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SiO_2纳米颗粒复合Bi_2Te_3纳米线阵列的制备
被引量：
1
1
作者
罗婷
洪澜
任山
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期900-902,925,共4页
为结合一维纳米材料和纳米颗粒复合材料的优点,本文尝试进行了在氧化铝模板(AAO)中生长Bi2Te3-Si O2纳米颗粒复合纳米线阵列。通过在电化学溶液中添加Si O2纳米颗粒,制备包含纳米颗粒的Bi-Te纳米线阵列。应用XRD、SEM、TEM等方法对合成...
为结合一维纳米材料和纳米颗粒复合材料的优点,本文尝试进行了在氧化铝模板(AAO)中生长Bi2Te3-Si O2纳米颗粒复合纳米线阵列。通过在电化学溶液中添加Si O2纳米颗粒,制备包含纳米颗粒的Bi-Te纳米线阵列。应用XRD、SEM、TEM等方法对合成的样品进行了分析观察。研究发现Si O2纳米颗粒的加入对纳米线的形貌和结构都有明显的影响。在模板法沉积Bi2Te3纳米线阵列时,添加Si O2纳米颗粒将明显改变纳米线生长方式,Bi2Te3纳米线不再是等径的纳米棒,而是枝晶生长过程,最后形成Z字型的不断反复弯折纳米线,该枝晶状纳米线的直径远小于模板的孔径。这一新颖的现象为制备直径更小,并具备精细界面结构的纳米线热电材料提供了一种新的可能途径。
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关键词
热电材料
纳米线
枝晶
BI2TE3
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职称材料
基于铜粉的室温气固反应自生长刺球状半导体Cu_2S纳米线阵列
2
作者
王大永
甘源
+1 位作者
洪澜
任山
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期199-203,187,共6页
本研究通过简单的气-固硫化反应对ITO玻璃上涂覆的铜颗粒膜进行硫化反应,得到了大面积的自生长刺球状结构的半导体Cu2S纳米阵列。采用SEM,TEM,EDS、XRD,以及UV-vis等方法对反应生长的半导体Cu2S纳米线阵列的微观结构及光吸收性能进行了...
本研究通过简单的气-固硫化反应对ITO玻璃上涂覆的铜颗粒膜进行硫化反应,得到了大面积的自生长刺球状结构的半导体Cu2S纳米阵列。采用SEM,TEM,EDS、XRD,以及UV-vis等方法对反应生长的半导体Cu2S纳米线阵列的微观结构及光吸收性能进行了系统研究。实验结果表明,合成的Cu2S为刺球状纳米线阵列,纳米刺球的直径分布在50～100μm之间;刺球上的纳米线为单斜晶系的Cu2S单晶,晶体生长方向为[-102];纳米线的平均直径为100nm,长度分布在20～50μm之间。合成的刺球状纳米线阵列具有良好的光吸收性能,反应20小时样品在可见光波长范围内（400～800nm）平均光吸收率达到了93%;反应30小时样品在可见光波长范围内（400～800nm）平均光吸收率达到了92%。同时两种刺球状纳米线阵列结构对于大的光线入射角仍然保持很高的光吸收性能,对光线入射角的变化不敏感。当入射光角度从0°增加到60°时,光吸收率仅下降3%,明显优于文献已报道的规则排列纳米线阵列的光吸收性能。本项研究合成方法简单,工艺可控,成本低,可以采用更广的基体材料。合成的纳米结构具有优良的综合光吸收性能,在光电领域有很好的应用潜力。
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关键词
纳米线刺球阵列
Cu2S
气固反应法
光吸收性能
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职称材料
题名
SiO_2纳米颗粒复合Bi_2Te_3纳米线阵列的制备
被引量：
1
1
作者
罗婷
洪澜
任山
机构
中山大学纳米技术研究中心光电材料与技术国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期900-902,925,共4页
基金
广州市科技项目(项目编号:07A590611)
文摘
为结合一维纳米材料和纳米颗粒复合材料的优点,本文尝试进行了在氧化铝模板(AAO)中生长Bi2Te3-Si O2纳米颗粒复合纳米线阵列。通过在电化学溶液中添加Si O2纳米颗粒,制备包含纳米颗粒的Bi-Te纳米线阵列。应用XRD、SEM、TEM等方法对合成的样品进行了分析观察。研究发现Si O2纳米颗粒的加入对纳米线的形貌和结构都有明显的影响。在模板法沉积Bi2Te3纳米线阵列时,添加Si O2纳米颗粒将明显改变纳米线生长方式,Bi2Te3纳米线不再是等径的纳米棒,而是枝晶生长过程,最后形成Z字型的不断反复弯折纳米线,该枝晶状纳米线的直径远小于模板的孔径。这一新颖的现象为制备直径更小,并具备精细界面结构的纳米线热电材料提供了一种新的可能途径。
关键词
热电材料
纳米线
枝晶
BI2TE3
Keywords
thermoelectric materials
nanowire
dendrite structure
Bi2Te3
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
基于铜粉的室温气固反应自生长刺球状半导体Cu_2S纳米线阵列
2
作者
王大永
甘源
洪澜
任山
机构
中山大学
纳米技术
研究
中心
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期199-203,187,共6页
基金
广东省科技计划资助项目(2010A0-80805002
2011B090600023)
长江学者和教育部创新团队发展计划资助项目(IRT13042)
文摘
本研究通过简单的气-固硫化反应对ITO玻璃上涂覆的铜颗粒膜进行硫化反应,得到了大面积的自生长刺球状结构的半导体Cu2S纳米阵列。采用SEM,TEM,EDS、XRD,以及UV-vis等方法对反应生长的半导体Cu2S纳米线阵列的微观结构及光吸收性能进行了系统研究。实验结果表明,合成的Cu2S为刺球状纳米线阵列,纳米刺球的直径分布在50～100μm之间;刺球上的纳米线为单斜晶系的Cu2S单晶,晶体生长方向为[-102];纳米线的平均直径为100nm,长度分布在20～50μm之间。合成的刺球状纳米线阵列具有良好的光吸收性能,反应20小时样品在可见光波长范围内（400～800nm）平均光吸收率达到了93%;反应30小时样品在可见光波长范围内（400～800nm）平均光吸收率达到了92%。同时两种刺球状纳米线阵列结构对于大的光线入射角仍然保持很高的光吸收性能,对光线入射角的变化不敏感。当入射光角度从0°增加到60°时,光吸收率仅下降3%,明显优于文献已报道的规则排列纳米线阵列的光吸收性能。本项研究合成方法简单,工艺可控,成本低,可以采用更广的基体材料。合成的纳米结构具有优良的综合光吸收性能,在光电领域有很好的应用潜力。
关键词
纳米线刺球阵列
Cu2S
气固反应法
光吸收性能
Keywords
spinous nanowire arrays
Cu2S
gas-solid reaction
light absorption ability
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiO_2纳米颗粒复合Bi_2Te_3纳米线阵列的制备
罗婷
洪澜
任山
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
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职称材料
2
基于铜粉的室温气固反应自生长刺球状半导体Cu_2S纳米线阵列
王大永
甘源
洪澜
任山
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
已选择
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