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电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管
1
作者
杜晓松
沈秋华
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第4期264-267,共4页
无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注。提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管。在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀...
无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注。提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管。在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀的化学保护层,制备了轮廓清晰的线条型IZO场效应晶体管。直写式制备的底栅型IZO晶体管展现了优良的电学性能:极低的漏电流(<1 nA)、高电子迁移率[2.0 cm^(2)/(V·s)]、合理的通断比(3.1×10^(4))和较高的器件稳定性。实验结果为无掩膜版制备高性能氧化物晶体管提供了全新的方法。
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关键词
非晶氧化物半导体
场效应晶体管
电流体打印
无掩膜版直写
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职称材料
软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管
2
作者
杜晓松
沈秋华
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第1期33-37,共5页
在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs)。利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化...
在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs)。利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化物(ITO)源漏电极和ZTO晶体管沟道材料。柔性聚合物印章被用于SAMs的图形转移,然后在氧化物湿蚀刻期间用作化学保护层。光学显微镜和电子显微镜中可以清晰地看见良好的图形转移,其分辨率高,台阶轮廓清晰。电学测量显示制备的底栅型ZTO晶体管有着极低的漏电流(<1 nA/cm^(2))、高平均电子迁移率[2.2 cm^(2)/(V·s)]和优良的通断比(1.7×10^(7))。
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关键词
非晶氧化物半导体
场效应晶体管
软印刷
微接触印刷
柔性电子
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职称材料
题名
电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管
1
作者
杜晓松
沈秋华
机构
常州大学微
电
子与控制工程学院
中
芯
长
电
半
导体
(
江阴
)
有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第4期264-267,共4页
基金
江苏省“六大人才高峰”计划资助项目(DZXX-097)
江苏省留学回国人员创新创业计划
常州大学引进人才启动经费资助项目(ZMF20020444)。
文摘
无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注。提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管。在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀的化学保护层,制备了轮廓清晰的线条型IZO场效应晶体管。直写式制备的底栅型IZO晶体管展现了优良的电学性能:极低的漏电流(<1 nA)、高电子迁移率[2.0 cm^(2)/(V·s)]、合理的通断比(3.1×10^(4))和较高的器件稳定性。实验结果为无掩膜版制备高性能氧化物晶体管提供了全新的方法。
关键词
非晶氧化物半导体
场效应晶体管
电流体打印
无掩膜版直写
Keywords
amorphous oxide semiconductor
field-effect transistor(FET)
electrohydrodynamic printing
maskless direct writing
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管
2
作者
杜晓松
沈秋华
机构
常州大学微
电
子与控制工程学院
中
芯
长
电
半
导体
(
江阴
)
有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第1期33-37,共5页
基金
江苏省“六大人才高峰”计划资助项目(DZXX-097)
江苏省高层次创新创业人才引进计划资助项目(JSSCRC2021534)
+1 种基金
常州市领军型创新人才引进培育项目(CZ2021-12)
常州大学引进人才启动经费资助项目(ZMF20020444)。
文摘
在柔性透明电子学领域,非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法,即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管(FETs)。利用自组装单分子膜(SAM)进行微接触印刷,制备了铟锡氧化物(ITO)源漏电极和ZTO晶体管沟道材料。柔性聚合物印章被用于SAMs的图形转移,然后在氧化物湿蚀刻期间用作化学保护层。光学显微镜和电子显微镜中可以清晰地看见良好的图形转移,其分辨率高,台阶轮廓清晰。电学测量显示制备的底栅型ZTO晶体管有着极低的漏电流(<1 nA/cm^(2))、高平均电子迁移率[2.2 cm^(2)/(V·s)]和优良的通断比(1.7×10^(7))。
关键词
非晶氧化物半导体
场效应晶体管
软印刷
微接触印刷
柔性电子
Keywords
amorphous oxide semiconductor
field-effect transistor(FET)
soft lithography
micro-contact printing
flexible electronics
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管
杜晓松
沈秋华
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021
0
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职称材料
2
软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管
杜晓松
沈秋华
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022
0
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职称材料
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0
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