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题名薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度
被引量：3
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作者
林立谨
张敏
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机构
中科院上海冶金研究所微电子学分部--上海微电子研究开发基地
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第8期59-62,共4页
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基金
上海 -AM研究与发展基金资助
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文摘
薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关 .本文研究了在恒电流TDDB(Time Depen dentDielectricBreakdown)应力条件下 8 9nm薄氧化层的电学特性退化、击穿情况 .研究表明 ,电子在穿越SiO2 晶格时与晶格相互作用产生陷阱 ,当陷阱密度达到某一临界密度Nbd时 ,氧化层就击穿 .Nbd可以用来表征氧化层的质量 ,与测试电流密度无关 .击穿电量Qbd随测试电流密度增大而减小可用陷阱产生速率的增长解释 .临界陷阱密度Nbd随测试MOS电容面积增大而减小 ,这与统计理论相符 .统计分析表明 ,对于所研究的薄氧化层 ,可看作由面积为 2 5 6× 10 -14cm2 的“元胞”构成 ,当个别“元胞”中陷阱数目达到 13个时 ,电子可通过陷阱直接隧穿 ,“元胞”内电流突然增大 ,产生大量焦耳热 ,形成欧姆通道 ,氧化层击穿 .
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关键词
薄栅氧化层
击穿特性
临界陷阱密度
二氧化硅
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Keywords
Thin film oxide
TDDB
critical trap density N_(bd)
trap
charge to breakdown
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分类号
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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