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SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响 被引量:2
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作者 周江云 李琼 +2 位作者 徐静芳 茅东升 柳襄怀 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期45-48,共4页
该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄... 该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。 展开更多
关键词 非晶金刚石薄膜 SP^2键 场发射 FAD
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外延气氛对SIMOX结构损伤的RBS分析
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作者 李金华 林成鲁 Hemment P L F 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期64-66,共3页
在外延气氛中对SIMOX/SOI样品作了不同条件的烘烤.RBS分析表明,高温外延气氛对SIMOX/SOI结构有严重的损伤,主要表现为H_2对表层硅的剥离,H_2通过穿透性缺陷使埋层SiO_2的分解和使表层硅缺陷的扩展损伤。
关键词 SOI材料 外延 RBS分析
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