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题名由上下电极覆盖的铁电薄膜中最小180度电畴尺寸
被引量：1
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作者
陈永秋
刘玉岚
王彪
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机构
哈尔滨理工大学机械动力工程学院
中山大学理工学院应用力学系
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出处
《应用数学和力学》
CSCD
北大核心
2006年第8期899-903,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(502320301017203010572155)
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文摘
在较低的电压下,铁电畴发生反转的性能对于研发高密度铁电存储器是至关重要的.为了实现高密度存储,铁电畴必须做得愈小愈好.然而,当外加电场撤去后,很小的铁电畴是不稳定的,会发生缩小,直致消失,导致存储的信息消失.为解决此问题,发展了一种通用的方法用于决定避免反向反转的铁电畴的尺寸.做为一个例子,确定了由上下电极覆盖的铁电薄膜中最小180度电畴尺寸.该研究可以用于许多相似的问题.
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关键词
铁电膜
180度铁电畴
稳定分析
反向反转
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Keywords
ferroelectric film
180 degree domain
stability analysis
back switching
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分类号
O322
[理学—一般力学与力学基础]
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