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利用调制式椭偏仪测量薄膜电光系数被引量：2: 1; 作者李芳王杰 +2 位作者王丹阳莫党陈王丽华《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期31-33,共3页; 利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数.首先用反射椭偏测量的方法得到薄膜的折射率(n)和厚度(d),然后利用透射椭偏在线测量的功能,在样品上加电场(E),得到薄膜的折射率的改变δn. 最后用测量得到的厚度,折射率以及... 展开更多; 关键词电光系数椭偏仪折射率 PLZT薄膜透射椭偏测量反射制式调制掺镧; 在线阅读下载PDF 职称材料

自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究被引量：1: 2; 作者赖天树刘鲁宁 +3 位作者寿倩雷亮文锦辉林位株《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期189-192,共4页; 评述了自旋电子学及自旋电子器件的发展,自旋电子器件的应用,半导体自旋电子学的研究内容及目前的研究现状.给出了我们的有关GaAs中电子自旋偏振与相干弛豫的研究结果.; 关键词自旋电子学自旋电子器件 GAAS 半导体相干弛豫; 在线阅读下载PDF 职称材料

电子辐照对MgAl_2O_4尖晶石光学性质的影响: 3; 作者阳生红张曰理 +1 位作者莫党何捷《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期228-232,共5页; 本文利用1.7 M eV电子辐照MgA l2O4尖晶石后,通过吸收谱测量表明,被电子辐照的尖晶石可产生大量的F型色心缺陷,而且电子的辐照剂量明显地影响尖晶石的光谱特性。随着电子辐照剂量增加,F型色心缺陷的浓度增大;椭偏光谱分析得到的光学常... 展开更多; 关键词 MgAl2O4尖晶石电子辐照吸收谱 F型色心椭偏光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

a-SiC_x:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光被引量：3: 4; 作者王莉赵艳娥 +2 位作者赵福利陈弟虎吴明娒《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期696-700,共5页; 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx∶H(a SiCx∶H)和非晶Si∶H(a Si∶H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a SiCx∶H/nc Si∶H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截... 展开更多; 关键词 a-SiCx:H/Si:H多层薄膜等离子体增强化学气相沉积热退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用调制式椭偏仪测量薄膜电光系数被引量：2: 1; 作者李芳王杰王丹阳莫党陈王丽华; 机构中山大学物理系光电材料与技术国家重点实验室香港理工大学应用物理系; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期31-33,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(50372085); 文摘利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数.首先用反射椭偏测量的方法得到薄膜的折射率(n)和厚度(d),然后利用透射椭偏在线测量的功能,在样品上加电场(E),得到薄膜的折射率的改变δn. 最后用测量得到的厚度,折射率以及折射率的改变来计算薄膜的电光系数.该仪器的灵敏度很高,很适合较薄的膜层材料电光性质的测量.; 关键词电光系数椭偏仪折射率 PLZT薄膜透射椭偏测量反射制式调制掺镧; Keywords electro-optic index ellipsometer PLZT thin films optical properties; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究被引量：1: 2; 作者赖天树刘鲁宁寿倩雷亮文锦辉林位株; 机构中山大学物理系光电材料与技术国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期189-192,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60378006) 国家重大项目课题(60490295) +1 种基金广东科技计划项目(2004B10101006); 文摘评述了自旋电子学及自旋电子器件的发展,自旋电子器件的应用,半导体自旋电子学的研究内容及目前的研究现状.给出了我们的有关GaAs中电子自旋偏振与相干弛豫的研究结果.; 关键词自旋电子学自旋电子器件 GAAS 半导体相干弛豫; Keywords spintronics spintronic devices spin relaxation GaAs; 分类号 O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电子辐照对MgAl_2O_4尖晶石光学性质的影响: 3; 作者阳生红张曰理莫党何捷; 机构中山大学物理系光电材料与技术国家重点实验室四川大学物理系; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期228-232,共5页; 基金国家自然科学基金项目(No.19874081); 文摘本文利用1.7 M eV电子辐照MgA l2O4尖晶石后,通过吸收谱测量表明,被电子辐照的尖晶石可产生大量的F型色心缺陷,而且电子的辐照剂量明显地影响尖晶石的光谱特性。随着电子辐照剂量增加,F型色心缺陷的浓度增大;椭偏光谱分析得到的光学常数谱随电子辐照剂量的变化而改变。我们对上述现象进行了合理的分析。; 关键词 MgAl2O4尖晶石电子辐照吸收谱 F型色心椭偏光谱; Keywords MgAl2O4 spinel electron irradiation optical absorption spectra F-type absorption center ellipsometric spectra; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名a-SiC_x:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光被引量：3: 4; 作者王莉赵艳娥赵福利陈弟虎吴明娒; 机构中山大学物理系光电材料与技术国家重点实验室中山大学化学与化工学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期696-700,共5页; 基金广东省自然科学基金资助项目(001911); 文摘在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx∶H(a SiCx∶H)和非晶Si∶H(a Si∶H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备了晶化纳米a SiCx∶H/nc Si∶H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:随着退火温度的升高,发光峰位置开始出现一些红移现象;当退火温度为900℃时,样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值;随着退火温度的继续升高,发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a SiCx∶H/nc Si∶H多层薄膜的发光特性和发光机理。; 关键词 a-SiCx:H/Si:H多层薄膜等离子体增强化学气相沉积热退火; Keywords a-SiC_x∶H/nc-Si multi-layers PECVD thermal annealing; 分类号 O473 [理学—半导体物理] O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	利用调制式椭偏仪测量薄膜电光系数	李芳王杰王丹阳莫党陈王丽华	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究	赖天树刘鲁宁寿倩雷亮文锦辉林位株	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	电子辐照对MgAl_2O_4尖晶石光学性质的影响	阳生红张曰理莫党何捷	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	a-SiC_x:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光	王莉赵艳娥赵福利陈弟虎吴明娒	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料