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半导体生产含砷废水处理回用工程 被引量:1
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作者 柳廷龙 肖祥江 +5 位作者 单吉云 李苏滨 惠峰 李雪峰 田东 卢纪军 《工业水处理》 CSCD 北大核心 2017年第4期96-98,共3页
采用沉淀法—电絮凝法—气浮法—膜分离法四段组合工艺对含砷废水进行处理,原水含砷180~230mg/L,经该工艺处理后出水含砷<0.03 mg/L,去除率>99.9%。工程运行实践证明:该系统运行稳定、处理效果高,产出的清水用作生产用循环冷却水... 采用沉淀法—电絮凝法—气浮法—膜分离法四段组合工艺对含砷废水进行处理,原水含砷180~230mg/L,经该工艺处理后出水含砷<0.03 mg/L,去除率>99.9%。工程运行实践证明:该系统运行稳定、处理效果高,产出的清水用作生产用循环冷却水,大大降低了生产成本。 展开更多
关键词 含砷废水 回用 半导体材料
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生长4H-SiC单晶用粉料的合成
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作者 刘得伟 杨海平 +2 位作者 段金炽 王美春 普世坤 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期71-76,共6页
采用自蔓延法分别在竖直式反应腔室和水平滚筒式腔室中合成单晶生长用高纯SiC粉料,并使用所合成的高纯SiC粉料进行4H-SiC单晶生长。采用堆积密度测试、XRD、Raman和GDMS检测的方式研究了粉料晶向、晶型和纯度等特性,并对生长的4H-SiC单... 采用自蔓延法分别在竖直式反应腔室和水平滚筒式腔室中合成单晶生长用高纯SiC粉料,并使用所合成的高纯SiC粉料进行4H-SiC单晶生长。采用堆积密度测试、XRD、Raman和GDMS检测的方式研究了粉料晶向、晶型和纯度等特性,并对生长的4H-SiC单晶形貌和晶型进行表征,验证合成粉料的适用性。结果表明,将高纯SiC粉料合成过程放在水平滚筒式腔室中进行,合成的SiC粉料晶型稳定,结晶质量好,符合生长4H-SiC单晶的需求;对比竖直式反应腔室,水平滚筒式腔室的合成效率由87.8%提升到98.7%。 展开更多
关键词 自蔓延法 水平滚筒式腔室 4H-SIC 晶体生长 SiC粉料 合成效率
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