宽带半导体可饱和吸收镜研制方法及选择腐蚀研究

1

作者 王勇刚 马骁宇 +2 位作者 吕卉 王丽明 刘媛媛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期74-75,79,共3页

介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs) 的研制方法和应用。制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀。分别就几种湿法腐蚀... 介绍了用于固体激光器被动锁模自启动实现飞秒级脉冲输出的两种波长的带半导体可饱和吸收镜(800nm和1550 nm SESAMs) 的研制方法和应用。制作宽带反射层的关键技术之一是AlGaAs/GaAs和InP/InGaAs/InGaAs的选择腐蚀。分别就几种湿法腐蚀和干法腐蚀进行了详细的分析和比较。 展开更多

关键词 宽带反射层 湿法腐蚀 干法腐蚀 宽带半导体可饱和吸收镜 固体激光器

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基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器

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作者 郑婉华 任刚 +5 位作者 蔡向华 马小涛 杜晓宇 王科 邢名欣 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期117-,共1页

描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,... 描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究。主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阂值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致。 展开更多

关键词 二维光子晶体 INGAASP/INP 半导体材料

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一种新型高增益、低噪声980nm微腔半导体光放大器的数值分析(英文)

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作者 张泉 郑厚植 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期321-325,共5页

提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字... 提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字型路线沿波导传播.提出了一个完整的、考虑了微腔特性的稳态模型,系统模拟了微腔半导体光放大器的特性.结果表明该微腔半导体光放大器的光纤到光纤增益可达40dB,而噪声指数只有3.5dB. 展开更多

关键词 半导体光放大器 布拉格反射镜 放大的自发辐射 增益 噪声指数

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GaAs基短周期InAs／GaSb超晶格红外探测器研究 被引量：5

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作者 郭杰 彭震宇 +5 位作者 鲁正雄 孙维国 郝瑞亭 周志强 许应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期165-167,228,共4页

采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μ... 采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率Db*b均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器Db*b超过108cmHz1/2/W. 展开更多

关键词 超晶格 InAs/GaSb红外探测器 分子束外延 光谱响应

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自组织生长InAs量子点的发光性质研究

5

作者 蔡加法 孔令民 +2 位作者 吴正云 陈主荣 牛智川 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期732-735,共4页

通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.

关键词 自组织生长砷化铟量子点 发光性质 铟钙砷三元化合物 覆盖层 光致发光 瞬态荧光谱 寿命

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高功率脉冲电子束制备纳米硅薄膜及其发光特性研究

6

作者 江兴流 何宇亮 +1 位作者 陈思富 李国华 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期248-248,共1页

高功率脉冲电子束制备纳米硅薄膜及其发光特性研究江兴流，何宇亮，陈思富，李国华（北京航空航天大学应用数理系）（兰州大学现代物理系）（中科院半导体研究所）多极板赝火花（Ｐｓｅｕｄ。Ｓｐａｒｋ）放电室所产生的高功率脉冲电子... 高功率脉冲电子束制备纳米硅薄膜及其发光特性研究江兴流，何宇亮，陈思富，李国华（北京航空航天大学应用数理系）（兰州大学现代物理系）（中科院半导体研究所）多极板赝火花（Ｐｓｅｕｄ。Ｓｐａｒｋ）放电室所产生的高功率脉冲电子束和离子束能对金属、半导体、高聚物... 展开更多

关键词 脉冲电子束 发光特性 硅薄膜 高功率 纳米材料 光致发光 赝火花 国家自然科学基金 纳米硅 北京航空航天大学

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溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究 被引量：8

7

作者 姜永睿 胡雄伟 +4 位作者 杨沁清 王红杰 杨澜 郑金红 谢二庆 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1140-1143,共4页

采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶 -凝胶 ,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料 ;用该凝胶在硅片上提拉成膜 .为了增加薄膜与硅片的粘附性 ,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为 15 0 0 的二氧化硅 ;样品... 采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶 -凝胶 ,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料 ;用该凝胶在硅片上提拉成膜 .为了增加薄膜与硅片的粘附性 ,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为 15 0 0 的二氧化硅 ;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整 ,在 5× 5 μm2 的范围内最大表面起伏只有 0 .6 5 7nm 利用波导阵列掩膜版 ,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光 ,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列 研究发现 :紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大 .通过对样品红外吸收谱的分析 。 展开更多

