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基于BP神经网络PID的中子发生器离子源阳极电流控制研究
被引量：
1
1
作者
方宁
董翔
+1 位作者
梁参军
郝丽娟
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2024年第1期94-100,共7页
本文将BP神经网络算法与PID控制结合,优化了中子发生器控制离子源阳极电流PID调节过程,实现了控制器自适应整定,提升了控制效果。基于离子源阳极电流控制模型改进了PID算法,通过MATLAB/Simulink软件对两种算法进行仿真并对比分析。通过L...
本文将BP神经网络算法与PID控制结合,优化了中子发生器控制离子源阳极电流PID调节过程,实现了控制器自适应整定,提升了控制效果。基于离子源阳极电流控制模型改进了PID算法,通过MATLAB/Simulink软件对两种算法进行仿真并对比分析。通过LabVIEW控制并采集离子源阳极电流值,使用改进后的BP神经网络PID算法控制程序进行实验。经实验表明,BP神经网络PID对离子源阳极电流控制能够实现参数的自适应整定,相比传统PID控制器超调量更小、响应速度更快,提高了中子发生器的控制稳定性。
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关键词
中子发生器
离子源
BP神经网络
PID控制器
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职称材料
Al_(2)O_(3)对Ti膜离子注入表面损伤及D滞留量的影响研究
2
作者
胡江钰
范宇
+3 位作者
梁参军
郝丽娟
刘朝伟
宋勇
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第10期1664-1668,共5页
为提高中子管Ti膜的储氢及抗溅射损伤性能,该研究通过在Ti膜表面沉积一层Al_(2)O_(3)保护层,研究了该保护层对Ti膜在D离子注入过程中表面损伤及D滞留量的影响。采用射频磁控溅射技术完成了Ti膜和表面有Al_(2)O_(3)保护层的Ti膜(Al_(2)O_...
为提高中子管Ti膜的储氢及抗溅射损伤性能,该研究通过在Ti膜表面沉积一层Al_(2)O_(3)保护层,研究了该保护层对Ti膜在D离子注入过程中表面损伤及D滞留量的影响。采用射频磁控溅射技术完成了Ti膜和表面有Al_(2)O_(3)保护层的Ti膜(Al_(2)O_(3)/Ti膜)样品的制备,开展了D离子注入实验,利用扫描电子显微镜(SEM)对D离子注入前后的表面形貌进行分析,并通过热脱附谱(TDS)实验研究保护层对Ti膜中D滞留量的影响。SEM结果表明,注入5×10^(17)个D离子后,Ti膜表面出现开裂和剥离现象,而Al_(2)O_(3)/Ti膜表面无开裂和剥离现象,Al_(2)O_(3)保护层抑制了Ti膜的开裂和剥离,可提高Ti膜使用寿命。TDS实验结果表明,增加Al_(2)O_(3)保护层后,D脱附峰值温度提升4.9%,膜内D滞留量提升10.3%,在D离子注入过程中Al_(2)O_(3)保护层可阻止膜内D原子的释放进而提升Ti膜内D滞留量。该文初步验证了Al_(2)O_(3)有作为中子管Ti膜保护层材料的潜力。
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关键词
中子管靶
Ti膜
Al_(2)O_(3)保护层
离子注入
D滞留量
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职称材料
题名
基于BP神经网络PID的中子发生器离子源阳极电流控制研究
被引量：
1
1
作者
方宁
董翔
梁参军
郝丽娟
机构
安徽
大学电气工程与自动化学院
中科
石
金
(
安徽
)
中子
技术
有限公司
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2024年第1期94-100,共7页
基金
安徽省科技重大专项(201903c08020003)“高性能油气勘探中子发生器工程化研发”。
文摘
本文将BP神经网络算法与PID控制结合,优化了中子发生器控制离子源阳极电流PID调节过程,实现了控制器自适应整定,提升了控制效果。基于离子源阳极电流控制模型改进了PID算法,通过MATLAB/Simulink软件对两种算法进行仿真并对比分析。通过LabVIEW控制并采集离子源阳极电流值,使用改进后的BP神经网络PID算法控制程序进行实验。经实验表明,BP神经网络PID对离子源阳极电流控制能够实现参数的自适应整定,相比传统PID控制器超调量更小、响应速度更快,提高了中子发生器的控制稳定性。
关键词
中子发生器
离子源
BP神经网络
PID控制器
Keywords
neutron generator
ion source
BP neural networks
PID controller
分类号
TL81 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
Al_(2)O_(3)对Ti膜离子注入表面损伤及D滞留量的影响研究
2
作者
胡江钰
范宇
梁参军
郝丽娟
刘朝伟
宋勇
机构
中国科学
技术
大学研究生院科学岛分院
中国科学院合肥物质科学研究院
山东大学能源与动力工程学院
中科
石
金
(
安徽
)
中子
技术
有限公司
中子
科学国际研究院
山东省
中子
科学
技术
重点实验室
出处
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第10期1664-1668,共5页
基金
国家重点研发计划(2023YFF0717000)
泰山产业创新领军人才项目(tscx202408142)。
文摘
为提高中子管Ti膜的储氢及抗溅射损伤性能,该研究通过在Ti膜表面沉积一层Al_(2)O_(3)保护层,研究了该保护层对Ti膜在D离子注入过程中表面损伤及D滞留量的影响。采用射频磁控溅射技术完成了Ti膜和表面有Al_(2)O_(3)保护层的Ti膜(Al_(2)O_(3)/Ti膜)样品的制备,开展了D离子注入实验,利用扫描电子显微镜(SEM)对D离子注入前后的表面形貌进行分析,并通过热脱附谱(TDS)实验研究保护层对Ti膜中D滞留量的影响。SEM结果表明,注入5×10^(17)个D离子后,Ti膜表面出现开裂和剥离现象,而Al_(2)O_(3)/Ti膜表面无开裂和剥离现象,Al_(2)O_(3)保护层抑制了Ti膜的开裂和剥离,可提高Ti膜使用寿命。TDS实验结果表明,增加Al_(2)O_(3)保护层后,D脱附峰值温度提升4.9%,膜内D滞留量提升10.3%,在D离子注入过程中Al_(2)O_(3)保护层可阻止膜内D原子的释放进而提升Ti膜内D滞留量。该文初步验证了Al_(2)O_(3)有作为中子管Ti膜保护层材料的潜力。
关键词
中子管靶
Ti膜
Al_(2)O_(3)保护层
离子注入
D滞留量
Keywords
neutron tube target
Ti film
Al_(2)O_(3)protective layer
ion implantation
D retention
分类号
O571.5 [理学—粒子物理与原子核物理]
O614.41 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于BP神经网络PID的中子发生器离子源阳极电流控制研究
方宁
董翔
梁参军
郝丽娟
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2024
1
在线阅读
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职称材料
2
Al_(2)O_(3)对Ti膜离子注入表面损伤及D滞留量的影响研究
胡江钰
范宇
梁参军
郝丽娟
刘朝伟
宋勇
《分析测试学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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