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N型硅——高效太阳电池的希望 被引量:3
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作者 邵俊刚 廖华 +3 位作者 黄小龙 陈义 李雷 李承晴 《太阳能》 2010年第5期27-30,共4页
全面阐述了N型硅片作为太阳电池基片的优点和缺点,并介绍了目前几种主要N型硅太阳电池的结构。
关键词 N型硅片 少数载流子 高效太阳电池
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从Ⅰ-Ⅴ特性曲线分析太阳电池烧结工艺条件 被引量:1
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作者 曹志伟 廖华 +3 位作者 邵俊刚 黄小龙 樊农艳 张志华 《太阳能》 2010年第7期41-43,共3页
通过对太阳电池的I-V特性曲线进行检测分析,得出太阳电池的串、并联电阻与电极烧结的各个温度段的温度密切相关,并联电阻受高温区温度和烧结时间(带速)的影响。通过对烧结工艺的优化调整,获得了较好性能的太阳电池,得到了烧结工艺调整... 通过对太阳电池的I-V特性曲线进行检测分析,得出太阳电池的串、并联电阻与电极烧结的各个温度段的温度密切相关,并联电阻受高温区温度和烧结时间(带速)的影响。通过对烧结工艺的优化调整,获得了较好性能的太阳电池,得到了烧结工艺调整优化的方法。 展开更多
关键词 太阳电池 串联电阻 并联电阻 烧结工艺条件
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GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面(英文) 被引量:2
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作者 郝瑞亭 任洋 +4 位作者 刘思佳 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期135-138,共4页
系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生... 系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1. 展开更多
关键词 低缺陷 锑化镓 原子力显微镜 V/III比
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