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PbSe量子点的制备与近红外波段光学性质研究 被引量：1
1
作者 葛美英 孙艳 《中国电子科学研究院学报》 2012年第6期556-560,共5页
通过化学溶液体系中反应温度与原料配比的控制获得了尺寸分布均匀的窄带隙半导体PbSe量子点。利用吸收光谱、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段研究了化学溶液法制备的PbSe量子点形貌、尺寸分布... 通过化学溶液体系中反应温度与原料配比的控制获得了尺寸分布均匀的窄带隙半导体PbSe量子点。利用吸收光谱、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段研究了化学溶液法制备的PbSe量子点形貌、尺寸分布及红外吸收等特性。结果表明,所获得的量子点尺寸分布均匀,结晶性良好,并实现了第一吸收峰在885 nm～2 200 nm范围内可调的PbSe量子点。 展开更多
关键词 PbSe量子点 半导体材料 近红外 光学性质
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皮秒脉冲激光照射下碲镉汞光伏红外探测器的负光伏响应新现象 被引量：7
2
作者 崔昊杨 李志锋 +3 位作者 马法君 胡晓宁 叶振华 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期161-164,共4页
利用皮秒脉冲激光激发碲镉汞线列探测器上的光敏元,发现光伏响应表现为在最初大约15 ns范围内首先形成一个明显的负光生电压的响应谷,之后才演变为正的光伏响应峰.改变入射激光脉冲的光子能量发现,无论是光子能量大于禁带宽度的单光子... 利用皮秒脉冲激光激发碲镉汞线列探测器上的光敏元,发现光伏响应表现为在最初大约15 ns范围内首先形成一个明显的负光生电压的响应谷,之后才演变为正的光伏响应峰.改变入射激光脉冲的光子能量发现,无论是光子能量大于禁带宽度的单光子吸收跃迁还是小于禁带宽度的双光子吸收跃迁,器件的光伏响应随时间的演变均表现出类似的规律.用光阑对探测器的受光面积进行限制将使负的光生电压减弱并接近消失.结合探测器线列的电极分布构形,将负光伏响应指认为p-电极的肖特基接触所致.利用该方法有可能对p-电极是否形成欧姆接触进行判定,其灵敏度应远高于常规的电学测量方法. 展开更多
关键词 碲镉汞 脉冲激发 瞬态光伏响应 肖特基接触
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超高真空扫描隧道谱实验对碲镉汞室温带隙的直接测定 被引量：3
3
作者 任秀荣 查访星 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期145-149,共5页
利用超高真空扫描隧道显微镜的隧道谱实验对汞空位掺杂的液相外延P型碲镉汞材料在室温条件下进行测量,发现直接的电流-电压隧道谱对带隙预言一定程度上要受到成像偏置电压的影响.但当采用了锁相放大测量技术,通过实验直接获取微分隧道谱... 利用超高真空扫描隧道显微镜的隧道谱实验对汞空位掺杂的液相外延P型碲镉汞材料在室温条件下进行测量,发现直接的电流-电压隧道谱对带隙预言一定程度上要受到成像偏置电压的影响.但当采用了锁相放大测量技术,通过实验直接获取微分隧道谱(dI/dV)信号,并利用电流-电压谱对dI/dV作归一化处理时,最终结果则能较准确、可靠地预言材料的带隙,表明扫描隧道谱方法作为独立于光学方法之外的另一种实验表征手段对碲镉汞能带电子结构研究的适用性. 展开更多
关键词 碲镉汞 扫描隧道显微镜 扫描隧道谱 能带带隙 锁相放大技术
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氧化钒热致变色薄膜的研究进展 被引量：3
4
作者 潘梅 陆卫 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期374-377,共4页
介绍了氧化钒热致变色薄膜的研究进展 ,对其制备、特性。
关键词 氧化钒 热致变色薄膜 金属-半导体相变 微测辐射热计 非制冷红外焦平面 化学气相沉积
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P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜的铁电以及介电性能研究
5
作者 阮亚飞 江林 +3 位作者 王建禄 孙璟兰 刘爱云 孟祥建 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期18-22,共5页
利用旋涂法制备并采用氢气退火处理得到P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜,在XRD图像上可以观察到在2θ=38.1°的Ag(111)相的衍射峰,同样在SEM图像上观察到银纳米粒子的存在.在薄膜的红外透射光谱上可以观察到β相特征峰的蓝移,这可归结为银... 利用旋涂法制备并采用氢气退火处理得到P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜,在XRD图像上可以观察到在2θ=38.1°的Ag(111)相的衍射峰,同样在SEM图像上观察到银纳米粒子的存在.在薄膜的红外透射光谱上可以观察到β相特征峰的蓝移,这可归结为银纳米粒子与偶极子的相互作用.银纳米粒子的掺杂增强了薄膜的铁电和介电性能.与传统退火方式处理的纯P(VDF-TrFE)薄膜相比,纳米银掺杂比例为10%的P(VDF-TrFE)/Ag复合薄膜的铁电剩余极化强度和介电常数分别提高了32.5%和13.3%.介电损耗不随纳米银掺杂比例的增加而变化的现象不符合渗流理论. 展开更多
