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溅射Si／Ge多层膜及其发光誊性研究
被引量：
2
1
作者
陈寒娴
杨瑞东
+3 位作者
王茺
邓荣斌
孔令德
杨宇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期730-732,736,共4页
采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光（PL）对样品进行表征。结果表明，2．0～2．3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的；1．77～1．84eV之间...
采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光（PL）对样品进行表征。结果表明，2．0～2．3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的；1．77～1．84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷；1．53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光。
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关键词
Si/Ge多层膜
可见光致发光
离子束溅射
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职称材料
题名
溅射Si／Ge多层膜及其发光誊性研究
被引量：
2
1
作者
陈寒娴
杨瑞东
王茺
邓荣斌
孔令德
杨宇
机构
云南大学工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心
红河学院物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期730-732,736,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60567001)
云南大学“学术骨干”培养基金支持的资助项目(YG070436)
文摘
采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光（PL）对样品进行表征。结果表明，2．0～2．3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的；1．77～1．84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷；1．53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光。
关键词
Si/Ge多层膜
可见光致发光
离子束溅射
Keywords
Si/Ge multilayer
visible photolumineseenee
ion-beam sputtering
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射Si／Ge多层膜及其发光誊性研究
陈寒娴
杨瑞东
王茺
邓荣斌
孔令德
杨宇
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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