紫外-可见光光度计和霍尔测试系统表征了薄膜的光电特性。在硫化升温速率为35℃/min的条件下,获得了表面致密平整且纯相的单斜结构CTS薄膜,并用CTS薄膜制备了太阳电池。随后在标准测试条件(AM1.5,100 m W/cm^2,300 K)下采用KEITHLEY的2400数字源表测试了电池的I-V特性,其开路电压为299 m V,短路电流密度为16.6 m A/cm^2,光电转换效率为1.18%。结果表明,采用磁控溅射金属单质靶Sn与硫属化合物靶Cu S有望制备出高效CTS薄膜太阳电池。 展开更多
关键词 Cu2SnS3薄膜 磁控溅射 硫化 太阳电池
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高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性
15
作者 单睿 周海春 +2 位作者 郝瑞亭 欧全宏 郭杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1510-1515,共6页
采用分子束外延技术(MBE)在Ga As衬底上外延生长高In组分(>40%)In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生长特性。结果表明:... 采用分子束外延技术(MBE)在Ga As衬底上外延生长高In组分(>40%)In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生长特性。结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In_(0.4)Ga_(0.6)N_(0.01)As_(0.99)/Ga As量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量。 展开更多
关键词 InGaNAs 量子阱 分子束外延 光致发光光谱
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基于辐射传输的M′波段大气透过率实测和误差分析
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作者 陈双远 王飞翔 +6 位作者 许方宇 郭杰 肖建国 贾钰超 徐稚 赵志军 王远方舟 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第12期47-52,共6页
采用自制的M′波段(4.605~4.755μm)红外辐射测量系统对阿里观测站、德令哈观测基地和怀柔观测基地的大气辐射进行实地测量,并对结果进行拟合和误差分析。首先,基于黑体定标结果和辐射传输方程,得到输出有效读数与平均大气透过率和天顶... 采用自制的M′波段(4.605~4.755μm)红外辐射测量系统对阿里观测站、德令哈观测基地和怀柔观测基地的大气辐射进行实地测量,并对结果进行拟合和误差分析。首先,基于黑体定标结果和辐射传输方程,得到输出有效读数与平均大气透过率和天顶角的关系公式;在三个站点对不同天顶角下的大气红外辐射进行扫描测量,利用上述公式,拟合出M′波段平均大气透过率。结果表明,三地透过率的加权平均值分别为0.805、0.758、0.650,透过率随时间的起伏分别为0.081、0.250、0.073,高海拔的阿里观测站透过率最高。用MODTRAN软件模拟的平均透过率分别为0.851、0.805、0.615,与实测结果接近;误差分析表明:有效读数越大,传递误差越小,此方法的理论误差优于10%。文中提供了一种不依赖气象数据,实时获得大气透过率的方法。 展开更多
关键词 大气透过率 大气辐射测量 红外系统 误差分析
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基于Au修饰的花状V2O5的表面增强拉曼散射研究 被引量:1
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作者 杨松 盛双华 刘应开 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期34-38,共5页
通过一步水热法合成花状V 2O 5材料,随后利用离子束溅射法在花状V 2O 5表面沉积一层Au膜并在400℃条件下退火,获得Au纳米粒子修饰的花状V 2O 5@Au复合材料。通过XRD、XPS和TEM等手段对样品进行表征,同时对其进行表面增强拉曼散射(SERS)... 通过一步水热法合成花状V 2O 5材料,随后利用离子束溅射法在花状V 2O 5表面沉积一层Au膜并在400℃条件下退火,获得Au纳米粒子修饰的花状V 2O 5@Au复合材料。通过XRD、XPS和TEM等手段对样品进行表征,同时对其进行表面增强拉曼散射(SERS)测试分析。结果表明:花状V 2O 5@Au复合材料作为SERS基底具有良好的拉曼活性,对罗丹明6G(R6G)的最低检测浓度可达1.0×10^-8 mol·L^-1,增强因子约为105;对浓度为10^-6 mol·L^-1的R6G测试30个不同点的SERS检测结果显示,特征峰强度的相对标准偏差(RSD)均低于20%,说明花状V 2O 5@Au复合材料对R6G的检测具有较高的灵敏度和良好的检测重现性。另外,花状V 2O 5@Au复合材料作为基底对致癌物孔雀石绿(MG)和罗丹明B(RhB)均表现出较高的检测灵敏度,其检测限(LOD)分别为4.36×10^-9 mol·L^-1和3.11×10^-8 mol·L^-1,这进一步表明该材料可应用于食品安全检测和环境监测。 展开更多