关键词 聚偏二氟乙烯 氢气退火 银纳米粒子 铁电性 渗流理论
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GaAs单晶阈值电压自动测试系统的研究
6
作者 胡志高 朱敏 李传海 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第11期67-70,共4页
根据ＧａＡｓ阈值电压的测试原理，选取了一种比较精确的实验测试计算方法。在此基础上，分别设计了ＧａＡｓ 单晶阈值电压均匀件自动测试系统的硬件电路和软件程序，并利用此系统对ＧａＡｓ样品进行了实际测量，效果良好。
关键词 阈值电压 自动测试系统 集成电路 砷化镓
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钛铌镁酸铅[Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-xPbTiO_3]弛豫铁电体的研究进展 被引量：2
7
作者 刘爱云 《红外》 CAS 2005年第2期28-32,共5页
弛豫铁电体钛铌镁酸铅Pb(Mg_(1／3)Nb_2／3)O_3-xPbTiO_3(PMNT),简称PMWT,不仅具有良好的介电性能和电机械性能,还具有良好的电致伸缩和压电性能,是制备高K电容器、传感器和激发元等的良好材料。其在微电子领域的应用前景非常广阔,本文... 弛豫铁电体钛铌镁酸铅Pb(Mg_(1／3)Nb_2／3)O_3-xPbTiO_3(PMNT),简称PMWT,不仅具有良好的介电性能和电机械性能,还具有良好的电致伸缩和压电性能,是制备高K电容器、传感器和激发元等的良好材料。其在微电子领域的应用前景非常广阔,本文就Pb(Mg_(1／3)Nb_(2／3))O_3-xPbTiO_3,简称(PMNT)弛豫铁电体的最新研究进展进行综述性的报道。 展开更多
关键词 弛豫铁电体 PMNT PBTIO3 压电性能 电容器 电机 介电性能 简称 激发 领域
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本征α－Si：H中隙态的时间常数及俘获截面 被引量：1
8
作者 刘坤 褚君浩 +1 位作者 李标 汤定元 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期236-240,共5页
制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构；用高精密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容、电导谱；通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。
关键词 隙态 本征 α-Si:H材料 半导体材料
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HgCdTe热辅助下的微分调制光谱
9
作者 窦红飞 陆卫 +6 位作者 陈效双 戴宁 李宁 史国良 杨建荣 刘普霖 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期485-488,共4页
用热辅助下的微分调制光谱方法研究了Hg1- xCdxTe 体材料和液相外延材料的E1 和E1+Δ1 临界点.并用三维临界点洛仑兹线性分析了实验光谱结构。
关键词 HGCDTE 热梯度 微分调制光谱 半导体
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CuInSe_2薄膜的化学溶液制备方法 被引量：1
10
作者 朱晓晶 马建华 +4 位作者 姚娘娟 梁艳 江锦春 王善力 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期231-236,共6页
采用了一种低成本化学溶液法制备铜铟硒(CuInSe_2,CIS)薄膜.研究了预退火温度、硒化温度及基片衬底等实验参数对材料性能的影响.采用硝酸铜和氯化铟配置前驱体溶液,旋涂法制膜,后经480℃硒化退火得到CIS薄膜.XRD测试结果表明薄膜结晶性... 采用了一种低成本化学溶液法制备铜铟硒(CuInSe_2,CIS)薄膜.研究了预退火温度、硒化温度及基片衬底等实验参数对材料性能的影响.采用硝酸铜和氯化铟配置前驱体溶液,旋涂法制膜,后经480℃硒化退火得到CIS薄膜.XRD测试结果表明薄膜结晶性良好,具黄铜矿结构;SEM测试结果显示薄膜由较大晶粒组成,表面相对平整致密;EDX测试显示薄膜组分相对合理,略贫Cu而富Se.采用此薄膜为吸收层制备CIS原型薄膜太阳能电池,其光电测试显示单层CIS光伏响应达到1.6%. 展开更多
关键词 铜铟硒薄膜 黄铜矿结构 化学溶液法 太阳能电池
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