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碲镉汞富碲垂直液相外延技术
被引量：
3
1
作者
杨建荣
张传杰
+7 位作者
方维政
魏彦锋
刘从峰
孙士文
陈晓静
徐庆庆
顾仁杰
陈新强
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期325-329,共5页
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应...
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.
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关键词
半导体技术
碲镉汞外延材料
液相外延
垂直浸渍外延
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职称材料
一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法
被引量：
4
2
作者
张志浩
施永明
+1 位作者
王俊
马斌
《科学技术与工程》
北大核心
2014年第21期234-238,共5页
介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪。该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足。制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多...
介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪。该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足。制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性。
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关键词
四探针
Rymaszewski法
高温
薄膜
多晶硅
PT
电阻温度系数
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职称材料
题名
碲镉汞富碲垂直液相外延技术
被引量：
3
1
作者
杨建荣
张传杰
方维政
魏彦锋
刘从峰
孙士文
陈晓静
徐庆庆
顾仁杰
陈新强
机构
中科院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期325-329,共5页
基金
国家自然科学基金创新群体资助项目(60221502)
文摘
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.
关键词
半导体技术
碲镉汞外延材料
液相外延
垂直浸渍外延
Keywords
semiconductor technique
HgCdTe epitaxial materials
liquid phase epitaxy
dipping technique
分类号
O782.1 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法
被引量：
4
2
作者
张志浩
施永明
王俊
马斌
机构
中科院
上海技术物理研究所
出处
《科学技术与工程》
北大核心
2014年第21期234-238,共5页
文摘
介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪。该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足。制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性。
关键词
四探针
Rymaszewski法
高温
薄膜
多晶硅
PT
电阻温度系数
Keywords
four-point probe method Rymaszewski high temperature poly-silicon Pt TCR
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碲镉汞富碲垂直液相外延技术
杨建荣
张传杰
方维政
魏彦锋
刘从峰
孙士文
陈晓静
徐庆庆
顾仁杰
陈新强
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法
张志浩
施永明
王俊
马斌
《科学技术与工程》
北大核心
2014
4
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职称材料
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