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非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究
1
作者
赖天树
林位株
莫党
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期116-118,共3页
提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 。
关键词
GAN薄膜
黄光发射
吸收归一化光致发光激发谱
发光机理
非掺杂氮化钙薄膜
发光强度
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下载PDF
职称材料
题名
非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究
1
作者
赖天树
林位株
莫党
机构
中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室∥物理学系
出处
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期116-118,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 98880 0 5 )
广东省自然科学基金资助项目 (970 148)
文摘
提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 。
关键词
GAN薄膜
黄光发射
吸收归一化光致发光激发谱
发光机理
非掺杂氮化钙薄膜
发光强度
Keywords
GaN film
yellow luminescence
absorption-normalized photoluminescence excitation spectroscopy
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究
赖天树
林位株
莫党
《中山大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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