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扫描深能级瞬态谱技术(SDLTS)
1
作者
李成基
邓兆扬
李韫言
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990年第3期154-154,共1页
深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能给出微区域深能级的空间分布。而半导体材料的不均匀性往往是受深能级杂质或缺陷的不均匀分布所控制的。所以...
深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能给出微区域深能级的空间分布。而半导体材料的不均匀性往往是受深能级杂质或缺陷的不均匀分布所控制的。所以研究与测量深能级的空间分布以及它们之间的关系,对于提高半导体材料的质量与半导体器件的性能具有十分重要的意义。为此,我们在光注入深能级电流瞬态谱(OTCS)技术的基础上,建立了一种所谓扫描深能级瞬态谱(SDLTS)技术。进行了半绝缘砷化镓中深能级及其空间分布的测量工作。
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关键词
半导体
杂质
缺陷
深能级瞬态谱
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职称材料
题名
扫描深能级瞬态谱技术(SDLTS)
1
作者
李成基
邓兆扬
李韫言
机构
中科院半导体所中科院北京电子显微镜实验室
中科院
半
导体所
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990年第3期154-154,共1页
文摘
深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能给出微区域深能级的空间分布。而半导体材料的不均匀性往往是受深能级杂质或缺陷的不均匀分布所控制的。所以研究与测量深能级的空间分布以及它们之间的关系,对于提高半导体材料的质量与半导体器件的性能具有十分重要的意义。为此,我们在光注入深能级电流瞬态谱(OTCS)技术的基础上,建立了一种所谓扫描深能级瞬态谱(SDLTS)技术。进行了半绝缘砷化镓中深能级及其空间分布的测量工作。
关键词
半导体
杂质
缺陷
深能级瞬态谱
分类号
O474 [理学—半导体物理]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
扫描深能级瞬态谱技术(SDLTS)
李成基
邓兆扬
李韫言
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990
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