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聚焦位置对光谱椭偏仪膜厚测量的影响
被引量：
1
1
作者
季鹏
杨乐
+2 位作者
陈鲁
李成敏
张嵩
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第10期819-823,共5页
膜厚测量是半导体芯片制备过程中的关键技术。介绍了工业级膜厚测量设备的工作原理和技术要求。以聚焦光谱椭偏仪为实验平台,在光学聚焦位置附近(±5μm范围),通过连续改变晶圆聚焦高度,定量测量了多个标准厚度热氧化硅薄膜样品的...
膜厚测量是半导体芯片制备过程中的关键技术。介绍了工业级膜厚测量设备的工作原理和技术要求。以聚焦光谱椭偏仪为实验平台,在光学聚焦位置附近(±5μm范围),通过连续改变晶圆聚焦高度,定量测量了多个标准厚度热氧化硅薄膜样品的膜厚与多次测量的静态重复性指标,揭示了测量厚度对聚焦高度较强的依赖关系和静态重复性对聚焦高度变化的不敏感。根据实验数据,定量分析得出在1.3~1.5μm聚焦重复性条件下,宽谱椭偏仪可以达到的膜厚检测重复精度极限为0.01~0.012 nm。因此提高聚焦重复性是改进重复精度这一指标的关键因素。
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关键词
半导体芯片
膜厚测量
光学仪器
聚焦
重复性
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职称材料
题名
聚焦位置对光谱椭偏仪膜厚测量的影响
被引量：
1
1
作者
季鹏
杨乐
陈鲁
李成敏
张嵩
机构
中科飞测科技股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第10期819-823,共5页
基金
深圳市科技计划资助项目(KQTD2016053116451329)。
文摘
膜厚测量是半导体芯片制备过程中的关键技术。介绍了工业级膜厚测量设备的工作原理和技术要求。以聚焦光谱椭偏仪为实验平台,在光学聚焦位置附近(±5μm范围),通过连续改变晶圆聚焦高度,定量测量了多个标准厚度热氧化硅薄膜样品的膜厚与多次测量的静态重复性指标,揭示了测量厚度对聚焦高度较强的依赖关系和静态重复性对聚焦高度变化的不敏感。根据实验数据,定量分析得出在1.3~1.5μm聚焦重复性条件下,宽谱椭偏仪可以达到的膜厚检测重复精度极限为0.01~0.012 nm。因此提高聚焦重复性是改进重复精度这一指标的关键因素。
关键词
半导体芯片
膜厚测量
光学仪器
聚焦
重复性
Keywords
semiconductor chip
film thickness measurement
optical instrument
focus
repeatability
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
TH74 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚焦位置对光谱椭偏仪膜厚测量的影响
季鹏
杨乐
陈鲁
李成敏
张嵩
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
1
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职称材料
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