国内外集成电路制造业PFCs排放量计算方法的对比研究

1

作者 杨杰雄 杨庆宇 +1 位作者 李三良 杨永刚 《安全与环境工程》 CAS 北大核心 2018年第3期98-102,共5页

全氟化物(PFCs)是《京都议定书》确定的6种温室气体之一,大多数PFCs具有极高的全球暖化潜势值,在集成电路制造过程中会排放大量的PFCs。通过分析目前国内外集成电路制造行业PFCs排放量的计算方法,对比了其异同点及优劣性,可为我国企业... 全氟化物(PFCs)是《京都议定书》确定的6种温室气体之一,大多数PFCs具有极高的全球暖化潜势值,在集成电路制造过程中会排放大量的PFCs。通过分析目前国内外集成电路制造行业PFCs排放量的计算方法,对比了其异同点及优劣性,可为我国企业提高其计算准确度提供借鉴,也为进一步改进计算方法提出了建议。 展开更多

关键词 全氟化物(PFCs) 集成电路制造业 排放量 计算方法对比

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电子束吸收电流表征方法在芯片失效分析中的应用 被引量：1

2

作者 虞勤琴 庞凌华 于会生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期244-248,共5页

随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于... 随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于芯片同层分析。电子束吸收电流(EBAC)表征方法由于其定位精准且不局限于同层分析被越来越多地应用于先进制程芯片的失效分析。通过对开路、高阻和短路失效样品的分析,体现了EBAC方法在集成电路芯片失效分析中的独特优势,在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC方法更加简便精确,可保证分析的成功率并缩短分析周期。 展开更多

关键词 电子束吸收电流(EBAC) 失效分析 芯片 电压衬度 微光显微镜

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晶圆制造、运输、封装过程中Al焊垫污染源的研究

3

作者 于会生 苏凤莲 +2 位作者 王玉科 李明 郭强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期845-848,共4页

半导体芯片上Al键合焊垫在集成电路器件良率测试和封装中是非常重要的。研究焊垫污染来源对晶圆制造和金线键合工艺的改进将会有极大的帮助。结合案例采用扫描电子显微镜(SEM)、能量弥散X射线探测器(EDX)、透射电子显微镜(TEM)、聚焦离... 半导体芯片上Al键合焊垫在集成电路器件良率测试和封装中是非常重要的。研究焊垫污染来源对晶圆制造和金线键合工艺的改进将会有极大的帮助。结合案例采用扫描电子显微镜(SEM)、能量弥散X射线探测器(EDX)、透射电子显微镜(TEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)等分析研究了焊垫污染的来源。结果表明,键合焊垫上的F沾污的来源可能与顶层金属蚀刻或焊垫打开过程中的蚀刻气体或者运输相关;异常焊垫上较高的C和O可能是在晶背减薄过程中引入的;运输过程中的包装纸导致了异常焊垫上O和K沾污;异常焊垫上的Si尘埃形成于晶粒切割过程中;焊垫腐蚀区域的Cl则来源于焊垫蚀刻气体。 展开更多

关键词 铝焊垫 污染 键合 扫描电镜 能量弥散X射线探测器

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面向半导体制造的大数据分析平台 被引量：11

4

作者 杨俊刚 张洁 +2 位作者 秦威 张启华 康盛 《计算机集成制造系统》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期2900-2910,共11页

为充分利用半导体制造过程产生的大量数据,发掘数据中蕴含的价值,对半导体制造过程进行分析、预测和调控,建立了半导体制造大数据分析平台。归纳得出了半导体制造过程中大数据的特性,提出了半导体制造大数据分析体系架构,分析了其关键... 为充分利用半导体制造过程产生的大量数据,发掘数据中蕴含的价值,对半导体制造过程进行分析、预测和调控,建立了半导体制造大数据分析平台。归纳得出了半导体制造过程中大数据的特性,提出了半导体制造大数据分析体系架构,分析了其关键技术和实现方法。根据半导体制造过程中大数据的使用特点,将数据导入、去重、筛选、标准化等共性操作归入平台通用预处理层;预处理后的数据进入数据仓库层,在数据仓库中按主题进行组织;最上方的专用处理算法层根据上层应用的特定数据要求,从数据仓库中抽取数据,使用专用算法进行处理,为其提供标准化、可靠、可复用的数据资源。最后基于半导体制造企业的实际情况搭建了原型系统,对半导体制造过程产生的大量实际数据进行导入、存储、组织和预处理,并进行了性能测试和常用统计分析算法测试。 展开更多

