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半导体设备企业要有全球战略被引量：2: 1; 作者尹志尧《集成电路应用》 2016年第11期7-7,共1页; 半导体设备产业绝不应仅是供应厂商的问题，它不但是集成电路产业发展最重要的部分，也是国家产业战略升级最重要的产业之一。所以，我们希望政府、投资商和业界更加重视设备产业的发展。目前大家比较重视的是大规模的生产线投资，一投... 展开更多; 关键词半导体设备全球战略集成电路产业企业设备开发投资商生产线; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型热电材料综述被引量：16: 2; 作者王超张蕊 +10 位作者杜欣张晨贵栾春红姜晶胡强王军喜杜志游李天笑马铁中严冬尹志尧《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期133-150,共18页; 热电材料能够实现热能和电能之间的相互转化,利用温度差进行发电是一种潜在的能源利用的方法,另外利用电学对热量的转化,可以进行温度的精确控制,在传感器和集成电路中有着广阔的应用前景。该文综述了近年来几类热电材料的种类、发展历... 展开更多; 关键词新型热电材料功率因子 SEEBECK系数热电器件热电性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究被引量：1: 3; 作者周旭升倪图强程秀兰《集成电路应用》 2008年第4期36-38,共3页; 本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。; 关键词材料损伤等离子体电介质材料低K电介质镶嵌工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

90/65纳米介质刻蚀机: 4; 《中国集成电路》 2009年第5期38-39,共2页; 中微半导体设备（上海）有限公司的90／65纳米介质刻蚀机荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。; 关键词刻蚀机介质纳米半导体设备创新产品; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究: 5; 作者王兆祥秦阿宾 +1 位作者刘志强苏兴才《集成电路应用》 2014年第2期28-32,共5页; 本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH... 展开更多; 关键词半导体工艺刻蚀氨气等离子体底部抗发射层; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体设备企业要有全球战略被引量：2: 1; 作者尹志尧; 机构中微半导体设备(上海)有限公司; 出处《集成电路应用》 2016年第11期7-7,共1页; 文摘半导体设备产业绝不应仅是供应厂商的问题，它不但是集成电路产业发展最重要的部分，也是国家产业战略升级最重要的产业之一。所以，我们希望政府、投资商和业界更加重视设备产业的发展。目前大家比较重视的是大规模的生产线投资，一投就是上百亿，但半导体设备开发躲在幕后面，很多人不了解这个产业的重要性。; 关键词半导体设备全球战略集成电路产业企业设备开发投资商生产线; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型热电材料综述被引量：16: 2; 作者王超张蕊杜欣张晨贵栾春红姜晶胡强王军喜杜志游李天笑马铁中严冬尹志尧; 机构电子科技大学微电子与固体电子学院电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室广东省中科宏微半导体设备有限公司中国科学院半导体研究所中微半导体设备(上海)有限公司北京智朗芯光科技有限公司; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期133-150,共18页; 基金国家自然科学基金(51672037 61604031) +4 种基金四川省科技计划(2014GZ0151 2016JQ0022) ZYGX 2014J087 ZYGX2015J029); 文摘热电材料能够实现热能和电能之间的相互转化,利用温度差进行发电是一种潜在的能源利用的方法,另外利用电学对热量的转化,可以进行温度的精确控制,在传感器和集成电路中有着广阔的应用前景。该文综述了近年来几类热电材料的种类、发展历程和研究现状,包括碲化物、硫族层状化合物、氧化物、笼合物,Half-Heusler材料,方钴矿材料、Zintl相热电材料以及铜硫族类材料。另外,对热电材料的应用做了一些归纳总结,希望能扩展热电器件的应用,实现未来的规模产业化。; 关键词新型热电材料功率因子 SEEBECK系数热电器件热电性能; Keywords new thermoelectric materials power factor seebeck coefficient thermoelectric devices thermoelectric properties; 分类号 TN415 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究被引量：1: 3; 作者周旭升倪图强程秀兰; 机构中微半导体设备上海有限公司上海交通大学微电子学院; 出处《集成电路应用》 2008年第4期36-38,共3页; 文摘本文介绍了铜镶嵌工艺中的低K电介质材料和电介质刻蚀/去胶技术,研究了In-Situ等离子体去胶对低K电介质材料损伤的问题并提出了最大限度地减少去胶损伤的方法。; 关键词材料损伤等离子体电介质材料低K电介质镶嵌工艺; 分类号 TB303 [一般工业技术—材料科学与工程] O53 [理学—等离子体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名90/65纳米介质刻蚀机: 4; 机构中微半导体设备(上海)有限公司; 出处《中国集成电路》 2009年第5期38-39,共2页; 文摘中微半导体设备（上海）有限公司的90／65纳米介质刻蚀机荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖。; 关键词刻蚀机介质纳米半导体设备创新产品; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究: 5; 作者王兆祥秦阿宾刘志强苏兴才; 机构中微半导体设备(上海)有限公司; 出处《集成电路应用》 2014年第2期28-32,共5页; 文摘本文系统研究了氨气等离子体进行有机材料(BARC)的刻蚀,研究了工艺参数:压力,静电吸盘温度对刻蚀的影响。使用氨气可以得到高的刻蚀速率,通过刻蚀参数的控制,可以在保持光刻胶顶部形貌的条件下得到直的侧壁形貌。发射光谱的研究显示,NH3等离子体中的活性组分为H*和NH*.H*是刻蚀的主要活性物种,NH自由基会产生CN聚合物保护刻蚀目标的侧壁。; 关键词半导体工艺刻蚀氨气等离子体底部抗发射层; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	半导体设备企业要有全球战略	尹志尧	《集成电路应用》	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	新型热电材料综述	王超张蕊杜欣张晨贵栾春红姜晶胡强王军喜杜志游李天笑马铁中严冬尹志尧	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	16	在线阅读下载PDF 职称材料
3	等离子体去胶对低K材料损伤的问题研究	周旭升倪图强程秀兰	《集成电路应用》	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	90/65纳米介质刻蚀机		《中国集成电路》	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新型氨气等离子体有机材料刻蚀工艺研究	王兆祥秦阿宾刘志强苏兴才	《集成电路应用》	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料