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中山大学电子与信息工程学院谢曦教授团队在微针阵列电子导管研究中取得重要进展
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作者 谢曦 黄爽 《中山大学学报(自然科学版)(中英文)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期F0003-F0003,共1页
谢曦教授团队研制了一种多功能微针阵列传感器集成的生物电子导管,克服了现有微创手术导管设备的传感功能有限、无法探测组织内生化信息、难以在手术中实时定位病灶生化信息的局限性。该成果以“Petromyzontidae-biomimetic multimodal ... 谢曦教授团队研制了一种多功能微针阵列传感器集成的生物电子导管,克服了现有微创手术导管设备的传感功能有限、无法探测组织内生化信息、难以在手术中实时定位病灶生化信息的局限性。该成果以“Petromyzontidae-biomimetic multimodal microneedles-integrated bioelectronic catheters for theranostic endoscopic surgery”为题,发表在Advanced Functional Materials。 展开更多
关键词 微针阵列 传感器集成 微创手术 生物电子 ENDOSCOPIC 导管
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InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长及其新型光电器件研究 被引量:1
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作者 陈英鑫 黄晓莹 +5 位作者 杨灼辉 钟汉城 宋长坤 刘林 喻颖 余思远 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期210-218,共9页
半导体量子点因其具有类原子的分立能级结构,可在三维方向上对载流子运动进行束缚,因此被认为是光发射器件(激光器、量子光源等)极具前景的有源物质之一。其器件的性能强烈依赖于量子点材料的品质、光场与量子点偶极子场的有效相互作用... 半导体量子点因其具有类原子的分立能级结构,可在三维方向上对载流子运动进行束缚,因此被认为是光发射器件(激光器、量子光源等)极具前景的有源物质之一。其器件的性能强烈依赖于量子点材料的品质、光场与量子点偶极子场的有效相互作用等。本文将从半导体InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长调控技术出发,进一步探讨应用于光通信、片上光互联领域的量子点激光器,以及应用于光量子信息领域的高品质量子光源器件。 展开更多
关键词 半导体量子点 半导体激光器 量子光源
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高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器(特邀) 被引量:5
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作者 孙时豪 蔡鑫伦 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第7期22-24,共3页
硅基光子集成平台因其高集成度、CMOS工艺兼容性等特点在光通信领域受到了广泛的关注,而电光调制器作为光通信系统中最为重要的器件之一,承担着将电信号加载至光信号上的关键作用,为打破硅基调制器的性能限制,可利用硅和铌酸锂的大面积... 硅基光子集成平台因其高集成度、CMOS工艺兼容性等特点在光通信领域受到了广泛的关注,而电光调制器作为光通信系统中最为重要的器件之一,承担着将电信号加载至光信号上的关键作用,为打破硅基调制器的性能限制,可利用硅和铌酸锂的大面积键合技术以及铌酸锂低损耗波导刻蚀技术实现高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器,目前该类调制器的性能可达半波电压3 V,3 dB电光带宽超过70 GHz,插入损耗小于1.8 dB,消光比大于40 dB。文中对比了硅和铌酸锂异质集成调制器的研究现状并介绍了该异质集成薄膜调制器的结构设计与工艺实现方法。 展开更多
关键词 光通信 硅基光子学 硅和铌酸锂异质集成 薄膜电光调制器
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全固态AlGaN/GaN ISFET pH传感器的温度特性 被引量:2
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作者 戴雅琼 黄德佳 +2 位作者 邢洁莹 潘郑州 张佰君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期734-739,共6页
制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管(ISFET)结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感... 制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管(ISFET)结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感器分别在15,45和75℃下对不同pH值的微升标准溶液进行了测量。实验结果表明,随着温度升高,pH传感器的敏感度增大,其变化趋势与理论相符。当温度为75℃时,器件灵敏度达到50. 9 mV/pH。同时,实验中还观察到传感器的阈值电压随温度升高产生了正向漂移。通过传输线模型测试以及对肖特基圆环进行电容-电压特性测试,发现阈值电压变化的原因在于载流子迁移率随温度升高而明显降低。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN异质结 离子敏感场效应晶体管(ISFET) 全固态 PH传感器 阈值电压
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SmB6单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究
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作者 张彤 黎子娟 +6 位作者 郭泽堃 田颜 林浩坚 许宁生 陈军 邓少芝 刘飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期199-204,共6页
作为一种典型的近藤拓扑绝缘体,近年来六硼化钐(SmB6)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比,SmB6纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态,因此被认为是一个研究表面量子效应和物理... 作为一种典型的近藤拓扑绝缘体,近年来六硼化钐(SmB6)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比,SmB6纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态,因此被认为是一个研究表面量子效应和物理机制的理想平台。由于场发射电流主要来源于纳米材料的表面态,所以研究SmB6纳米材料的场发射特性可以为研究其表面量子特性提供有益的参考。本研究利用化学气相沉积法,通过控制实验条件在硅衬底上分别实现了SmB6纳米带和纳米线薄膜的生长。研究结果表明:所制备的SmB6纳米线和纳米带分别为沿着[100]和[110]方向生长的立方单晶结构。场发射特性的测试结果发现:SmB6纳米带薄膜的开启电场为3.24 V/μm,最大电流密度达到了466.16μA/cm2,其场发射性能要优于纳米线薄膜。同时考虑到SmB6拥有很低的电子亲和势、高电导率和丰富的表面电子态,所以若可以进一步提高其场发射特性,那么很可能在冷阴极电子源领域有潜在应用。 展开更多
关键词 六硼化钐 近藤拓扑绝缘体 纳米线 纳米带 场致电子发射
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