采用改良的Hummers法,设计L9(34)正交实验研究了石墨来源、浓硫酸用量、合成温度及95℃控温时间对所合成氧化石墨(GO)特征峰强度的影响。用X射线衍射光谱法(XRD)、激光粒度分析仪及比表面和孔隙度分析仪,对GO晶体结构和粒径分布进行了分...采用改良的Hummers法,设计L9(34)正交实验研究了石墨来源、浓硫酸用量、合成温度及95℃控温时间对所合成氧化石墨(GO)特征峰强度的影响。用X射线衍射光谱法(XRD)、激光粒度分析仪及比表面和孔隙度分析仪,对GO晶体结构和粒径分布进行了分析;利用CV和线性极化曲线法研究了GO的电容特性。结果表明,石墨来源、浓硫酸用量和95℃控温时间影响最为显著。当石墨来源为鳞片石墨、浓硫酸用量为58 m L、合成温度为25℃和95℃控温时间为12 h的工艺参数,为最佳合成工艺条件。该工艺下所制备的GO试样层间距为0.73 nm,中值粒径D50为11.02μm,极化电阻仅为0.24Ω。在2 m V/s扫速下,其放电比电容达到234.1 F/g,即使扫速增加到50 m V/s,该电极仍然能放出高达121.5 F/g的比电容结构。展开更多
文摘采用改良的Hummers法,设计L9(34)正交实验研究了石墨来源、浓硫酸用量、合成温度及95℃控温时间对所合成氧化石墨(GO)特征峰强度的影响。用X射线衍射光谱法(XRD)、激光粒度分析仪及比表面和孔隙度分析仪,对GO晶体结构和粒径分布进行了分析;利用CV和线性极化曲线法研究了GO的电容特性。结果表明,石墨来源、浓硫酸用量和95℃控温时间影响最为显著。当石墨来源为鳞片石墨、浓硫酸用量为58 m L、合成温度为25℃和95℃控温时间为12 h的工艺参数,为最佳合成工艺条件。该工艺下所制备的GO试样层间距为0.73 nm,中值粒径D50为11.02μm,极化电阻仅为0.24Ω。在2 m V/s扫速下,其放电比电容达到234.1 F/g,即使扫速增加到50 m V/s,该电极仍然能放出高达121.5 F/g的比电容结构。