关键词 光敏性溶胶一凝胶 SIO2薄膜 折射率 红外光谱 波导

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电光聚合物薄膜非线性效应的研究 被引量：1

8

作者 秦志辉 房昌水 +4 位作者 潘奇伟 程秀凤 李峰 顾庆天 余金中 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期408-410,414,共4页

采用旋涂的方法制备了主客掺杂 15 % NAEC/PMMA有机聚合物薄膜 ,通过测量其 DSC曲线来确定玻璃化温度 ,并在此温度对其进行电晕极化。测量了薄膜极化前后以及退极化后的紫外 -可见吸收光谱 ,研究了NAEC/PMMA薄膜中客体生色团的电极化取... 采用旋涂的方法制备了主客掺杂 15 % NAEC/PMMA有机聚合物薄膜 ,通过测量其 DSC曲线来确定玻璃化温度 ,并在此温度对其进行电晕极化。测量了薄膜极化前后以及退极化后的紫外 -可见吸收光谱 ,研究了NAEC/PMMA薄膜中客体生色团的电极化取向以及薄膜的二阶非线性效应。 展开更多

关键词 聚合物 薄膜 非线性效应 电晕极化 电光极化

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量子链和量子点光学特性的比较研究

9

作者 王宝瑞 孙征 +4 位作者 徐仲英 孙宝权 姬扬 Z.M.Wang G.J.Salamo 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期161-164,189,共5页

比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激... 比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激发功率变化缓慢;此外,量子链样品的荧光上升时间也比量子点的小得多.这些结果清楚表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在很强的耦合和输运.进一步分析表明,这种耦合作用主要发生在量子链方向.荧光的偏振特性进一步证实了这一点. 展开更多

关键词 INGAAS/GAAS 量子点 量子链 光学性质

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TiN/n-GaAs体系界面的研究

10

作者 何杰 金高龙 +2 位作者 卢励吾 许振嘉 张利春 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第6期368-373,共6页

利用二次离子质谱（SIMS）和深能级瞬态谱（DLTS）研究了TiN／n－GaAs体系。SIMS结果表明，退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动，N则基本未变；DLTS观察到在Ec=0．21eV处的Ti3+（3d1）／Ti2+（3d2）单受主中心，但其浓度较EL2要小... 利用二次离子质谱（SIMS）和深能级瞬态谱（DLTS）研究了TiN／n－GaAs体系。SIMS结果表明，退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动，N则基本未变；DLTS观察到在Ec=0．21eV处的Ti3+（3d1）／Ti2+（3d2）单受主中心，但其浓度较EL2要小得多。根据实验结果，探讨了退火后难熔金属氮化物／n-GaAs体系电学特性改善的原因。 展开更多

关键词 氮化钛 砷化镓 界面 深能级 集成电路

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用结恢复电流研究a-Si:H p^+-i-n^+结构的缺陷

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作者 李福德 张青 《陕西机械学院学报》 CAS 1991年第3期167-171,共5页

本文采用多次陷落模型,用结恢复电流技术研究了a—Si:H太阳电池长时间光照后的光致变化效应。发现光照之后的太阳电池比光照前空穴迁移率和寿命的乘积有明显下降,而且光致亚稳缺陷主要起复合中心的作用。

关键词 太阳电池 结恢复电流 氧化非晶硅

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基于仿生形象思维方法的图像检索算法 被引量：8

12

作者 王守觉 孙华 +3 位作者 柳培忠 廖英豪 丁兴号 郭东辉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期993-997,共5页

在人类对图像的理解过程中,认知结果是由人脑形象思维活动得到的.模仿人脑从形象思维角度,本文提出了一种图像特征提取方法,设计了一种图像检索算法.把每幅图像都映射为高维特征矢量(每个矢量都被看作是高维特征空间中的一个点),计算高... 在人类对图像的理解过程中,认知结果是由人脑形象思维活动得到的.模仿人脑从形象思维角度,本文提出了一种图像特征提取方法,设计了一种图像检索算法.把每幅图像都映射为高维特征矢量(每个矢量都被看作是高维特征空间中的一个点),计算高维特征空间中点与点的距离判别函数即可得到图像之间的关系.与其他检索算法比较,实验结果表明该方法在检索效率和检索速度具有优越性. 展开更多

关键词 图像检索 形象思维 特征提取 特征空间

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硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现 被引量：2

13

作者 梁恩主 冯军 +2 位作者 郑婉华 王志功 陈良惠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1-2,16,共3页

