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掺镁钛酸锶(SrTiO_3)陶瓷的导电机理研究
被引量：
9
1
作者
周晓华
SφrensenO.Toft
+1 位作者
曹全喜
徐毓龙
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期927-932,共6页
本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％，所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明，所...
本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％，所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明，所有样品均呈现p型半导体的导电特征，样品在不同温度下的关系中的m与镁的含量和温度有关．根据X光衍射图和缺陷化学理论，实验结果得到适当的解释．
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关键词
钛酸锶陶瓷
缺陷
电导率
陶瓷
掺镁
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职称材料
题名
掺镁钛酸锶(SrTiO_3)陶瓷的导电机理研究
被引量：
9
1
作者
周晓华
SφrensenO.Toft
曹全喜
徐毓龙
机构
西安电子科技大学技术物理系
丹麦risφ国家实验室材料研究部
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期927-932,共6页
基金
国家科委资助
丹麦DANIDA基金
丹麦Risφ国家实验室资助
文摘
本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％，所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明，所有样品均呈现p型半导体的导电特征，样品在不同温度下的关系中的m与镁的含量和温度有关．根据X光衍射图和缺陷化学理论，实验结果得到适当的解释．
关键词
钛酸锶陶瓷
缺陷
电导率
陶瓷
掺镁
Keywords
SrTiO_3 ceramic, defect chemistry, nonstoichiometry, electrical conductivity
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
TM283.014 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺镁钛酸锶(SrTiO_3)陶瓷的导电机理研究
周晓华
SφrensenO.Toft
曹全喜
徐毓龙
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
9
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