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类单晶硅太阳电池制绒工艺及光致衰减现象研究 被引量:1
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作者 刘祝鸿 陈鸣 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期67-72,共6页
类单晶硅作为一种较新的太阳电池用硅材料,进一步了解类单晶硅太阳电池的工艺及性能显得非常必要,文中通过酸碱两步制绒法对类单晶硅的制绒工艺进行了探讨,然后对常规工艺制备的类单晶硅太阳电池进行了光致衰减实验,经过与单晶硅及多晶... 类单晶硅作为一种较新的太阳电池用硅材料,进一步了解类单晶硅太阳电池的工艺及性能显得非常必要,文中通过酸碱两步制绒法对类单晶硅的制绒工艺进行了探讨,然后对常规工艺制备的类单晶硅太阳电池进行了光致衰减实验,经过与单晶硅及多晶硅太阳电池的对比发现,类单晶硅太阳电池表现出了相对优越的稳定性。实验表明类单晶硅太阳电池具有一定的优势,其发展前景广阔。 展开更多
关键词 类单晶硅 酸碱制绒 光致衰减
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Buck变换器输入/输出滤波相关问题研究 被引量:5
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作者 陈鸣 李舒然 陈方林 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期75-79,共5页
论述了中大功率Buck变换中,输入电容滤波的电流纹波计算问题和输出的LC滤波器存在的谐振电压问题。在输入电容方面,通过仿真、计算推导了纹波电流的较为确切的公式,指出其最大纹波电流发生之处;通过结合Buck实验电路的LC滤波器的各项参... 论述了中大功率Buck变换中,输入电容滤波的电流纹波计算问题和输出的LC滤波器存在的谐振电压问题。在输入电容方面,通过仿真、计算推导了纹波电流的较为确切的公式,指出其最大纹波电流发生之处;通过结合Buck实验电路的LC滤波器的各项参数,如电感的等效电阻,以及电容的等效串联电阻等,对实验出现的谐振电压问题的进行理论分析,同时进行Matlab仿真,观察其输出响应,并通过加入阻尼的方法进行消除震荡,此法简单效果明显,通过软件仿真和实验进行了验证。 展开更多
关键词 BUCK电路 输入电容 LC滤波器 MATLAB仿真 谐振电压
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中频磁控溅射法制备掺氢氮化硅减反/钝化复合功能薄膜的研究 被引量:2
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作者 沈国晟 陈文理 +1 位作者 李仲 洪瑞江 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期31-36,共6页
使用中频磁控溅射法制备了具有光学减反射与电学钝化的复合功能的氮化硅(SiNx)薄膜,并对其结构和性能进行了综合研究。结果表明:在常规制绒硅片上沉积的两种不同折射率的单层SiNx减反膜表现出优异的光学性能,其在300-1 100 nm波段的... 使用中频磁控溅射法制备了具有光学减反射与电学钝化的复合功能的氮化硅(SiNx)薄膜,并对其结构和性能进行了综合研究。结果表明:在常规制绒硅片上沉积的两种不同折射率的单层SiNx减反膜表现出优异的光学性能,其在300-1 100 nm波段的平均反射率由镀膜前的14.86%下降到镀膜后的5.50%和6.58%;若采用多层的氮化硅(m-SiNx)+氮氧化硅(SiOx Ny)薄膜作为减反层,则其平均反射率进一步下降到4.03%。同时,优化工艺制备得到的掺氢氮化硅(Si Nx∶H)薄膜,表现出良好的电学钝化特性。试验中分别制备了两种复合结构的薄膜,即SiNx∶H(厚度15 nm)+m-SiNx+SiOxNy与SiNx∶H(厚度30 nm)+m-SiNx+SiOxNy复合薄膜,其平均反射率分别为5.88%和5.43%;把这两种薄膜用于晶体硅太阳电池上,其开路电压则都达到了575 m V,表现出良好的性能。 展开更多
关键词 太阳电池 掺氢氮化硅薄膜 减反膜 钝化膜 中频磁控溅射
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高产率合成银纳米线及提升太阳电池银浆性能 被引量:1
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作者 许红梅 于肖 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期115-120,共6页
高长径比的银纳米线相比于银颗粒具有优异的一维长距离电子传输优势,可以减少电子传输过程中的损失。采用一步水热法制备出大规模高产率的银纳米线。生长的银纳米线平均长度为62.7μm,平均直径为25.0 nm,长径比高达2 508;研究了反应时... 高长径比的银纳米线相比于银颗粒具有优异的一维长距离电子传输优势,可以减少电子传输过程中的损失。采用一步水热法制备出大规模高产率的银纳米线。生长的银纳米线平均长度为62.7μm,平均直径为25.0 nm,长径比高达2 508;研究了反应时间以及聚乙烯吡咯烷酮添加量对银纳米线生长的影响,提出了银纳米线的生长机理。最后,将银纳米线以不同比例与商业化银浆进行掺混,并在P型硅片上制备银栅线。测试表明,适量地掺入银纳米线有助于显著提升银栅线导电和抗拉性能。 展开更多
关键词 银纳米线 银浆 太阳电池 导电性能 抗拉性能
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交叉双环LED驱动电源的研究
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作者 李舒然 陈鸣 《中山大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期14-18,23,共6页
LED是一种非常敏感的半导体照明器件,故需要性能优越的驱动电源。该文针对LED的特性,提出了创新的交叉双环LED驱动电源,该设计利用双运放LM358芯片进行电流电压交叉控制以达到优秀的输出特性。文章首先分析了电路的原理,然后利用Matlab... LED是一种非常敏感的半导体照明器件,故需要性能优越的驱动电源。该文针对LED的特性,提出了创新的交叉双环LED驱动电源,该设计利用双运放LM358芯片进行电流电压交叉控制以达到优秀的输出特性。文章首先分析了电路的原理,然后利用Matlab软件对控制策略的幅频特性和相频特性进行了分析,证明所提出设计的稳定性,并论述了相关优点及参数计算。电路采用BUCK拓扑结构,以及LM358芯片实现交叉双环控制,可精确控制LED驱动电源的输出电压和电流。Simulink仿真结果及实验结果验证了此电路的可行性和可靠性。 展开更多
关键词 LED 驱动电源 交叉双环控制 恒流稳压驱动
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