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铪离子等离子体源离子注入铜基体的数值模拟
被引量：
3
1
作者
王加梅
赵青
武洪臣
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1103-1106,共4页
通过SRIM软件对铪离子等离子体源离子注入铜进行了模拟。模拟了铪离子注入铜的核阻止本领、电子阻止本领、入射深度随能量的变化,以及在不同注入条件下铪离子的摩尔浓度分布,并对模拟结果进行了分析。结果显示:能量低于6MeV时核阻止本...
通过SRIM软件对铪离子等离子体源离子注入铜进行了模拟。模拟了铪离子注入铜的核阻止本领、电子阻止本领、入射深度随能量的变化,以及在不同注入条件下铪离子的摩尔浓度分布,并对模拟结果进行了分析。结果显示:能量低于6MeV时核阻止本领占主导地位,高于6MeV时电子阻止本领成为主要的能量损失,并且离子注入过程中会出现能量沉积的Bragg峰和质量沉积区域较集中的现象,入射深度随能量的增加而增加。
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关键词
等离子体源离子注入
蒙特卡罗方法
数值模拟
表面改性
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职称材料
题名
铪离子等离子体源离子注入铜基体的数值模拟
被引量：
3
1
作者
王加梅
赵青
武洪臣
机构
电子科技大学物理电子学院
中航工业北京航空制造工程研究所高能束流加工技术国家级重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1103-1106,共4页
文摘
通过SRIM软件对铪离子等离子体源离子注入铜进行了模拟。模拟了铪离子注入铜的核阻止本领、电子阻止本领、入射深度随能量的变化,以及在不同注入条件下铪离子的摩尔浓度分布,并对模拟结果进行了分析。结果显示:能量低于6MeV时核阻止本领占主导地位,高于6MeV时电子阻止本领成为主要的能量损失,并且离子注入过程中会出现能量沉积的Bragg峰和质量沉积区域较集中的现象,入射深度随能量的增加而增加。
关键词
等离子体源离子注入
蒙特卡罗方法
数值模拟
表面改性
Keywords
plasma source ion implantation
Monte Carlo method
numerical simulation
surface modification
分类号
O539 [理学—等离子体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铪离子等离子体源离子注入铜基体的数值模拟
王加梅
赵青
武洪臣
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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