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快速生长KH_2PO_4晶体的缺陷和{100}生长表面形貌研究(英文)
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作者 滕冰 于正河 +6 位作者 钟德高 李建宏 马江涛 庄树杰 张世明 张炳涛 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期260-263,269,共5页
利用原子力显微镜和光学显微镜观测了快速生长KH2PO4晶体的表面形貌。发现在较高生长温度下的{100}生长表面容易出现二维成核生长机制,在本文的实验条件下,{100}生长表面上的宏观台阶平均高度为2.34nm,而宏观台阶平台宽度的尺寸各不相... 利用原子力显微镜和光学显微镜观测了快速生长KH2PO4晶体的表面形貌。发现在较高生长温度下的{100}生长表面容易出现二维成核生长机制,在本文的实验条件下,{100}生长表面上的宏观台阶平均高度为2.34nm,而宏观台阶平台宽度的尺寸各不相同。在{100}生长表面上观察到了由杂质阻碍作用引起的台阶聚并和台阶弯曲,并讨论了杂质和生长台阶之间的相互作用机理。利用同步辐射白光形貌术分析了快速生长KDP晶体内部的位错缺陷。 展开更多
关键词 表面结构 溶液法生长 同步辐射白光形貌术
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