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不同预退火温度对制备Cu_2SnS_3薄膜材料的影响
1
作者
杨敏
王书荣
+4 位作者
蒋志
李志山
刘思佳
陆熠磊
赵其琛
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期769-772,763,共5页
采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu_2SnS_3(CTS)薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预...
采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu_2SnS_3(CTS)薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预退火对快速硫化法制备高品质CTS薄膜有重要影响,当退火温度为200℃时可获得结晶质量良好晶粒尺寸大且平整致密的CTS薄膜。利用各种表征方法分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、相的纯度和薄膜组分进行分析表征,薄膜的电学、光学性能通过霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计进行测试分析。
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关键词
铜锡硫(CTS)薄膜
射频磁控溅射
预退火处理
硫化
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职称材料
不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究
被引量：
3
2
作者
陆熠磊
王书荣
+3 位作者
李志山
蒋志
杨敏
刘思佳
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期2341-2346,2351,共7页
目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源。本文将主要介绍用醋酸镉((Ch_3COO)_2Cd)、氯化镉(CdCl)2)和硝酸镉(Cd(NO_3)_2)和硫酸镉(CdSO_4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(S...
目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源。本文将主要介绍用醋酸镉((Ch_3COO)_2Cd)、氯化镉(CdCl)2)和硝酸镉(Cd(NO_3)_2)和硫酸镉(CdSO_4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计对硫化镉薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析研究。分析结果表明以硝酸镉为镉源制备的硫化镉薄膜最适合作为缓冲层使用。将不同镉源制备的硫化镉薄膜作为CZTS薄膜电池的缓冲层,制备出的电池效率分别为:1.83%((Ch_3COO)_2Cd)、2.89%(CdCl)2)、3.4%(Cd(NO_3)_2)、3.19%(CdSO_4)。
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关键词
不同镉源
硫化镉薄膜
铜锌锡硫
薄膜太阳电池
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职称材料
题名
不同预退火温度对制备Cu_2SnS_3薄膜材料的影响
1
作者
杨敏
王书荣
蒋志
李志山
刘思佳
陆熠磊
赵其琛
机构
云南师范大学太阳能研究所及教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期769-772,763,共5页
基金
西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心资助项目(053002050516009)
国家自然科学基金资助项目(61167003)
文摘
采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu_2SnS_3(CTS)薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预退火对快速硫化法制备高品质CTS薄膜有重要影响,当退火温度为200℃时可获得结晶质量良好晶粒尺寸大且平整致密的CTS薄膜。利用各种表征方法分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、相的纯度和薄膜组分进行分析表征,薄膜的电学、光学性能通过霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计进行测试分析。
关键词
铜锡硫(CTS)薄膜
射频磁控溅射
预退火处理
硫化
Keywords
Cu2SnS3 （CTS） thin film
RF magnetron sputtering
pre-annealing
sulfurization
分类号
TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究
被引量：
3
2
作者
陆熠磊
王书荣
李志山
蒋志
杨敏
刘思佳
机构
云南师范大学太阳能研究所及教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期2341-2346,2351,共7页
基金
西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心(05300205020516009)
国家自然科学基金(61167003)
文摘
目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源。本文将主要介绍用醋酸镉((Ch_3COO)_2Cd)、氯化镉(CdCl)2)和硝酸镉(Cd(NO_3)_2)和硫酸镉(CdSO_4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计对硫化镉薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析研究。分析结果表明以硝酸镉为镉源制备的硫化镉薄膜最适合作为缓冲层使用。将不同镉源制备的硫化镉薄膜作为CZTS薄膜电池的缓冲层,制备出的电池效率分别为:1.83%((Ch_3COO)_2Cd)、2.89%(CdCl)2)、3.4%(Cd(NO_3)_2)、3.19%(CdSO_4)。
关键词
不同镉源
硫化镉薄膜
铜锌锡硫
薄膜太阳电池
Keywords
different cadmium sources
CdS thin film
CZTS
thin film solar cell
分类号
O64 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
不同预退火温度对制备Cu_2SnS_3薄膜材料的影响
杨敏
王书荣
蒋志
李志山
刘思佳
陆熠磊
赵其琛
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究
陆熠磊
王书荣
李志山
蒋志
杨敏
刘思佳
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
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职称材料
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