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N沟道VDMOS器件材料选择
被引量：
2
1
作者
盖锡民
王震宇
《宜春学院学报》
2014年第3期27-29,共3页
制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度...
制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度,通过进行理论计算,阐述了理论在实践生产过程中的局限性和制约因素,对理论的计算结果进行了客观地修正。
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关键词
VDMOSFET
外延层电阻率
外延层厚度
耐压
导通电阻
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职称材料
题名
N沟道VDMOS器件材料选择
被引量：
2
1
作者
盖锡民
王震宇
机构
丹东安顺微电子有限公司
出处
《宜春学院学报》
2014年第3期27-29,共3页
文摘
制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度,通过进行理论计算,阐述了理论在实践生产过程中的局限性和制约因素,对理论的计算结果进行了客观地修正。
关键词
VDMOSFET
外延层电阻率
外延层厚度
耐压
导通电阻
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
N沟道VDMOS器件材料选择
盖锡民
王震宇
《宜春学院学报》
2014
2
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