关键词 大数据 制造过程数据 半导体制造 分布式处理 HADOOP

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萃取分离从废旧线路板金属粉末中回收铜制备超细氧化铜 被引量：3

5

作者 朱萍 范泽云 +1 位作者 钱光人 周鸣 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期167-168,共2页

随着电子信息行业的飞速发展,报废的电子电器设备产生大量的电子垃圾,如何环境友好的处理这些垃圾正成为全球日益关注的课题。作为电子设备主要部件之一的印刷线路板(PCBs)中含金、银、铜、铁等金属约达28%。

关键词 氧化铜 超细 有机相 制备 电场作用 草酸铜 微乳状液 金属粉末 硫酸浓度 浸出液

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SECS/GEM标准攻击方法与实践

6

作者 谢雨轩 伍鹏 严明 《计算机应用与软件》 北大核心 2025年第7期350-357,共8页

在目前的半导体生产环境中,普遍采用SECS/GEM标准实现计算机系统与生产机台的交互。然而,目前少有针对SECS/GEM标准的安全性研究。针对这种情况,设计拒绝服务、信息窃取、流量伪造三种威胁场景六个攻击实验。攻击实验模拟了与生产机器... 在目前的半导体生产环境中,普遍采用SECS/GEM标准实现计算机系统与生产机台的交互。然而,目前少有针对SECS/GEM标准的安全性研究。针对这种情况,设计拒绝服务、信息窃取、流量伪造三种威胁场景六个攻击实验。攻击实验模拟了与生产机器位于同一局域网下的攻击者的行为,从链路层、网络层、传输层、应用层四个攻击面着手,对采用SECS进行通信的生产网络和生产机器进行渗透和控制。实验结果表明,SECS/GEM标准的设计并没有将安全机制作为必要的因素,普遍缺乏内生的安全性,具有明显的脆弱性。 展开更多

关键词 工业互联网 网络安全 局域网安全 SECS/GEM

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直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器 被引量：1

7

作者 申华 刘乾坤 +1 位作者 杨立吾 吕昕 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期700-704,共5页

提出了一种新型的应用于直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器.给出了混频器电路拓扑结构,输入宽带匹配网络采用并联电阻的形式,跨导级采用电流复用技术的CMOS反相器,跨导级和开关级通过电容交流耦合,用LC谐振网络替代传统电流源... 提出了一种新型的应用于直接变频超宽带接收机中的低压折叠开关混频器.给出了混频器电路拓扑结构,输入宽带匹配网络采用并联电阻的形式,跨导级采用电流复用技术的CMOS反相器,跨导级和开关级通过电容交流耦合,用LC谐振网络替代传统电流源.分析了改善混频器线性度、增益和噪声性能的方法.使用中芯国际0.13μm CMOS工艺制造芯片,测试结果表明,在电源电压为1 V,功耗为5.1 mW时,得到了非常好的线性度,输入三阶互调截点(IIP3)为10.20 dB(mW量级),同时功率增益为-4.2 dB,单边带噪声系数为12.8 dB. 展开更多

关键词 超宽带(UWB) 直接下变频接收机 折叠式开关混频器

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氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率 被引量：9

8

作者 肖方 汪辉 罗仕洲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期847-850,共4页

在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据目... 在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向。 展开更多

关键词 热磷酸 湿法蚀刻 蚀刻率 氮化硅

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纳米尺寸芯片的透射电镜样品制备方法 被引量：3

9

作者 段淑卿 虞勤琴 +4 位作者 陈柳 赵燕丽 李明 张启华 简维廷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期945-950,共6页

针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成。详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效果。一种方法是通过增加碳的覆盖层来避免... 针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成。详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效果。一种方法是通过增加碳的覆盖层来避免TEM图像重影问题;另外一个方法是利用FIB的不同角度切割能力,来制备定点的平面TEM样品。实践证明,通过FIB样品制备方法的优化和改善,解决了45 nm工艺及以下制程的半导体器件失效分析过程中遇到的此类问题,TEM样品质量能得到有效的改善,对于解决实际工作中的问题非常有效。 展开更多

