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基于AgNPs@PDA@Gr分子印迹电化学传感器的制备及对多菌灵的测定
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作者 常惟丹 杨源 +2 位作者 李超凡 鲍长俊 陈威风 《化学研究与应用》 2025年第4期1019-1025,共7页
本文制备了一种基于AgNPs@PDA@Gr复合纳米材料修饰的分子印迹电化学传感器,用于多菌灵的痕量检测,其中多菌灵为模板分子,邻苯二胺为功能单体,氢氧化钠为洗脱液。采用循环伏安法、交流阻抗法和差分脉冲伏安法对传感器进行表征。在1.0... 本文制备了一种基于AgNPs@PDA@Gr复合纳米材料修饰的分子印迹电化学传感器,用于多菌灵的痕量检测,其中多菌灵为模板分子,邻苯二胺为功能单体,氢氧化钠为洗脱液。采用循环伏安法、交流阻抗法和差分脉冲伏安法对传感器进行表征。在1.0×10^(-12)~1.0×10^(-6)mol/L范围内,多菌灵浓度与电流变化值呈正相关,线性方程为:ΔI(μA)=5.86 lgC+71.56(mol/L),相关系数R为0.9949,检出限为2.37×10^(-13)mol/L。在实际样品西红柿和苹果的检测中,样品加标回收率在96.0%~105.9%之间。结果表明,该传感器对多菌灵具有良好的识别检测能力,在食品检测、食品安全等领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 AgNPs@PDA@Gr 分子印迹电化学传感器 多菌灵 检测
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