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氧分压对电子束蒸发SiO_2薄膜机械性质和光学性质的影响
被引量：
3
1
作者
邵淑英
范正修
+2 位作者
邵建达
沈卫星
江敏华
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期742-745,共4页
采用ZYGOMarkⅢ- GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2 薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力状态;同时薄膜...
采用ZYGOMarkⅢ- GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2 薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力状态;同时薄膜的表面粗糙度也随着氧分压的增大而逐渐增大 另外,折射率对氧分压也非常敏感,随着氧分压的增大呈现出了减小的趋势 这些现象主要是由于氧分压的改变使得SiO薄膜结构发生了变化引起的。
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关键词
SIO2薄膜
氧分压
残余应力
表面形貌
折射率
电子束蒸发
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职称材料
题名
氧分压对电子束蒸发SiO_2薄膜机械性质和光学性质的影响
被引量：
3
1
作者
邵淑英
范正修
邵建达
沈卫星
江敏华
机构
中科院上海光学精密机械研究所薄膜技术研究与发展中心
中科院
上海
光学
精密机械
研究所
高功率激光物理国家实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期742-745,共4页
文摘
采用ZYGOMarkⅢ- GPI数字波面干涉仪、NamoScopeⅢa型原子力显微镜对不同氧分压下电子束蒸发方法制备的SiO2 薄膜中的残余应力及表面形貌进行了研究,结果发现:随着氧分压的增大,薄膜中的压应力值逐渐减小,最后变为张应力状态;同时薄膜的表面粗糙度也随着氧分压的增大而逐渐增大 另外,折射率对氧分压也非常敏感,随着氧分压的增大呈现出了减小的趋势 这些现象主要是由于氧分压的改变使得SiO薄膜结构发生了变化引起的。
关键词
SIO2薄膜
氧分压
残余应力
表面形貌
折射率
电子束蒸发
Keywords
SiO_2 films
Oxygen partial pressure
Residual stress
Surface morphology
Refractive index
Electron beam evaporation
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氧分压对电子束蒸发SiO_2薄膜机械性质和光学性质的影响
邵淑英
范正修
邵建达
沈卫星
江敏华
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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