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题名GaN基HEMT栅终端场板结构研究
被引量：1
- 1
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作者
默江辉
蔡树军
冯震
王勇
张志国
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机构
中电科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期478-480,489,共4页
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文摘
制作了带有栅终端场板结构的GaN基HEMT,研究了击穿电压与场板长度的关系,提取了最佳场板长度为0.4,0.5,0.6μm时所对应的栅漏击穿电压最大,为120 V。研究了栅终端场板对器件小信号特性和大信号的影响,栅终端场板长度0.4μm时,器件特征频率及最大振荡频率减小量最小。在栅宽1 mm、频率8 GHz、无场板器件最大工作电压28 V时,连续波输出功率3.2 W,功率增益4.0 dB,功率附加效率17.0%;栅终端场板器件最大工作电压38 V时,连续波输出功率5.1 W,功率增益4.1 dB,功率附加效率21.0%。
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关键词
GAN基HEMT
场板
击穿电压
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Keywords
GaN-based HEMT
field-plates
breakdown voltage
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分类号
TN325.3
[电子电信—物理电子学]
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题名大功率半导体激光器腔面的光学结构优化
被引量：1
- 2
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作者
赵润
郭芳
杨红伟
花吉珍
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机构
中电科技集团公司第十三研究所
石家庄铁道学院信息工程系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期448-451,共4页
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文摘
采用转换矩阵的处理方法,对大功率半导体激光器腔面光学灾变阈值与膜层结构的关系进行了分析。从理论上给出了膜层的设计方法和计算结果,解释了不同腔面反射率对应的腔光学灾变阈值变化的实验结果,并首次提出后腔面的优化结构以避免后腔面烧毁。
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关键词
半导体激光器
腔面光学灾变值
镀膜
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Keywords
semiconductor laser
catastrophic optical damage
coating
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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