关键词 透射电镜(TEM) 样品制备 聚焦离子束(FIB) 失效分析 平面样品

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铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法 被引量：2

10

作者 虞勤琴 李明 段淑卿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期74-80,共7页

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消... 铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提。从优化俄歇电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫俄歇分析的基本流程。结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内俄歇分析人员提供借鉴。 展开更多

关键词 铝焊垫 俄歇电子能谱 荷电效应 表面分析 样品处理

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耐擦写能力测试评估中的样本数选取方法

11

作者 简维廷 张启华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1114-1117,共4页

介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这... 介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法。在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数。对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗数×扇区数"。这种定义吻合产品可靠性测试对样本的基本定义,可以适用于所有的集成电路可靠性测试,尤其适用于非挥发性记忆体的耐擦写能力测试评估。为了保证相同的测试信心度,考虑到在耐擦写能力测试中周边电路对耐擦写能力测试结果的影响,依照对样本数新的定义,在进行样本数等值选取计算的时候,引入了一个全新的补偿因子f,并且给出了样本数等值计算的公式。实验结果表明,在引入补偿因子f后,样本数等值计算结果更加可靠。 展开更多

关键词 非挥发性记忆体 耐擦写能力测试 可靠性风险评估 样本数

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一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 被引量：5

12

作者 谌斐华 多新中 孙晓玮 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期2772-2775,共4页

高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6... 高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8GHz,最大增益为21.8dB、最小增益8.2dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7dB,典型的IIP3为-7dBm。 展开更多

关键词 RFCMOS 低噪声放大器(LNA) 噪声消除 宽带 可变增益

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一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究 被引量：1

13

作者 张正荣 詹扬 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1045-1048,共4页

在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质... 在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质颗粒的形成机理,并且提出三种不同的解决途径,然后通过具体实验数据比较得出解决热H3PO4湿法刻蚀后杂质颗粒问题的最佳方案,为集成电路制造企业提供了理论基础和实践依据。 展开更多

关键词 半导体制造 氮氧化硅 热磷酸 湿法刻蚀

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Cu-CMP后的坑状缺陷分析与解决方案 被引量：1

14

作者 陈肖科 程秀兰 周华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期674-676,共3页

随着半导体技术的不断发展,集成电路的互连线尺寸不断减小,Cu-CMP已经成为深亚微米工艺中的重要技术。分析了由于研磨头固定环上的沟槽堵塞而造成的Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的产生机理,使用应用材料公司生产的Mirra Mesa Intergrated CMP... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的互连线尺寸不断减小,Cu-CMP已经成为深亚微米工艺中的重要技术。分析了由于研磨头固定环上的沟槽堵塞而造成的Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的产生机理,使用应用材料公司生产的Mirra Mesa Intergrated CMP System工艺设备,利用该设备上的研磨头喷头和芯片吸附装置上的平台冲洗部件,对采用双大马士革Cu工艺的图形化200mm实验芯片在Cu-CMP后设计了不同条件下高压力的去离子水冲洗芯片固定环的实验,给出一种优化了的研磨头清洗方案,从而减少了Cu-CMP后Cu金属坑状缺陷的产生。 展开更多

关键词 Cu化学机械研磨 坑状缺陷 研磨头 研磨盘

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FIB参数对低介电常数介质TEM样品制备的影响 被引量：8

15

作者 杨卫明 段淑卿 +3 位作者 芮志贤 王玉科 郭强 简维廷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期241-244,共4页

研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性。传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离... 研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性。传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离子束参数影响越大。对于亚65nm工艺中使用的k值为2.7的介质,当离子束流减小到50pA、加速电压降低到5kV时,FIB制样方法对介质致密度的影响基本可忽略,样品微观形貌得到了显著改善;而对于65nm工艺中使用的k值为3.0的介质,其微观形貌受离子束参数的影响则相对较小。 展开更多

