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PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
1
作者
陈蒲生
陈闽捷
张昊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期51-55,共5页
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密...
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密度随雪崩热电子注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置与密度大小关系。揭示出PECVD法形成的SiOxNy纳米膜与快速热氮化制备的这种薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化关系不一样,并从形成薄膜氮化机制上予以合理的物理解析。给出了PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件。
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关键词
PECVD
纳米级薄膜
界面陷阱
雪崩热电子注入
SiOxNy界面
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职称材料
题名
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
1
作者
陈蒲生
陈闽捷
张昊
机构
华南理工大学应用物理系
华南理工大学机电工程系
中电科集团电子第五研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期51-55,共5页
基金
广东省自然科学基金资助课题(编号950186)
文摘
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密度随雪崩热电子注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置与密度大小关系。揭示出PECVD法形成的SiOxNy纳米膜与快速热氮化制备的这种薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化关系不一样,并从形成薄膜氮化机制上予以合理的物理解析。给出了PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件。
关键词
PECVD
纳米级薄膜
界面陷阱
雪崩热电子注入
SiOxNy界面
Keywords
interface trap
avalanche
hot-electron injection
PECVD
thin film
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
陈蒲生
陈闽捷
张昊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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