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SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响
被引量:
2
1
作者
周江云
李琼
+2 位作者
徐静芳
茅东升
柳襄怀
《华东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期45-48,共4页
该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄...
该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。
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关键词
非晶金刚石薄膜
SP^2键
场发射
FAD
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职称材料
外延气氛对SIMOX结构损伤的RBS分析
2
作者
李金华
林成鲁
Hemment P L F
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第S2期64-66,共3页
在外延气氛中对SIMOX/SOI样品作了不同条件的烘烤.RBS分析表明,高温外延气氛对SIMOX/SOI结构有严重的损伤,主要表现为H_2对表层硅的剥离,H_2通过穿透性缺陷使埋层SiO_2的分解和使表层硅缺陷的扩展损伤。
关键词
SOI材料
外延
RBS分析
全文增补中
题名
SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响
被引量:
2
1
作者
周江云
李琼
徐静芳
茅东升
柳襄怀
机构
华东师范大学电子科学技术系
中科院上海冶金研究所离子束开放实验室
中科院上海冶金研究所离子束开放实验室
出处
《华东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期45-48,共4页
基金
国家自然科学基金资助!(No.69671 0 1 1 )
文摘
该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。
关键词
非晶金刚石薄膜
SP^2键
场发射
FAD
Keywords
amorphous diamond film (a-DF)
filtered are deposition (FAD)
SP-2 bond
field emission
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
外延气氛对SIMOX结构损伤的RBS分析
2
作者
李金华
林成鲁
Hemment P L F
机构
江苏石油化工学院物理教
研究
中科院上海冶金研究所离子束开放实验室
Dept
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第S2期64-66,共3页
文摘
在外延气氛中对SIMOX/SOI样品作了不同条件的烘烤.RBS分析表明,高温外延气氛对SIMOX/SOI结构有严重的损伤,主要表现为H_2对表层硅的剥离,H_2通过穿透性缺陷使埋层SiO_2的分解和使表层硅缺陷的扩展损伤。
关键词
SOI材料
外延
RBS分析
分类号
N55 [自然科学总论]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响
周江云
李琼
徐静芳
茅东升
柳襄怀
《华东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
外延气氛对SIMOX结构损伤的RBS分析
李金华
林成鲁
Hemment P L F
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
全文增补中
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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