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正装、倒装结构GaN基LED提取效率分析
被引量：
11
1
作者
刘志强
王良臣
《电子器件》
CAS
2007年第3期775-778,共4页
从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率的影响.模拟结果表明,采用倒装结构可以显著提高GaN基LED的提...
从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率的影响.模拟结果表明,采用倒装结构可以显著提高GaN基LED的提取效率,Ni/Au透明电极透射率为0.6～0.9时,相对于普通正装结构,倒装结构可以使LED提取效率提高39%～16%.
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关键词
GAN基LED
提取效率
Monte-Carlo
模拟
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职称材料
界面热应力对InP/Si键合质量的影响
被引量：
1
2
作者
刘志强
王良臣
+5 位作者
于丽娟
郭金霞
伊晓燕
王立彬
陈宇
马龙
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期172-175,共4页
通过实验和理论计算,分析了InP/Si键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围。分析结果表明,由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,为保证良好的键合...
通过实验和理论计算,分析了InP/Si键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围。分析结果表明,由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,为保证良好的键合质量,InP/Si键合退火温度应该在300～350℃范围内选取。具体实验验证表明,该理论计算值与实验结果相一致。最后,在300℃退火条件下,很好地实现了2inInP/Si晶片键合,红外图像显示,界面几乎没有空洞和裂隙存在,有效键合面积超过90%。
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关键词
磷化铟/硅
键合
界面热应力
退火温度
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职称材料
题名
正装、倒装结构GaN基LED提取效率分析
被引量：
11
1
作者
刘志强
王良臣
机构
中科院半导体研究所集成技术中心
出处
《电子器件》
CAS
2007年第3期775-778,共4页
基金
"十五"国家重大攻关计划"半导体照明产业化技术开发项目--功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术"项目资助
文摘
从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率的影响.模拟结果表明,采用倒装结构可以显著提高GaN基LED的提取效率,Ni/Au透明电极透射率为0.6～0.9时,相对于普通正装结构,倒装结构可以使LED提取效率提高39%～16%.
关键词
GAN基LED
提取效率
Monte-Carlo
模拟
Keywords
GaN based LED
light extraction efficiency
Monte-carlo
simulation
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
界面热应力对InP/Si键合质量的影响
被引量：
1
2
作者
刘志强
王良臣
于丽娟
郭金霞
伊晓燕
王立彬
陈宇
马龙
机构
中科院半导体研究所集成技术中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期172-175,共4页
基金
国家高科技研究发展计划资助项目(批准号:2003AA312010)
文摘
通过实验和理论计算,分析了InP/Si键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围。分析结果表明,由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,为保证良好的键合质量,InP/Si键合退火温度应该在300～350℃范围内选取。具体实验验证表明,该理论计算值与实验结果相一致。最后,在300℃退火条件下,很好地实现了2inInP/Si晶片键合,红外图像显示,界面几乎没有空洞和裂隙存在,有效键合面积超过90%。
关键词
磷化铟/硅
键合
界面热应力
退火温度
Keywords
InP/Si
wafer bonding
interface thermal stress
annealing temperature
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
正装、倒装结构GaN基LED提取效率分析
刘志强
王良臣
《电子器件》
CAS
2007
11
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职称材料
2
界面热应力对InP/Si键合质量的影响
刘志强
王良臣
于丽娟
郭金霞
伊晓燕
王立彬
陈宇
马龙
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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