关键词 花状V2O5@Au复合材料 表面增强拉曼散射 致癌物
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基于液芯柱透镜实现透明液体质量分数的测量
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作者 孙丽存 刘倩兰 +3 位作者 王萌 张继仙 欧全宏 郑永刚 《物理实验》 2023年第5期18-24,共7页
通过测量基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)基片的液芯柱透镜的后焦距,可实现液体折射率的快速测量;根据液体质量分数与折射率之间的良好线性关系,准确计算出待测透明液体的质量分数.搭建光学测量系统,以NaCl溶液和蔗糖溶液为例,构建了液体质量... 通过测量基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)基片的液芯柱透镜的后焦距,可实现液体折射率的快速测量;根据液体质量分数与折射率之间的良好线性关系,准确计算出待测透明液体的质量分数.搭建光学测量系统,以NaCl溶液和蔗糖溶液为例,构建了液体质量分数与液体折射率的关系模型,实现了溶液质量分数的测量,并对其测量不确定度进行了分析.基于PDMS基片的液芯柱透镜对注入其中的液体折射率的最小分辨能力优于0.0002 RIU,质量分数测量不确定度可控制在0.12%以内.该测量方法适用于微量液体折射率及质量分数的测量. 展开更多
关键词 液体质量分数 液体折射率 液芯柱透镜 几何光学
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空心球状Cu_(7)S_(4)@Au复合材料的表面增强拉曼特性 被引量:1
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作者 盛双华 杨松 +1 位作者 任银拴 刘应开 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期929-936,共8页
本研究利用化学还原法制备了Cu_(2)O纳米球,以此作为模板通过液相硫化将其转变为空心的Cu_(7)S_(4)纳米球,并在Cu_(7)S_(4)纳米球溶液中加入适量的HAuCl_(4)·4H_(2)O,从而获得Cu_(7)S_(4)纳米球表面镶嵌金纳米粒子的Cu_(7)S_(4)@A... 本研究利用化学还原法制备了Cu_(2)O纳米球,以此作为模板通过液相硫化将其转变为空心的Cu_(7)S_(4)纳米球,并在Cu_(7)S_(4)纳米球溶液中加入适量的HAuCl_(4)·4H_(2)O,从而获得Cu_(7)S_(4)纳米球表面镶嵌金纳米粒子的Cu_(7)S_(4)@Au复合材料。以罗丹明B(RhB)作为拉曼探针分子,研究Cu_(7)S_(4)@Au复合材料的表面增强拉曼(SERS)特性。结果表明,Cu_(7)S_(4)@Au复合材料具有较高的灵敏度和良好的检测重现性。此外,Cu_(7)S_(4)@Au基底还可用于检测致癌物苏丹III和孔雀石绿(MG),其检测限(LOD)分别为3.71×10^(-6)和2.48×10^(-7)mol/L(M),该材料在食品安全监测方面具有应用潜力。 展开更多
关键词 表面增强拉曼散射 空心Cu7S4纳米球 Cu7S4@Au复合材料
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基于高光谱成像的水果损伤分析研究
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作者 韩浩然 李蒙 +2 位作者 杜德伟 明康 王鑫野 《河南科技》 2018年第10期28-32,共5页
高光谱成像技术包含图像信息和光谱信息.本文利用高光谱成像技术检测苹果摔伤, 主要采用主成分分析、 波段比算法和支持向量机分析所采集的高光谱图像数据.实验结果表明, 波段比算法和主成分分析法分类识别正确率为93.3%, 与支持向量机... 高光谱成像技术包含图像信息和光谱信息.本文利用高光谱成像技术检测苹果摔伤, 主要采用主成分分析、 波段比算法和支持向量机分析所采集的高光谱图像数据.实验结果表明, 波段比算法和主成分分析法分类识别正确率为93.3%, 与支持向量机相比更适用于苹果摔伤的实时快速检测. 展开更多
关键词 水果损伤 高光谱 波段比算法 主成分分析 支持向量机
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