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一种新型高增益、低噪声980nm微腔半导体光放大器的数值分析(英文)
1
作者
张泉
郑厚植
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期321-325,共5页
提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字...
提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字型路线沿波导传播.提出了一个完整的、考虑了微腔特性的稳态模型,系统模拟了微腔半导体光放大器的特性.结果表明该微腔半导体光放大器的光纤到光纤增益可达40dB,而噪声指数只有3.5dB.
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关键词
半导体光放大器
布拉格反射镜
放大的自发辐射
增益
噪声指数
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职称材料
量子链和量子点光学特性的比较研究
2
作者
王宝瑞
孙征
+4 位作者
徐仲英
孙宝权
姬扬
Z.M.Wang
G.J.Salamo
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期161-164,189,共5页
比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激...
比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激发功率变化缓慢;此外,量子链样品的荧光上升时间也比量子点的小得多.这些结果清楚表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在很强的耦合和输运.进一步分析表明,这种耦合作用主要发生在量子链方向.荧光的偏振特性进一步证实了这一点.
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关键词
INGAAS/GAAS
量子点
量子链
光学性质
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职称材料
题名
一种新型高增益、低噪声980nm微腔半导体光放大器的数值分析(英文)
1
作者
张泉
郑厚植
机构
中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期321-325,共5页
基金
National Basic Research Programs of China(2006CB932801)
the Special Research Programs of Chinese Academy of Sciences(2007CB924904)
文摘
提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字型路线沿波导传播.提出了一个完整的、考虑了微腔特性的稳态模型,系统模拟了微腔半导体光放大器的特性.结果表明该微腔半导体光放大器的光纤到光纤增益可达40dB,而噪声指数只有3.5dB.
关键词
半导体光放大器
布拉格反射镜
放大的自发辐射
增益
噪声指数
Keywords
semiconductor optical amplifier
Bragg reflector
amplified spontaneous emission
gain
noise figures
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
量子链和量子点光学特性的比较研究
2
作者
王宝瑞
孙征
徐仲英
孙宝权
姬扬
Z.M.Wang
G.J.Salamo
机构
中科院半导体研究所
Department of Physics
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期161-164,189,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(10334040)
文摘
比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激发功率变化缓慢;此外,量子链样品的荧光上升时间也比量子点的小得多.这些结果清楚表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在很强的耦合和输运.进一步分析表明,这种耦合作用主要发生在量子链方向.荧光的偏振特性进一步证实了这一点.
关键词
INGAAS/GAAS
量子点
量子链
光学性质
Keywords
InGaAs/GaAs
quantum dots
quantum dot chains
optical properties
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种新型高增益、低噪声980nm微腔半导体光放大器的数值分析(英文)
张泉
郑厚植
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
2
量子链和量子点光学特性的比较研究
王宝瑞
孙征
徐仲英
孙宝权
姬扬
Z.M.Wang
G.J.Salamo
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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