期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
离子注入碲镉汞迁移率谱的研究
1
作者
李向阳
赵军
+1 位作者
陆慧庆
方家熊
《红外与激光工程》
EI
CSCD
2000年第2期68-71,共4页
文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。对于离子注入后的样品 ,迁移率谱给出明显的两个电导率峰 ,通过分析说明样品经过离子注入产生了高浓度和低迁移率的表面层。变温测试表明 :表面低迁...
文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。对于离子注入后的样品 ,迁移率谱给出明显的两个电导率峰 ,通过分析说明样品经过离子注入产生了高浓度和低迁移率的表面层。变温测试表明 :表面低迁移率成分基本不随温度变化 ,体内高迁移率成分随温度变化明显。迁移率谱是离子注入样品的有效的非破坏分析方法之一。
展开更多
关键词
迁移率谱
碲镉汞
离子注入
红外器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理
被引量：
2
2
作者
张通和
周生辉
+1 位作者
吴瑜光
罗晏
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990年第1期13-18,共6页
5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐...
5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.
展开更多
关键词
离子注入
半导体
退火
PN结
漏电
在线阅读
下载PDF
职称材料
单片Si-FED的结构和设计
被引量：
1
3
作者
范忠
李琼
+1 位作者
徐静芳
茅东升
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期50-54,共5页
根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈...
根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。
展开更多
关键词
场发射显示器
干法刻蚀
离子注入
硅
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
离子注入碲镉汞迁移率谱的研究
1
作者
李向阳
赵军
陆慧庆
方家熊
机构
传感器国家重点
实验室
中科院上海冶金所离子束开放实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
2000年第2期68-71,共4页
基金
国家自然科学基金
国防科技预研基金
文摘
文章介绍了分别采用厚度较大的样品和较薄的霍耳器件进行了离子注入和迁移率谱的测试。对于离子注入后的样品 ,迁移率谱给出明显的两个电导率峰 ,通过分析说明样品经过离子注入产生了高浓度和低迁移率的表面层。变温测试表明 :表面低迁移率成分基本不随温度变化 ,体内高迁移率成分随温度变化明显。迁移率谱是离子注入样品的有效的非破坏分析方法之一。
关键词
迁移率谱
碲镉汞
离子注入
红外器件
Keywords
Mobility spectrum\ \ HgCdTe\ \ Ion implantation
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理
被引量：
2
2
作者
张通和
周生辉
吴瑜光
罗晏
机构
北京师范大学低能核物理研究所
中科院上海冶金所离子束开放实验室
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990年第1期13-18,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理.
关键词
离子注入
半导体
退火
PN结
漏电
Keywords
As implantation into Si, movement of high defect density, mechanism of PN junction leakage current.
分类号
O475 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
单片Si-FED的结构和设计
被引量：
1
3
作者
范忠
李琼
徐静芳
茅东升
机构
华东师范大学电子科学技术系
中科院上海冶金所离子束开放实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期50-54,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目!(69671011)
文摘
根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。
关键词
场发射显示器
干法刻蚀
离子注入
硅
Keywords
field emitter display
dry etching
ion implantation
分类号
TN873 [电子电信—信息与通信工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子注入碲镉汞迁移率谱的研究
李向阳
赵军
陆慧庆
方家熊
《红外与激光工程》
EI
CSCD
2000
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理
张通和
周生辉
吴瑜光
罗晏
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
单片Si-FED的结构和设计
范忠
李琼
徐静芳
茅东升
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