介绍前置电路对光电探测器性能的影响和给出一种适用于硅基光电探测器前置放大电路的输入级ＣＭＯＳ实现。

关键词 光电集成电路 CMOS 光电探测器 前置放大电路 硅基

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全息光学元件在光学读出头中的应用 被引量：2

14

作者 刘守渔 梁万国 +4 位作者 郑婉华 梁恩主 陈良惠 谢敬辉 赵达尊 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期28-30,共3页

分析了全息光栅在光学读出头中的作用。给出了用于光头中的全息光栅的设计原理 ,推出了记录和再现公式 。

关键词 全息光学元件 光头 像差 光学读出头 CD DVD VCD

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环形光栅光学扫描全息系统的OTF和PSF 被引量：4

15

作者 刘守渔 梁万国 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期41-42,共2页

美国弗吉尼亚工业学院和州立大学Ｔ．Ｃ．Ｐｏｏｎ 等人提出了光学扫描全息术，在该技术中记录时利用实时菲涅耳波带板扫描物体，但由于菲涅耳波带板边缘稀、中间密，不能充分地利用系统的分辨率，而环形光栅的边缘和中间的稀密程度一... 美国弗吉尼亚工业学院和州立大学Ｔ．Ｃ．Ｐｏｏｎ 等人提出了光学扫描全息术，在该技术中记录时利用实时菲涅耳波带板扫描物体，但由于菲涅耳波带板边缘稀、中间密，不能充分地利用系统的分辨率，而环形光栅的边缘和中间的稀密程度一样，为此提出了环形光栅光学扫描全息术。根据线性系统理论得到系统的光学传递函数为实时环形光栅像强度分布函数的付里叶变换；系统的点扩散函数为δ函数。文中给出了理论和计算机仿真结果。 展开更多

关键词 环形光栅 光学扫描 全息系统 OTF PSF

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生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响 被引量：1

16

作者 郭杰 孙维国 +6 位作者 陈慧娟 彭震宇 鲁正雄 郝瑞亭 周志强 许应强 牛智川 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1605-1607,共3页

采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光... 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。 展开更多

关键词 INAS/GASB XRD 生长温度 界面

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光路可调的红外透射方法检测键合质量 被引量：1

17

作者 何国荣 王瑞春 +2 位作者 徐楚平 郑婉华 陈良惠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期644-647,共4页

基于红外透射原理,采用调节光路的冷光源方法搭建了晶片键合界面的质量检测系统。利用该系统可以很好的实现GaAs,InP材料的键合界面检测和刀片分离时的在线监测,同时本文以GaAs基分布布拉格反射镜(DBR)和InP基有源区键合为例,结合红外... 基于红外透射原理,采用调节光路的冷光源方法搭建了晶片键合界面的质量检测系统。利用该系统可以很好的实现GaAs,InP材料的键合界面检测和刀片分离时的在线监测,同时本文以GaAs基分布布拉格反射镜(DBR)和InP基有源区键合为例,结合红外透视图像和薄膜转移照片分析,对键合表面处理方法进行了优化选择。试验表明该检测系统数据可靠,使用方便,为晶片键合条件及参数优化提供了实用平台。 展开更多

关键词 键合 红外透射 布拉格反射镜(DBR)

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PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p-GaN的影响 被引量：1

18

作者 陈宇 王良臣 严丽红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期214-218,共5页

在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和... 在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和SiNX材料,阻碍了H原子向外扩散,使H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率(15W,13.56MHz)沉积模式,经过适当的退火,可以减小沉积SiO2过程对p-GaN的影响。 展开更多

关键词 等离子增强化学气相沉积法 SIO2 SINX P-GAN I-V特性

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非极性a面p型GaN∶Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质

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作者 孙莉莉 闫发旺 +4 位作者 张会肖 王军喜 曾一平 王国宏 李晋闽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期127-128,139,共3页

采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要... 采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要贡献的Mn3Ga相,快速退火过程可以有效恢复离子注入过程对样品的损伤,所得非极性GaN∶Mn退火样品具有室温铁磁特性。 展开更多

关键词 稀磁半导体 非极性a面p-GaN 离子注入 室温铁磁性

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双段式PBC型1．3μmInGaAsP超辐射发光二极管

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作者 赵玲娟 余金中 +4 位作者 刘德钧 杨亚丽 郭良 王丽明 张晓燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期24-26,共3页

本文报导了１．３μｍ超辐射发光二极管的研究成果。室温下，驱动电流为１５０ｍＡ时，单管输出功率可达４．３ｍＷ，光谱半宽为２１ｕｍ。

关键词 INGAASP 超辐射 发光二极管

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