期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
CCD应用技术的新进展 被引量：2
1
作者 叶培德 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期16-19,共4页
在过去二十年中,CCD应用技术显示了突出的功效。本文综述了CCD应用技术的最新水平,包括成象传感、存贮器和信号处理。描述了固态摄象器件的重要应用领域,特别是国内在CCD应用技术方面的最新进展,同时也展示了未来的可能应用领域。
关键词 CCD技术 光电转换器 光电检测
在线阅读 下载PDF
离子注入HgCdTe损伤特性研究
2
作者 刘心田 钟桂英 包昌珍 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1993年第6期29-32,共4页
本文利用电解液电反射方法研究了离子注入HgCdTe的损伤特性,得出了材料的E_1能量值,同时探讨了热退火下离子注入引起的损伤变化关系。
关键词 HGCDTE 离子注入 损伤 半导体材料
在线阅读 下载PDF
掺Sb-Hg0.8 Cd0.2 Te晶体的缺陷分析
3
作者 王珏 刘激鸣 +1 位作者 俞振中 汤定元 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期60-64,68,共6页
用固态再结晶法生长了掺Sb-Hg0.8Cd0.2Te晶体。通过对掺杂晶片不同条件的热处理,促使晶体内的缺陷状态发生变化,并用热处理后迅速淬火的方法冻结高温下的缺陷状态。电学测量结果表明:掺杂样品的空穴浓度和热处理条件的关系明显不同于未... 用固态再结晶法生长了掺Sb-Hg0.8Cd0.2Te晶体。通过对掺杂晶片不同条件的热处理,促使晶体内的缺陷状态发生变化,并用热处理后迅速淬火的方法冻结高温下的缺陷状态。电学测量结果表明:掺杂样品的空穴浓度和热处理条件的关系明显不同于未掺杂样品。根据缺陷化学平衡理论分析认为重掺杂样品中Sb大多数以中性复合缺陷的形式存在,Sb具有受主、施主二重性,其状态和高温热处理条件有关。 展开更多
关键词 SbHgCdTe 晶体缺陷 晶体
在线阅读 下载PDF
红外增透薄膜新进展述评 被引量：1
4
作者 徐建忠 郑安民 张凤山 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期21-25,共5页
本文综述了红外增透薄膜研究的一些新进展,其中包括宽带增透薄膜的多种设计和制备方法及具有优异性能的增透膜新材料的研究。
关键词 红外增透薄膜 红外光学材料
在线阅读 下载PDF
红外探测器的发展现状 被引量：3
5
作者 汤定元 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期5-11,共7页
简略评述国外近年来在红外探测器方面的研究及发展工作,包括焦平面列阵、HgCdTe及有关材料、超晶格等。文末对国内这一领域的工作提出几点建议。
关键词 红外探测器 检测器
在线阅读 下载PDF
恶劣工业环境下的光学检测 被引量：1
6
作者 叶培德 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期35-38,共4页
在恶劣工业环境下光学检测显示了突出的优点。本文综述了工业光学检测的一般途径,详细讨论了线材、板材、三维图象等具体工业问题采用的特殊光学检测方法,及其今后可能的发展和应用领域。
关键词 光学检测率统 工业 恶劣环境
在线阅读 下载PDF
一个微机化高精度光谱定标系统
7
作者 叶家福 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期49-52,共4页
微机化高精度光谱定标系统是光电系统和遥感仪器的重要装调和定标装置。可工作在0.20～25μm,配上Super-Ⅱ微机和Epson的FX100宽行打印机后,加上接口装置可实施对定标数据的自动采集、处理和拷贝。用微机编程方法实现该装置的实时控制... 微机化高精度光谱定标系统是光电系统和遥感仪器的重要装调和定标装置。可工作在0.20～25μm,配上Super-Ⅱ微机和Epson的FX100宽行打印机后,加上接口装置可实施对定标数据的自动采集、处理和拷贝。用微机编程方法实现该装置的实时控制和协调制备所需的光谱图谱,也可制备所需的辅助数据。 展开更多
关键词 辐射校准 光谱定标 光谱仪器
在线阅读 下载PDF
利用分子束外延方法在GaAs衬底上制备CdTe单晶薄膜
8
作者 陆俭 陈卫东 +3 位作者 唐文国 于梅芳 乔怡敏 袁诗鑫 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期41-45,共5页
利用分子束外延方法在国内首次在(100)GaAs衬底上可控制的获得了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了生长条件对外延层晶向的影响。发现,GaAs衬底表面的平整... 利用分子束外延方法在国内首次在(100)GaAs衬底上可控制的获得了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了生长条件对外延层晶向的影响。发现,GaAs衬底表面的平整度和洁净度是影响外延层晶向的两个关键因素。我们已在所得到的CdTe缓冲层上成功地生长出Hg_(1-x)Cd_xTe单晶薄膜。 展开更多
关键词 GAAS 衬底 CDTE薄膜 分子束 外延法
在线阅读 下载PDF
20元长波HgCdTe光导探测器列阵
9
作者 徐国森 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期38-40,共3页
本文报道了利用单片工艺和特殊的镶嵌技术,获得了20元HgCdTe光导探测器列阵,并给出探测器列阵性能以及工艺中所需注意的问题。
关键词 光导探测器 碲镉汞 阵列 探测器
在线阅读 下载PDF
HgCdTe晶体的缺陷吸除效应
10
作者 王珏 刘激呜 +1 位作者 俞振中 汤定元 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期33-37,共5页
利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,并利用缺陷吸除工艺成功地减少了HgCdTe晶体内剩余杂质,低温电学参数、光学透过率测量结果表明:该工艺能... 利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,并利用缺陷吸除工艺成功地减少了HgCdTe晶体内剩余杂质,低温电学参数、光学透过率测量结果表明:该工艺能提高HeCdTe材料的光、电性能。 展开更多
关键词 HGCDTE晶体 缺陷 吸除效应
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部