关键词 低介电常数介质 聚焦离子束 透射电子显微镜 样品制备

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铜柱凸块生产关键工艺技术研究 被引量：4

16

作者 薛兴涛 孟津 何智清 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期925-929,共5页

讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响。研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流密度下,籽晶层越厚,晶圆应力越... 讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响。研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流密度下,籽晶层越厚,晶圆应力越大;相同的籽晶层厚度下,随着电镀电流密度增加,晶圆应力增加,但增加速率逐渐变慢;低电流密度下铜柱凸块顶部形成盘碟形状的剖面结构,而高电流密度容易使铜柱顶部形成圆拱剖面结构;采用阶梯电镀速率电镀方法与均一慢电镀速率电镀出的铜柱凸块共面性一致,而采用阶梯电镀法既能够提高电镀效率又可以得到较好的铜柱顶部盘碟形剖面结构。 展开更多

关键词 铜柱凸块 电镀 籽晶层 共面性 凸块剖面 应力

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氮(氧)化硅湿法刻蚀后清洗方式的改进

17

作者 徐宽 程秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期650-652,共3页

在半导体制造工艺的湿法刻蚀中,用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中,热磷酸刻蚀后的去离子水(DIW)清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水清洗不当造成的表面缺陷的形成机理,... 在半导体制造工艺的湿法刻蚀中,用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中,热磷酸刻蚀后的去离子水(DIW)清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水清洗不当造成的表面缺陷的形成机理,并通过合理的实验设计和分析,给出了具体的解决方案。 展开更多

关键词 半导体制造 氮化硅 湿法刻蚀 湿法清洗 缺陷

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45nm双大马士革Cu互连逆流电迁移双峰现象及改善

18

作者 唐建新 王晓艳 程秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期153-158,共6页

集成电路中金属连线的逆流电迁移(EM)的双峰失效现象在45 nm双大马士革低k材料铜布线工艺中变得尤为突出,介绍了由于空洞存在于连接电路导致电迁移的早期失效,总结出两个早期失效的主要原理:分别是空洞形成在通孔以及浅槽与通孔的斜面,... 集成电路中金属连线的逆流电迁移(EM)的双峰失效现象在45 nm双大马士革低k材料铜布线工艺中变得尤为突出,介绍了由于空洞存在于连接电路导致电迁移的早期失效,总结出两个早期失效的主要原理:分别是空洞形成在通孔以及浅槽与通孔的斜面,这是由于淀积扩散阻挡层和铜工艺在上述两个地方存在弱点,越薄的扩散阻挡层厚度对EM越不利。因为偏薄的扩散阻挡层不利于阻挡铜扩散,尤其在通孔的侧壁和边角斜面,这样在测试电迁移的高温大电流下,铜在通孔侧壁和边角斜面处易扩散而形成空洞,最终导致芯片失效。实验表明可以通过优化双大马士革结构通孔以及浅槽与通孔的斜面的长宽比(AR)减少消除这些弱点。介质层(ILD)的厚度,浅槽的深度以及通孔的关键尺寸可以作为调节AR的主要方法。 展开更多

关键词 电迁移 长宽比 双峰失效 双大马士革 失效

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Si损伤缺陷分析与解决方案

19

作者 陈武佳 朱晨靓 程秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期791-792,共2页

在半导体制造工艺流程中，浅沟道隔离（STI）工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题。由于Si损伤的存在，造成5％－10％的良率损失，同时，严重影响产品的可靠性。分析了Si损伤缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体... 在半导体制造工艺流程中，浅沟道隔离（STI）工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题。由于Si损伤的存在，造成5％－10％的良率损失，同时，严重影响产品的可靠性。分析了Si损伤缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体的解决方案。通过工艺制程的改良，既解决了Si损伤缺陷，节省了晶圆加工的时间，也减少了表面尘粒粘污。这个新工艺已经在中芯国际8厂得到了验证，对产品的电性能没有影响，同时，产品的量率还提高了5％～10％，已正式投入使用。 展开更多

关键词 半导体制造 浅沟道隔离 湿法刻蚀 硅损伤

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TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理 被引量：4

20

作者 李明 段淑卿 +1 位作者 郭强 简维廷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期498-501,共4页

研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILDTDDB可靠性失效... 研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILDTDDB可靠性失效样品的失效机理为芯片制造过程中介质层沉积温度异常导致其疏松特性增强,介电常数降低,从而导致其电绝缘性能下降而引起TDDB可靠性测试项目失效。 展开更多

关键词 透射电子显微镜 样品制备 低介电常数材料 介质层TDDB可靠性测试

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